显示面板和显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。


背景技术：

2.在amoled(有源矩阵有机电致发光二极管)显示面板中，通常需要设置薄膜封装层以阻挡水氧入侵。然而，现有技术中，薄膜封装层的边界难以准确定义，这导致显示面板具有较大的边框。
3.所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于提供一种显示面板和显示装置，可以减小显示面板边框的宽度。
5.为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
6.根据本公开的第一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、驱动电路层、像素层和薄膜封装层；其中，所述薄膜封装层包括依次层叠设置于所述像素层远离所述衬底基板一侧的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；
7.所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区；所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的边缘位于所述外围区；
8.其中，所述第一无机封装层的边缘的坡度角在40
°
～90
°
范围内；所述第二无机封装层的边缘的坡度角在40
°
～90
°
范围内。
9.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二无机封装层的材料为无氧的无机材料，所述第二无机封装层包覆所述第一无机封装层的边缘。
10.在本公开的一种示例性实施例中，所述薄膜封装层还包括第三无机封装层，所述第三无机封装层位于所述有机封装层和所述第二无机封装层之间；
11.所述第三无机封装层的边缘的坡度角在40
°
～90
°
范围内；所述第三无机封装层的边缘与所述第一无机封装层的边缘齐平。
12.在本公开的一种示例性实施例中，在所述外围区，所述显示面板设置有阻挡坝和防裂坝；
13.所述驱动电路层包括钝化层，以及包括由所述钝化层和所述衬底基板之间的各个无机绝缘膜层组成的无机介质层；
14.所述无机介质层在所述阻挡坝和防裂坝之间设置有隔断槽，所述隔断槽贯穿所述无机介质层并暴露所述衬底基板。
15.在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一无机封装层远离所述显示区的一侧，所述第二无机封装层设置于所述钝化层表面。
16.在本公开的一种示例性实施例中，所述外围区包括扇出区和与所述扇出区相邻的
非扇出区；所述驱动电路层在所述扇出区设置有扇出走线；
17.所述隔断槽包括位于所述非扇出区的第一隔断槽；
18.在所述第一隔断槽，所述钝化层设置有暴露所述衬底基板的隔断孔。
19.在本公开的一种示例性实施例中，在所述非扇出区，所述第二无机封装层的边缘不超出所述隔断孔靠近所述显示区一侧的边缘。
20.在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还设置有裂纹检测走线；在所述非扇出区，所述裂纹检测走线位于所述第一隔断槽与所述阻挡坝之间。
21.在本公开的一种示例性实施例中，所述外围区包括扇出区和与所述扇出区相邻的非扇出区；所述驱动电路层在所述扇出区设置有扇出走线；
22.所述隔断槽包括位于所述扇出区的第二隔断槽；
23.所述钝化层覆盖所述第二隔断槽；所述扇出走线设置于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧。
24.根据本公开的第二个方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
25.通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
26.图1是相关技术中一种显示面板的结构示意图。
27.图2是本公开一种实施方式中，显示装置的结构示意图。
28.图3是本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意俯视图。
29.图4是本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意剖面图。
