一种介质滤波器的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，具体涉及一种介质滤波器。


背景技术：

2.介质滤波器(英文dielectric filter)是利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点设计制作的，由数个长型谐振器纵向多级串联或并联的梯形线路构成。
3.现有的介质滤波器大多包括陶瓷介质块、开设在介质块上的谐振孔、覆盖在介质块表面及谐振孔内壁表面的导电层、连接在介质块上的金属屏蔽壳，屏蔽壳通常采用与介质块表面的导电层焊接连接的方式进行固定，为便于焊接及定位，也有在介质块上开设浅槽以匹配屏蔽壳的做法，在对介质滤波器进行温度冲击测试或温度循环试验时，由于介质块的热膨胀系数与屏蔽壳的热膨胀系数存在一定差异，热胀冷缩时，屏蔽壳与介质块产生的尺寸变化并不相同，沿长边侧的尺寸变化差值最为明显，容易将导电层从介质块上撕开，或者使介质块开裂，即使不产生明显的破坏现象，也会在屏蔽壳与介质块的连接处形成应力，时间长了，应力容易导致屏蔽壳与介质块及导电层的接触不良，影响介质滤波器的性能。
4.现有的陶瓷介质块在加工成型及导电层的涂覆过程中，由于细微坍缩变形及导电层细微披锋的存在，存在一部分成品的性能在允许范围以外，但又超出不多的情形，这部分成品虽然能通过修磨介质块及导电层的方式对性能进行调整，但要精准控制修磨程度以避免介质块变形及开裂，操作不便、费时费力。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的是为了克服现有技术的缺点，提供一种既能够消除屏蔽壳与介质块之间应力、避免导电层及介质块损坏，又能够方便地对性能进行调整的介质滤波器。
6.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是，介质滤波器，包括：介质块、谐振孔、导电层和屏蔽壳，所述介质块为长方体陶瓷介质块，所述谐振孔设置在所述介质块上，所述导电层覆盖在所述介质块的表面，所述屏蔽壳由金属板经两次垂直折弯而成，这两次垂直折弯的方向相同，使屏蔽壳的截面呈竖弯钩状，所述屏蔽壳包括依次连接的第一竖直板、水平板和第二竖直板，所述第一竖直板焊接连接在所述介质块的后表面，所述水平板位于所述介质块的上方并平行于所述介质块的上表面，所述第二竖直板的下端部焊接连接在所述介质块的上表面，所述屏蔽壳上开设有应力释放槽，所述应力释放槽既用于消除热胀冷缩时所述屏蔽壳与所述介质块之间的应力，避免所述导电层及所述介质块的损坏，又用于微调介质滤波器的性能，所述应力释放槽自所述第二竖直板的下端面向上延伸，贯穿所述第二竖直板与所述水平板的直角连接处并延伸至所述水平板上，位于所述第二竖直板上的所述应力释放槽沿前后方向贯穿所述第二竖直板，位于所述水平板上的所述应力释放槽沿上下方向贯穿所述水平板。
7.优选地，所述应力释放槽有多条。
8.进一步优选地，多条所述应力释放槽相平行且相间隔地设置。
9.进一步优选地，相邻的所述应力释放槽之间的间距相等。
10.进一步优选地，所述应力释放槽的数量与所述介质滤波器的低频侧抑制指标正相关、与所述介质滤波器的高频侧抑制指标负相关。
11.优选地，所述应力释放槽的宽度范围为0.3-0.6mm。
12.进一步优选地，所述应力释放槽的宽度与所述介质滤波器的低频侧抑制指标正相关、与所述介质滤波器的高频侧抑制指标负相关。
13.进一步优选地，位于所述第二竖直板上的所述应力释放槽垂直于所述水平板。
14.进一步优选地，位于所述水平板上的所述应力释放槽垂直于所述第二竖直板。
15.进一步优选地，所述水平板上的所述应力释放槽的长度小于等于所述水平板在前后方向上宽度的二分之一。
16.由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
17.本实用新型提供的介质滤波器，包括长方体陶瓷介质块、设置在介质块上的谐振孔、覆盖在介质块表面的导电层和由金属板经两次垂直折弯而成的屏蔽壳，屏蔽壳包括依次连接的第一竖直板、水平板和第二竖直板，第一竖直板焊接连接在介质块后表面，水平板位于介质块上方并平行于介质块的上表面，第二竖直板的下端部焊接连接在介质块上表面，通过在屏蔽壳上开设应力释放槽，使应力释放槽自第二竖直板的下端面向上延伸，贯穿第二竖直板与水平板的直角连接处并延伸至水平板上，使应力释放槽贯穿第二竖直板及水平板，既能够利用应力释放槽消除热胀冷缩时屏蔽壳与介质块之间的应力，避免导电层及介质块的损坏，又能够利用应力释放槽对部分成品的性能进行微调，操作方便、省时省力。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本实用新型中介质滤波器优选实施例的立体示意图。
