集成电路器件的制作方法

1.本实用新型总体上涉及集成电路器件，并且特别地涉及一种用于集成电路器件的封装件，封装件包括在外部电气端子之间的外围封装侧壁中形成的v形凹槽爬电结构，以在这些外部电气端子之间确保足够的爬电距离。


背景技术：

2.参考图1和图2。功率集成电路器件10通常包括提供功率元件(或功能)的第一集成电路芯片12和提供控制元件(或功能)的第二集成电路芯片14。用于功率集成电路器件10的引线框架16包括第一集成电路芯片12所安装到的第一裸片焊盘18以及包括第二集成电路芯片14所安装到的第二裸片焊盘20。第一引线集合22a-22n远离第一裸片焊盘18延伸，并且第二引线集合24a-24p远离第二裸片焊盘20延伸。第一集成电路芯片12的第一焊盘集合由键合线26电连接到第一引线集合22a-22n的近端，并且第二集成电路芯片14的第一焊盘集合由键合线26电连接到第二引线集合24a-24p的近端。第一集成电路芯片12的第二焊盘集合由键合线26电连接到第二集成电路芯片14的第二焊盘集合。通常由树脂材料制成的封装件30包封第一集成电路芯片12和第二集成电路芯片14、引线框架16和键合线26。封装件30在俯视图中具有由外围封装侧壁32限定的正方形或矩形形状的周界。在所示的实施例中，引线22和24的远端从相对的外围封装侧壁32a和32b向外延伸。相对的外围封装侧壁32c和32d垂直于相对的外围封装侧壁32a和32b延伸，并且分别接合相对的外围封装侧壁32a和32b。
3.随着功率集成电路器件10的尺寸继续变小，尤其是在占用面积方面，第一引线集合22a-22n中的引线的远端与第二引线集合24a-24p中的引线的末端之间的距离变得更短。这增加了电弧可能沿着外围封装侧壁的相对侧32c和32d之一(例如，在引线22n与引线24a之间)形成的风险，因为爬电距离cd已经被缩短。本领域需要解决这个问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本实用新型旨在提供一种集成电路器件，其提供足够的爬电距离。
5.根据本公开的一个或多个方面，提供了一种集成电路器件，其包括：封装件，其包封引线框架和至少一个集成电路芯片，其中至少一个集成电路芯片被安装到引线框架的裸片焊盘，引线框架还包括多个引线；其中封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中多个引线的第一集合沿着第一侧壁延伸，并且多个引线的第二集合沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括v形凹部。
6.在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的每个侧壁包括v形凹部。
7.在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括：第一侧壁部分；第二侧壁部分，在第一外部拐角处与第一侧壁部分接合；第三侧壁部分，在内部拐角
处与第二侧壁部分接合；以及第四侧壁部分，在第二外部拐角处与第三侧壁部分接合。
8.在一个或多个实施例中，第二侧壁部分和第三侧壁部分限定v形凹部。
9.在一个或多个实施例中，第一外部拐角由第一侧壁部分与第二侧壁部分之间的外部角度α限定，并且其中第二外部拐角由第三侧壁部分与第四侧壁部分之间的外部角度α限定。
10.在一个或多个实施例中，外部角度α设定v形凹部的宽度。
11.在一个或多个实施例中，外部角度α设定v形凹部的深度。
12.在一个或多个实施例中，内部拐角由第二侧壁部分与第三侧壁部分之间的内部角度β限定。
13.在一个或多个实施例中，外部角度α设定v形凹部的宽度。
14.在一个或多个实施例中，外部角度α设定v形凹部的深度。
15.在一个或多个实施例中，第一侧壁部分从第一侧壁垂直延伸，并且第四侧壁部分从第二侧壁垂直延伸。
16.在一个或多个实施例中，v形凹部在第一外部拐角与第二外部拐角之间具有在0.35*l至0.55*l之间的宽度，其中l是第三侧壁或第四侧壁的长度。
17.在一个或多个实施例中，v形凹部距第三侧壁或第四侧壁的平面具有在0.15*l至0.30*l之间的深度，其中l是第三侧壁或第四侧壁的长度。
18.在一个或多个实施例中，封装件具有厚度，并且其中v形凹部完全延伸穿过厚度。