30.图5是本公开一种实施方式中，形成第一无机封装层的结构示意图。
31.图6是本公开一种实施方式中，形成第二封装材料层的结构示意图。
32.图7是本公开一种实施方式中，形成第二无机封装层的结构示意图。
33.图8是本公开一种实施方式中，形成隔断孔的结构示意图。
34.图9是本公开的一种显示面板与相关技术中的显示面板，在边框处的结构对比示意图。
35.图10是本公开一种实施方式中，形成第一封装材料层的结构示意图。
36.图11是本公开一种实施方式中，形成第三封装材料层的结构示意图。
37.图12是本公开一种实施方式中，形成第一无机封装层和第三无机封装层的结构示意图。
38.图13是本公开一种实施方式中，形成第二封装材料层的结构示意图。
39.图14是本公开的一种显示面板与相关技术中的显示面板，在边框处的结构对比示意图。
40.图15是本公开的一种显示面板与相关技术中的显示面板，在扇出区一侧的结构对比示意图。
41.图16是本公开实施方式的一种显示面板的工艺流程图。
42.图中主要元件附图标记说明如下：
43.f100、衬底基板；f200、驱动电路层；f201、缓冲材料层；f204、第一栅极绝缘层；
f205、第二栅极绝缘层；f206、层间介质层；f207、第一源漏金属层；f208、钝化层；f209、第二源漏金属层；f210、平坦化层；f300、像素层；f301、像素电极层；f302、像素定义层；f303、支撑柱层；f400、薄膜封装层；f401、第一无机封装层；f402、第二无机封装层；f403、第三无机封装层；f500、防裂坝；f600、支撑基板；f700、裂纹检测走线；g100、隔断槽；g101、隔断孔；aa、显示区；bb、外围区；cc、绑定区；dd、扇出区；bd、弯折区。
具体实施方式
44.现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
45.在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
46.所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
47.当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
48.用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
49.本公开实施方式中提供一种显示面板以及应用该显示面板的显示装置。参见图4，该显示面板包括依次层叠设置的衬底基板f100、驱动电路层f200、像素层f300和薄膜封装层f400。其中，像素层f300可以设置有作为子像素的发光元件，驱动电路层f200设置有驱动发光元件的像素驱动电路。
50.在本公开中，衬底基板f100可以为无机材料的衬底基板f100，也可以为有机材料的衬底基板f100。举例而言，衬底基板f100的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。再举例而言，衬底基板f100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，pva)、聚乙烯基苯酚(polyvinyl phenol，pvp)、聚醚砜(polyether sulfone，pes)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(poly carbonate，pc)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，pen)或其组合。
51.可选地，衬底基板f100可以为柔性衬底基板f100，如此本公开的显示面板可以为一种柔性显示面板。在本公开的一种实施方式中，衬底基板f100的材料可以为一层柔性有
机材料，例如衬底基板f100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)。在另外一些实施方式中，柔性衬底基板f100还可以为多层材料的复合，且包括柔性有机材料，例如衬底基板f100可以包括多层聚酰亚胺层和位于聚酰亚胺层之间的阻隔层。
52.可选地，衬底基板f100的材料可以为透明材料。如此，本公开的显示面板可以作为一种透明显示面板。