20.图2是图1的俯视示意图。
21.图3是图1的主视示意图。
22.图4是图1的左视示意图。
23.图5是未设置应力释放槽的介质滤波器的电气性能图。
24.图6是图1所示介质滤波器的电气性能图。
25.其中：10.介质块；20.谐振孔；30.导电层；40.屏蔽壳；41.第一竖直板；42.水平板；43.第二竖直板；44.应力释放槽。
具体实施方式
26.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施
例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
27.在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
28.本实用新型中描述的前后方向是指图2中的上下方向，本实用新型中描述的左右方向是指图2中的左右方向，本实用新型中描述的上下方向是指图3中的上下方向。
29.如图1-4所示，本实用新型提供的介质滤波器，包括：介质块10、谐振孔20、导电层30和屏蔽壳40，介质块10为长方体陶瓷介质块，谐振孔20设置在介质块10上，导电层30覆盖在介质块10的表面和谐振孔20的内壁表面，屏蔽壳40由金属板（黄铜或洋白铜材质）经两次垂直折弯而成，这两次垂直折弯的方向相同，使屏蔽壳40的截面呈竖弯钩状，屏蔽壳40包括依次连接的第一竖直板41、水平板42和第二竖直板43，第一竖直板41焊接连接在介质块10的后表面的导电层30上，水平板42位于介质块10的上方并平行于介质块10的上表面，第二竖直板43的下端部焊接连接在介质块10的上表面的导电层30上，屏蔽壳40上开设有应力释放槽44，应力释放槽44既用于消除热胀冷缩时屏蔽壳40与介质块10之间的应力，避免导电层30的剥离、撕裂，及介质块10的开裂损坏，又用于微调介质滤波器的性能，应力释放槽44自第二竖直板43的下端面向上延伸，贯穿第二竖直板43与水平板42的直角连接处并延伸至水平板42上，位于第二竖直板43上的应力释放槽44沿前后方向贯穿第二竖直板43，位于水平板42上的应力释放槽44沿上下方向贯穿水平板。
30.这样设置的好处在于，既能够利用应力释放槽消除热胀冷缩时屏蔽壳与介质块之间的应力，避免导电层及介质块的损坏，又能够利用应力释放槽对部分成品的性能进行微调，操作方便、省时省力。
31.在本实施例中，应力释放槽44有三条，上述性能具体为介质滤波器低频侧的抑制指标及高频侧的抑制指标，低频侧抑制指标位于3450-3550mhz（含本数）范围内，高频侧抑制指标位于3700-3800mhz（含本数）范围内，具体地，如图5-6所示，应力释放槽44的数量与介质滤波器的低频侧抑制指标正相关、与介质滤波器的高频侧抑制指标负相关。
32.在本实施例中，这三条应力释放槽44相平行且相间隔地设置，相邻的应力释放槽44之间的间距相等，这样设置的好处在于，使应力释放槽44数量与介质滤波器性能的关联性更加有序可控，便于对介质滤波器的性能进行微调。
33.应力释放槽44的宽度对消除应力及微调性能有较大影响，该宽度过小，则消除热胀冷缩时屏蔽壳40与介质块10之间应力的作用有限，温度变化过大时，仍然存在导电层及介质块损坏的风险；该宽度过大，会降低介质滤波器的屏蔽效果，优选地，应力释放槽44的宽度范围为0.3-0.6mm，在该范围内，应力释放槽44的宽度与介质滤波器的低频侧抑制指标正相关、与介质滤波器的高频侧抑制指标负相关，在本实施例中，该宽度为0.5mm。
34.为提升应力释放槽44消除应力的效率，在本实施例中，位于第二竖直板43上的应力释放槽44垂直于水平板42，位于水平板42上的应力释放槽44垂直于第二竖直板43，为避免对屏蔽壳的强度产生影响，水平板42上的应力释放槽44的长度小于水平板42在前后方向上宽度的二分之一。
35.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存
在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
36.以上仅是本技术的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。