19.根据本公开的一个或多个方面，提供了一种集成电路器件，其包括：封装件，其包封引线框架、第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，其中第一集成电路芯片被安装到引线框架的第一裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第一多个引线，其中第二集成电路芯片被安装到引线框架的第二裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第二多个引线；其中封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中第一多个引线沿着第一侧壁延伸，并且第二多个引线沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括v形凹部。
20.在一个或多个实施例中，第一集成电路芯片和第二集成电路芯片彼此电连接。
21.在一个或多个实施例中，第一集成电路芯片是功率芯片，并且第二集成电路芯片是控制芯片，控制芯片被配置成控制功率芯片的操作。
22.在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的每个侧壁包括v形凹部。
23.在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括：第一侧壁部分；第二侧壁部分，在第一外部拐角处与第一侧壁部分接合；第三侧壁部分，在内部拐角处与第二侧壁部分接合；以及第四侧壁部分，在第二外部拐角处与第三侧壁部分接合。
24.在一个或多个实施例中，第二侧壁部分和第三侧壁部分限定v形凹部。
25.在一个或多个实施例中，第一外部拐角150由第一侧壁部分与第二侧壁部分之间的外部角度α限定，并且其中第二外部拐角由第三侧壁部分与第四侧壁部分之间的外部角度α限定。
26.在一个或多个实施例中，内部拐角由第二侧壁部分与第三侧壁部分之间的内部角度β限定。
27.在一个或多个实施例中，第一侧壁部分从第一侧壁垂直延伸，并且第四侧壁部分从第二侧壁垂直延伸。
28.在一个或多个实施例中，v形凹部在第一外部拐角与第二外部拐角之间具有在0.35*l至0.55*l之间的宽度，其中l是第三侧壁或第四侧壁的长度。
29.在一个或多个实施例中，v形凹部距第三侧壁或第四侧壁的平面具有在0.15*l至0.30*l之间的深度，其中l是第三侧壁或第四侧壁的长度。
30.在一个或多个实施例中，封装件具有厚度，并且其中v形凹部完全延伸穿过厚度。
31.通过使用根据本公开的实施例，可以至少解决前述问题的至少一部分，并实现相应的效果，例如在集成电路器件尺寸变小的同时，保证足够的爬电距离。
附图说明
32.为了更好地理解实施例，现在将仅通过示例的方式参考附图，其中：
33.图1和图2分别是功率集成电路器件的示意性俯视图和透视图；以及
34.图3和图4分别是包括v形凹槽爬电结构功率集成电路器件的示意性俯视图和透视图，v形凹槽爬电结构形成在外围封装侧壁中。
具体实施方式
35.在一个实施例中，一种集成电路器件包括：封装件，其包封引线框架和至少一个集成电路芯片，其中至少一个集成电路芯片被安装到引线框架的裸片焊盘，所述引线框架还包括多个引线；其中封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中多个引线的第一集合沿着第一侧壁延伸，并且多个引线的第二集合沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括v形凹部。
36.在一个实施例中，集成电路器件包括：封装件，其包封引线框架、第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，其中第一集成电路芯片被安装到引线框架的第一裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第一多个引线，其中第二集成电路芯片被安装到引线框架的第二裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第二多个引线；其中封装在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中第一多个引线沿着第一侧壁延伸，并且第二多个引线沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括v形凹部。
37.参考图3和图4。功率集成电路器件110包括提供功率元件(功能)的第一集成电路芯片112和提供控制元件(功能)的第二集成电路芯片114。用于功率集成电路器件110的引线框架116包括第一集成电路芯片112所安装到的第一裸片焊盘118以及包括第二集成电路芯片114所安装到的第二裸片焊盘120。第一引线集合122a-122n远离第一裸片焊盘118延伸，并且第二引线集合124a-124p远离第二裸片焊盘120延伸。第一集成电路芯片112的第一焊盘集合由键合线126电连接到第一引线集合122a-122n的近端，并且第二集成电路芯片114的第一焊盘集合由键合线126电连接到第二引线集合124a-124p的近端。第一集成电路芯片112的第二焊盘集合由键合线126电连接到第二集成电路芯片114的第二焊盘集合。