53.示例性地，在本公开的一种实施方式中，衬底基板f100的材料可以包括一层或多层的有机透明柔性材料层(例如聚酰亚胺层等)。当有机透明柔性材料层的数量为多层上，相邻的有机透明柔性材料层之间可以夹设有无机材料层，例如夹设有氮化硅层、氧化硅层或者氮氧化硅层。在该示例中，衬底基板f100为一种柔性透明的衬底基板f100，使得本公开的显示面板为一种柔性透明的显示面板。参见图2，在本公开的显示装置中，该柔性透明的显示面板pnl可以贴附于刚性透明基底wg上以便透明显示，且该显示面板可以适应平面基底或者曲面基底。进一步地，该刚性透明基底f600可以为窗户玻璃等，例如可以为商店橱窗玻璃、汽车车窗玻璃等。
54.在本公开中，参见图4，驱动电路层f200设置有用于驱动子像素的像素驱动电路。任意一个像素驱动电路可以包括晶体管f200m和存储电容(图4中未示出)。进一步地，晶体管可以为薄膜晶体管。薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为n型薄膜晶体管或者p型薄膜晶体管。在本公开的一种实施方式中，薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。
55.可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为n型晶体管且部分晶体管可以为p型晶体管。再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。
56.可选地，驱动电路层f200可以包括层叠于衬底基板f100和像素层f300之间的半导体层f203、栅极绝缘层f240、栅极层f250、层间电介质层f206、源漏金属层sd、平坦化层f210等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间电介质层、源漏金属层等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层f200可以包括依次层叠设置的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间电介质层和源漏金属层，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层f200可以包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、半导体层、层间电介质层和源漏金属层，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
57.可选地，驱动电路层f200还可以采用双栅极层结构，即栅极层可以包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层f240可以包括用于隔离半导体层和第一栅极层的第一栅极绝缘层f204，以及包括用于隔离第一栅极层和第二栅极层的第二栅极绝缘层f205。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层f200可以包括依次层叠设置于衬底基板f100一侧的半导体层、第一栅极绝缘层f204、第一栅极层、第二栅极绝缘层f205、第二栅极层、层间电
介质层和源漏金属层。
58.可选地，驱动电路层f200还可以采用双源漏金属层结构，即源漏金属层sd可以包括第一源漏金属层f207和第二源漏金属层f209，两层源漏金属层之间可以通过绝缘介质进行隔离。该绝缘介质既可以为无机材料(例如可以为一层作为钝化层f208的氮化硅层)，也可以为有机材料(例如可以为一层作为平坦化层的树脂层)，也可以为无机材料和有机材料的层叠(例如可以包括层叠于第一源漏金属层f207之上的钝化层f208以及层叠于钝化层f208之上的平坦化层)。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层f200可以包括依次层叠设置于衬底基板f100一侧的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间电介质层f206、第一源漏金属层f207、钝化层f208和第二源漏金属层f209。在本公开的一种实施方式中，驱动电路层f200采用双栅极层、双源漏金属层结构。示例性地，驱动电路层f200包括依次层叠设置的半导体层、第一栅极绝缘层f204、第一栅极层、第二栅极绝缘层f205、第二栅极层、层间介质层f206、第一源漏金属层f207、钝化层f208和第二源漏金属层f209和平坦化层f210。
59.可选地，驱动电路层f200还可以包括设于衬底基板f100与半导体层之间的缓冲材料层f201，且半导体层、栅极层等均位于缓冲材料层f201远离衬底基板f100的一侧。缓冲材料层f201的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料。缓冲材料层f201可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。缓冲层可以提高驱动电路层f200与衬底基板f100之间的结合力，并为驱动电路层f200提供稳定环境。
60.在本公开中，像素层f300可以设置有与像素驱动电路对应电连接的发光元件，发光元件可以作为显示面板的子像素。如此，像素层f300设置有阵列分布的发光元件，且各个发光元件在像素驱动电路的控制下发光。在本公开中，发光元件可以为有机电致发光二极管(oled)、微发光二极管(micro led)、量子点-有机电致发光二极管(qd-oled)或者其他类型的发光元件。示例性地，在本公开的一种实施方式中，发光元件为有机电致发光二极管(oled)，则该显示面板为oled显示面板。如下，以发光元件为有机电致发光二极管为例，对像素层f300的一种可行结构进行示例性的介绍。
61.在该示例性地oled显示面板中，像素层f300可以包括依次层叠设置的像素电极层f301、像素定义层f302、支撑柱层f303、有机发光功能层f304和公共电极层f305。其中，像素电极层f301在显示面板的显示区aa具有多个像素电极；像素定义层f302在显示区aa具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。支撑柱层f303在显示区aa包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层f302远离衬底基板f100的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(fine metal mask，fmm)。有机发光功能层至少覆盖被像素定义层f302所暴露的像素电极。其中，有机发光功能层可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(open mask)定义各个膜层的图案。公共电极层在显示区aa可以覆盖有机发光功能层。如此，像素电极、公共电极层和位于像素电极和公共电极层之间的有机发光功能层形成有机发电致光二极管f300d，任意一个有机电致发光二极管可以作为显示面板的一个子像素。
62.在一些实施方式中，像素层f300还可以包括位于公共电极层远离衬底基板f100一侧的光取出层，以增强有机发光二极管的出光效率。
63.在本公开中，薄膜封装层f400设于像素层f300远离衬底基板f100的表面，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层而导致材料降解。
64.在本公开的一种实施例中，薄膜封装层f400可以包括依次层叠设置于像素层f300远离衬底基板f100一侧的第一无机封装层f401、有机封装层ijp和第二无机封装层f402。有机封装层ijp可以位于相邻的第一无机封装层f401和第二无机封装层f402之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。在本公开的一种实施方式中，第一无机封装层f401和第二无机封装层f402的材料可以不同，具体的，第一无机封装层f401的氧元素含量可以高于第二无机封装层f402的氧元素含量。如此，第一无机封装层f401具有较高含量的氧元素，可以利于有机封装层的制备，尤其是利于制备有机封装层的有机液体材料的流平。第二无机封装层f402具有较低含量的氧元素甚至不含有氧元素，因此具有更佳的水氧阻隔效果，可以提高显示面板的封装效果。
65.可选地，第一无机封装层f401可以采用含有氧元素的无机电介质材料，例如可以采用氧化硅、氮氧化硅中的一种，以利于有机封装层的制备，尤其是利于制备有机封装层的有机液体材料的流平。在制备有机封装层时，可以采用喷墨打印的方式，向第一封装层f401远离衬底基板f100的一侧添加有机液体材料(例如有机油墨)，在有机液体材料流平后固化形成有机封装层。其中，有机封装层的边缘不超出第一无机封装层f401的边缘。