38.通常由树脂材料制成的封装件130包封第一集成电路芯片112和第二集成电路芯
片114、引线框架116和键合线126。封装130在俯视图中具有由外围封装侧壁132限定的正方形或矩形形状的周界。在所示的实施例中，引线122和124的远端从相对的外围封装侧壁132a和132b向外延伸。相对的外围封装侧壁132c和132d分别接合相对的外围封装侧壁132a和132b。相对的外围封装侧壁132c和132d与图1和图2的相对的外围封装侧壁32c和32d的不同之处在于，每个外围封装侧壁132c和132d包括v形凹部140，v形凹部140跨封装件130顶表面于底表面之间的整个厚度t被提供。外围封装侧壁132c和132d中的每个外围封装侧壁由第一侧壁部分142、在外部拐角150处接合到第一侧壁部分142的第二侧壁部分144、在内部拐角152处接合到第二侧壁部分144的第三侧壁部分146，以及在外部拐角154处接合到第三侧壁部分146的第四侧壁部分148限定。外部拐角150由第一侧壁部分142与第二侧壁部分144之间的外部角度α限定。内部拐角152由第二侧壁部分144与第三侧壁部分146之间的内部角度β限定。外部拐角154由第三侧壁部分146与第四侧壁部分148之间的外部角度α限定。第一侧壁部分142从外围封装侧壁132a垂直延伸，并且第四侧壁部分148从外围封装侧壁132b垂直延伸。
39.在外围封装侧壁132c和132d中的每个外围封装侧壁中的v形凹部140的存在提供了比图1和图2中所示的实施例中存在的爬电距离长的爬电距离cd。提供控制元件的第二集成电路芯片114可以暴露于相对较低的电压(例如，小于或等于24v)，而提供功率元件的第一集成电路芯片112可以暴露于相对较高的电压(例如，大约4000v)。在封装130的外表面处的最小爬电距离需要在两个集成电路芯片之间(特别地，在用于第一集成电路芯片112的引线122中的一个引线和用于第二集成电路芯片114的引线124中的一个引线之间)具有足够的电绝缘。在外围封装侧壁132c和132d中使用v形凹部140的情况下，封装130可以占据更小的面积，同时仍然满足最小爬电距离要求。
40.对在相对的外围封装侧壁132c和132d上具有v形凹部140的130的提供是通过使用公知的传递模制技术来实现的，但是其中模制腔被形成以限定凹部。此外，引线框架116以使得引线122或124被路由以不延伸到将存在v形凹部140的区域中的方式被设计。这例如通过形成或成形从裸片焊盘118和120延伸的、具有弯曲以避免v形凹部140的区域的外引线来被实现。
41.在优选的实施方式中，由第二侧壁部分144和第三侧壁部分146形成的v形凹部140具有在外部拐角150与154之间限定的宽度w，宽度w在0.35*l和0.55*l之间，其中l是外围封装侧壁132c、132d的长度。宽度w至少部分地通过对角度α和/或β的选择来被设定。
42.在优选的实施方式中，由第二侧壁部分144和第三侧壁部分146形成的v形凹部140从由第一侧壁部分142和第四侧壁部分148限定的平面到拐角152具有深度d，深度d在0.15*l和0.30*l之间。深度d至少部分地通过对角度α和/或β的选择来被设定。
43.在优选的实施方式中，v形凹部140的内部拐角152基本定位在相对的外围封装侧壁132a与132b之间的中间。然而，这不是必需的，并且v形凹部140的定位通常由引线框架116的相对形状和配置驱动。图3中所示的示例引线框架116是对称的，并且通常是镜像的，但是这不是必需的。在引线框架116的形状和配置不对称的情况下，v形凹部140可以替代地沿着外围封装侧壁、更靠近相对的外围封装侧壁132a和132b中的一个或另一个被定位。
44.在一个实施例中，集成电路器件110可以替代地包括单个集成电路芯片，该单个集成电路芯片被安装到引线框架116的单个裸片焊盘，并且电连接到第一引线集合122a-122n
和第二引线集合124a-124p。
45.虽然已经在附图和前述描述中详细图示和描述了本实用新型，但是这种图示和描述被认为是说明性或示例性的而不是限制性的；本实用新型不限于所公开的实施例。通过研究附图、公开内容和所附权利要求，本领域技术人员在实践要求保护的实用新型时，可以理解和实现对所公开的实施例的其他变化。