66.可选地，第一无机封装层f401的厚度可以为0.01～1.5微米，例如可以为1微米、1.1微米、1.2微米。可选的，第二无机封装层f402的材料可以为无氧的无机材料，即为无氧元素的的无机电介质材料，无氧元素的第二无机封装层f402可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水分和氧气入侵有机发光功能层从而导致材料降解，避免像素失效而提高显示面板的良率和寿命。进一步地，第二无机封装层f402可以包覆第一无机封装层f401的边缘。进一步地，第二无机封装层f402的材料为氮化硅。
67.可选地，在第一无机封装层f401远离显示区aa的一侧，第二无机封装层f402可以设置于钝化层f208表面。在本公开中，由于第二无机封装层f402不含氧，可以阻隔水分和氧气对第一无机封装层f401的侵蚀。此外，为了防止水分和氧气可能会对第一无机封装层f401下部的侵蚀，第二无机封装层f402可以设置于钝化层f208的表面。由于钝化层f208的材料也是不含氧元素的氮化硅，因此第一无机封装层f401完全被氮化硅材料包覆。
68.参见图3，从俯视的角度，显示面板可以包括显示区aa和围绕显示区aa的外围区bb。第一无机封装层f401和第二无机封装层f402的边缘位于外围区bb。其中，有机封装层的边缘，可以位于显示区aa的边缘和第一无机封装层f401的边缘之间。
69.参见图3，显示面板在外围区bb设置有绑定区cc，绑定区cc内设置有用于连接电路板或者芯片的绑定焊盘。在绑定区cc和显示区aa之间，外围区bb具有扇出区dd，扇出区dd设置有使得显示区aa和绑定区cc电连接的扇出走线。如此，沿围绕显示区aa的方向上，外围区bb可以分为设置有扇出走线的扇出区dd和没有设置扇出走线的非扇出区。
70.在一些实施方式中，参见图3，外围区bb还可以设置有弯折区bd，弯折区bd位于绑定区cc与显示区aa之间。显示面板可以在弯折区bd内弯折，以便将绑定焊盘弯折至显示面板的背面。在本公开的一种实施方式中，弯折区bd可以位于扇出区dd与绑定区cc之间。
71.参见图3，在显示面板的外围区bb，显示面板可以包括阻挡坝dam和防裂坝f500。阻
挡坝dam位于防裂坝f500与显示区aa之间，能够阻挡有机液体材料以约束有机封装层的边界。
72.阻挡坝dam可以通过驱动电路层f200和像素层f300中的有机层/无机层堆叠形成，尤其是可以通过有机层堆叠而成。第一无机封装层f401和第二无机封装层f402可以覆盖阻挡坝dam，即第一无机封装层f401和第二无机封装层f402的边缘可以位于阻挡坝dam与防裂坝f500之间。如此，阻挡坝dam还延长了第一无机封装层f401与像素层f300之间、第一无机封装层f401与第二无机封装层f402之间的接触长度，进而可以延长水氧入侵路径，提高封装效果。在一些实施方式中，阻挡坝dam可以呈封闭环形以环绕显示区aa。在另外一些实施方式中，阻挡坝dam可以仅设置于非扇出区，其沿环绕显示区aa的方向贯穿非扇出区。
73.防裂坝f500可以位于显示面板的边缘，用于防止显示面板在切割时造成的裂缝向显示区aa延伸，降低裂纹延伸引发显示面板的显示区aa或者外围区bb发生故障的风险。在一些实施方式中，防裂坝f500可以呈封闭环形以环绕显示区aa。在另外一些实施方式中，防裂坝f500可以仅设置于非扇出区，其沿环绕显示区aa的方向贯穿非扇出区。
74.本公开提供的显示面板，参见图16，可以采用如下制备方法进行制备：
75.步骤s110，提供衬底基板f100；
76.步骤s120，在衬底基板f100的一侧形成驱动电路层f200；
77.步骤s130，在驱动电路层f200远离衬底基板f100的一侧形成像素层f300；
78.步骤s140，在像素层f300远离衬底基板f100的一侧形成第一无机封装层f401和有机封装层；有机封装层位于第一无机封装层f401远离衬底基板f100的一侧；
79.步骤s150，在有机封装层远离衬底基板f100的一侧形成第二无机封装层f402。
80.在相关技术中，步骤s140和步骤s150采用开放式掩膜工艺形成第一无机封装层f401和第二无机封装层f402。具体的，在步骤s140中，可以在开放式掩膜板的遮蔽下沉积无机材料以形成第一无机封装层f401。在步骤s150中，可以在开放式掩膜板的遮蔽下沉积无机材料以形成第二无机封装层f402。由于开放式掩膜板与基板之间存在一定的间隙，沉积气体可以沿间隙进行掩膜板以下而形成封装阴影(shadow)，该封装阴影超出开放式掩膜所限定的边界。根据相关技术，所获得的显示面板pnl0的结构如图1所示。在相关技术中，该封装阴影(shadow)的宽度往往超出20微米，例如超过20～40微米。参见图1，第一无机封装层f401和第二无机封装层f402由于具有封装阴影(shadow)的存在，其边缘的坡度角非常小，占用的边框空间大。不仅如此，为了避免封装阴影(shadow)搭接至防裂坝f500上，显示面板在阻挡坝dam和防裂坝f500之间需要设置足够宽的距离以完全容置封装阴影(shadow)，这使得显示面板具有较宽的边框。
81.为了解决上述问题，参见图5～图7，本公开在步骤s140中通过如下方法形成第一无机封装层f401：参见图5，在所述像素层f300远离所述衬底基板f100的一侧形成覆盖所述显示区aa和所述外围区bb的第一封装材料层；对所述第一封装材料层进行图案化操作，以形成第一无机封装层f401。
82.不仅如此，本公开在步骤s150中通过如下方法形成第二无机封装层f402：参见图6，在所述有机封装层远离所述衬底基板f100的一侧形成覆盖所述显示区aa和所述外围区bb的第二封装材料层；参见图7，对所述第二封装材料层进行图案化操作，以形成第二无机封装层f402，所述第二无机封装层f402的边缘位于所述外围区bb。
83.在本公开的步骤s140中，可以无需采用掩膜板而直接在基板上沉积形成第一封装材料层；此时，第一封装材料层覆盖住显示区aa和所述外围区bb，且各位置的厚度均一。然后，采用光刻工艺对第一封装材料层进行图案化操作，以形成所需的第一无机封装层f401。由于第一封装材料层在各个位置厚度均一，因此第一无机封装层f401的边缘和显示区aa的厚度相同。由于采用光刻工艺对第一封装材料层进行图案化，因此第一无机封装层f401的边缘的坡度角较大，在40
°
～90
°
范围内，尤其是可以在50
°
～80
°
范围内。如此，一方面可以很准确的定义出第一无机封装层f401的边界，无需为了封装阴影(shadow)而预留出冗余的空间；另一方面，第一无机封装层f401的坡度角较大，边缘所占用的空间小。由于没有封装阴影(shadow)对第一无机封装层f401的边界的干扰，因此，可以无需在阻挡坝dam和防裂坝f500之间为封装阴影(shadow)预留出相应的空间，这可以有效的缩小显示面板的边框宽度。
84.在本公开的步骤s150中，可以无需采用掩膜板而直接在基板上沉积形成第二封装材料层；此时，第二封装材料层覆盖住显示区aa和所述外围区bb，且各位置的厚度均一。然后，采用光刻工艺对第二封装材料层进行图案化操作，以形成所需的第二无机封装层f402。由于第二封装材料层在各个位置厚度均一，因此第二无机封装层f402的边缘和显示区aa的厚度相同。由于采用光刻工艺对第二封装材料层进行图案化，因此第二无机封装层f402的边缘的坡度角较大，在40
°
～90
°
范围内，尤其是可以在50
°
～80
°
范围内。如此，一方面可以很准确的定义出第二无机封装层f402的边界，无需为了封装阴影(shadow)而预留出冗余的空间；另一方面，第二无机封装层f402的坡度角较大，边缘所占用的空间小。由于没有封装阴影(shadow)对第二无机封装层f402的边界的干扰，因此，可以无需在阻挡坝dam和防裂坝f500之间为封装阴影(shadow)预留出相应的空间，这可以有效的缩小显示面板的边框宽度。
85.图9展示了本实施方式所制备的显示面板pnl，以及展示了相关技术中的显示面板pnl0。在图9中，还示出了这些显示面板的切割线(cutting line)的位置。参考图9，本实施方式的显示面板pnl由于没有封装阴影(shadow)对第二无机封装层f402的边界的干扰，因此，可以无需在阻挡坝dam和防裂坝f500之间为封装阴影(shadow)预留出相应的空间，这可以有效的缩小显示面板的边框宽度。
86.在一些实施方式中，通过本公开的上述制备方法，显示面板的边框在非扇出区可以减小20～60微米，例如可以减小40微米。
87.在一些实施方式中，通过本公开的上述制备方法，显示面板的边框在扇出区dd可以减小100～400微米，例如可以减小300微米。
88.在本公开的一种实施方式中，可以在制备有机封装层之前完成对第一封装材料层的图案化。示例性地，步骤s140可以具体包括：
89.步骤s210，在所述像素层f300远离所述衬底基板f100的一侧形成覆盖所述显示区aa和所述外围区bb的第一封装材料层；
90.步骤s220，对所述第一封装材料层进行图案化操作，以形成第一无机封装层f401；
91.步骤s230，在所述第一无机封装层f401远离所述衬底基板f100的一侧形成有机封装层。
92.根据该实施方式，所获得的显示面板的第一无机封装层f401包括依次层叠设置的
第一无机封装层f401、有机封装层和第二无机封装层f402。其中，第一无机封装层f401和第二无机封装层f402在两次不同的图案化操作中形成，因此两者的边缘可以不一致。在本公开的一种实施方式中，第二无机封装层f402的边缘可以在第一无机封装层f401的边缘的外侧，以使得第二无机封装层f402包覆第一无机封装层f401的边缘，实现更好的水氧阻隔效果。
93.可选地，在该实施方式中，第二无机封装层f402的厚度可以为0.01～1.5微米，例如可以为1微米，1.1微米、1.2微米等。如此，有机封装层上被较厚的第二无机封装层f402覆盖，可以保证第一无机封装层f401的纵向水氧阻隔效果。
94.参考图10～图13，在本公开的另一种实施方式中，可以在制备有机封装层之后完成对第一封装材料层的图案化。示例性地，步骤s140可以具体包括：
95.步骤s310，参考图10，在所述像素层f300远离所述衬底基板f100的一侧形成覆盖所述显示区aa和所述外围区bb的第一封装材料层；
96.步骤s320，在所述第一封装材料层远离所述衬底基板f100的一侧形成有机封装层；
97.步骤s330，参见图11，在所述有机封装层远离所述衬底基板f100的一侧形成覆盖所述显示区aa和所述外围区bb的第三封装材料层；
98.步骤s340，参见图12，对所述第一封装材料层和第三封装材料层进行图案化操作，以形成第一无机封装层f401和第三无机封装层f403。参见图14中的显示面板pnl，第三无机封装层f403夹设于有机封装层(图14中未示出)和第二无机封装层f402之间。
99.参考图14，根据该实施方式，所获得的显示面板pnl的第一无机封装层f401包括依次层叠设置的第一无机封装层f401、有机封装层(图14中未示出)、第三无机封装层f403和第二无机封装层f402。其中，第一无机封装层f401和第三无机封装层f403因在同一次图案化操作中形成，因此两者的边缘齐平。不仅如此，第三无机封装层f403的边缘的坡度角较大，在40
°
～90
°
范围内，尤其是可以在50
°
～80
°
范围内。图14中还示出了相关技术中的显示面板pnl0，以及示出了显示面板pnl和显示面板pnl0的切割线。参见图14可知，本公开的显示面板pnl可以准确地定义第一无机封装层f401、第三无机封装层f403和第二无机封装层f402的边界，不会出现阴影(shadow)，因此相较于相关技术中的显示面板pnl0具有较小的边框。
100.可选地，在该实施方式中，第三无机封装层f403的材料可以与第二无机封装层f402的材料相同，以进一步提高第一无机封装层f401的水氧阻隔效果。
101.可选地，在该实施方式中，第三无机封装层f403的厚度可以在0.01～1.5微米范围内，例如在0.6～1.0微米范围内。示例性地，第三无机封装层f403的厚度可以为0.7微米。
102.可选地，在该实施方式中，第二无机封装层f402的厚度可以在0.01～1.5微米范围内，例如在为0.2～0.5微米范围内。示例性地，第二无机封装层f402的厚度可以为0.3微米。
103.在本公开中，可以将驱动电路层f200中衬底基板f100与钝化层f208之间的各个无机绝缘介质膜层整体上定义为无机介质层。如此，所述驱动电路层f200包括依次层叠设置于所述衬底基板f100一侧的无机介质层和钝化层f208。可以理解的是，驱动电路层f200中的膜层结构不同，无机介质层中所包含的膜层也会相应的不同，以位于衬底基板f100和钝化层f208之间为准。
104.在本公开的一些实施方式中，在制备驱动电路层f200时，可以在无机介质层上形成贯穿所述无机介质层并暴露所述衬底基板f100的隔断槽g100，隔断槽g100位于无机介质层在所述阻挡坝dam和防裂坝f500之间。如此，在所获得的显示面板中，所述无机介质层在所述阻挡坝dam和防裂坝f500之间设置有隔断槽g100，所述隔断槽g100贯穿所述无机介质层并暴露所述衬底基板f100。如此，在隔断槽g100的位置，无机介质层中的无机材料被去除。该隔断槽g100能够进一步阻止显示面板在切割时造成的裂缝扩散至显示区aa，从而能够防止显示区aa不会受切割时产生的裂纹的影响，从而提高了显示面板的寿命。尤其是，在本公开中，由于显示面板的边框的减小，显示区aa更容易受到裂纹的影响；而隔断槽g100可以与防裂坝f500配合，可以在防裂坝f500失效时阻挡裂纹向显示区aa的延伸，进而提高显示面板的稳定性，克服了边框减小所带来的潜在风险。
105.隔断槽g100可以设置在外围区bb的局部位置，也可以环绕显示区aa设置。示例性地，在本公开的一种实施方式中，隔断槽g100可以包括位于非扇出区的第一隔断槽g110。沿环绕显示区aa的方向，第一隔断槽贯穿非扇出区。再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，隔断槽g100可以包括位于扇出区dd的第二隔断槽g120。沿环绕显示区aa的方向，第二隔断槽贯穿扇出区dd。再示例性地，隔断槽g100可以包括第一隔断槽和第二隔断槽，第一隔断槽和第二隔断槽可以相互连接以形成围绕显示区aa的封闭环形。
106.在本公开的一些实施方式中，在第一隔断槽，钝化层f208设置有暴露衬底基板f100的隔断孔g101。该隔断孔g101可以沿第一隔断槽的延伸方向，贯穿第一隔断槽。如此，可以进一步提高隔断槽g100对裂纹的阻挡效果。在本公开的一种实施例中，该隔断孔g101沿远离显示区aa方向的尺寸(即宽度)可以为2～6微米，例如可以为3微米。值得注意的是，隔断孔g101的设计尺寸可按照工艺适当增加或者减小，例如可以是4微米、5微米、6微米等。
107.在本公开的一种实施方式中，在非扇出区，第一无机封装层f401的边缘与第一隔断槽之间的尺寸为3～8微米，例如可以为5微米。第一隔断槽的边缘与隔断孔g101的边缘之间的尺寸可以为3～8微米，例如可以为5微米。在本公开的一种实施方式中，第一隔断槽与阻裂坝之间的尺寸可以为3～8微米，例如可以为5微米。
108.可选的，在非扇出区，第二无机封装层f402的边缘不超出隔断孔g101靠近显示区aa一侧的边缘。如此，第二无机封装层f402不会覆盖隔断孔g101，以保证隔断槽g100的阻挡裂纹效果。进一步地，在本公开的一种实施方式中，第二无机封装层f402的边缘延伸至第一隔断槽内。
109.在本公开的一些实施方式中，钝化层f208可以覆盖第二隔断槽，扇出走线可以设置于钝化层f208远离衬底基板f100的一侧，例如可以设置于第二源漏金属层f209。进一步地，扇出走线可以被平坦化层f210覆盖。
110.可选的，参见图3，显示面板还包括裂纹检测走线f700，在非扇出区，裂纹检测走线f700位于隔断槽g100与防裂坝f500之间。如此，裂纹检测走线f700可以更为灵敏的检测出突破防裂坝f500的裂纹。当然地，在本公开的其他实施方式中，参见图8和图14，裂纹检测走线f700也可以位于隔断槽g100与阻挡坝dam之间。如此，裂纹检测走线f700可以检测突破至隔断槽g100内侧(靠近显示区的一侧)的裂纹，进而更直观的反映出显示区所面临的风险。
111.可选地，在本公开的显示面板的制备过程中，可以先提供一支撑基板f600，然后在支撑基板f600的一侧依次形成衬底基板f100、驱动电路层f200、像素层f300和薄膜封装层
f400。在完成显示面板的制备后，可以剥离支撑基板f600以获得显示面板。
112.在本公开的一种实施方式中，支撑基板f600可以为玻璃基板。
113.可选地，在本公开的显示面板的制备过程中，可以提供一个大尺寸的基板作为母板，该母板可以为多个显示面板提供支撑基板f600。在完成显示面板的制备后，可以沿切割线(cutting line)进行切割(例如激光切割)获得多个显示面板。
114.可选地，在本公开的显示面板的制备过程中，在形成薄膜封装层f400之后，可以在薄膜封装层f400远离衬底基板f100的一侧贴附临时保护膜(tpf)，然后对临时保护膜进行切割以暴露显示面板的各个绑定焊盘，以利于显示面板的电性检测和分级。图15展示了相关技术中的显示面板pnl0和本公开的显示面板pnl，临时保护膜在扇出区一侧切割的切割位置。参见图15，在制备本公开的显示面板pnl时，在切割临时保护膜时，切割线位于弯折区bd远离显示区aa的一侧。如此，可以避免在弯折区bd与显示区aa之间设置临时保护膜切割区，进而利于避免临时保护膜切割区减弱本公开的无机封装层对边框的减小效果。作为对比，在相关技术中，通常在弯折区bd靠近显示区aa的一侧切割临时保护膜，这使得显示面板在扇出区一侧具有较大的边框。
115.需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等，均应视为本公开的一部分。
116.应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。