技术特征：
1.一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：s1、将光刻胶均匀涂在原始晶片的刻蚀面上，形成第一光刻胶层；s2、将第一掩膜版置于光刻机中，并通过光刻工艺将第一掩膜版上能够透光的图案印在原始晶片刻蚀面的第一光刻胶层上；所述第一掩膜版包括第一透明基板(1)以及覆盖于第一透明基板(1)表面的第一光刻掩膜层(2)，第一光刻掩膜层(2)中具有由第一正六边形图案单元拼接成的第一蜂窝状图案，且每个第一正六边形图案单元中，六条侧边线处为第一光透性类型线条，六条侧边线围合区域均为第二光透性类型区域；任意两个相邻的第一正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第一正六边形图案单元贴近的两条平行第一光透性类型线条之间具有一条第二光透性类型线条；所述第一光透性类型为透光和不透光中的一种，所述第二光透性类型为另一种；s3、利用显影液对s2中光刻处理后的第一光刻胶层进行处理，去除所有第一光透性类型所映射位置的光刻胶，再采用定影液将含有光刻胶杂质的显影液洗去，烘干；s4、通过干法刻蚀或湿法刻蚀对经过s3处理后的晶片进行刻蚀，使第一图案化晶片的刻蚀面上没有覆盖光刻胶的区域均形成刻蚀槽，六边形的刻蚀槽之间围合形成六边形的芯片台面，任意相邻的两个芯片台面之间均具有两条间隔的刻蚀槽，两条刻蚀槽之间由一条线条形的切割面分隔；完成刻蚀后，用剥离液去除晶片表面的光刻胶；s5、使用刀刮法在s4处理后的晶片表面的刻蚀槽内填入玻璃粉末，烧结后在晶片表面以及刻蚀槽中形成玻璃钝化保护；s6、再次将光刻胶均匀涂在s5处理后的晶片的刻蚀面上，形成第二光刻胶层；s7、将第二掩膜版置于光刻机中，并通过套刻工艺将第二掩膜版上能够透光的图案印在晶片刻蚀面的第二光刻胶层上；所述第二掩膜版包括第二透明基板(3)以及覆盖于第二透明基板(3)表面的第二光刻掩膜层(4)，所述第二光刻掩膜层(4)中具有由第二正六边形图案单元拼接成的第二蜂窝状图案，且每个第二正六边形图案单元中，六条侧边线处为第二光透性类型线条，六条侧边线围合区域均为第一光透性类型区域；任意两个相邻的第二正六边形图案单元之间保持间隔，使两个第二正六边形图案单元贴近的两条平行第二光透性类型线条之间具有一条第一光透性类型线条；且套刻时所述第二蜂窝状图案中的第二正六边形图案单元与所述第一蜂窝状图案中的第一正六边形图案单元在晶片上的映射区域一一对应重叠，满足套刻要求；s8、利用显影液对s7中套刻处理后的第二光刻胶层进行处理，去除所有第一光透性类型所映射位置的光刻胶，再采用定影液将含有光刻胶杂质的显影液洗去，烘干；s9、利用缓冲氧化物刻蚀液对s8处理后的晶片表面进行刻蚀，去除所述芯片台面以及所述切割面上覆盖的玻璃层，露出所述芯片台面以及所述切割面；s10、将s9处理后的晶片置于蒸发台中，对晶片的两个表面均进行表面金属化，然后利用激光切割设备沿刻蚀面上的所述切割面进行激光切割，形成六边形的gpp二极管芯片颗粒。2.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述第一光透性类型为不透光，所述第二光透性类型为透光，所述光刻胶为负胶，所述显影液为能去除未被曝光的光刻胶的负性显影液。
3.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述第一光透性类型为透光，所述第二光透性类型为不透光，所述光刻胶为正胶，所述显影液为能去除被曝光的光刻胶的正性显影液。4.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述原始晶片在涂覆光刻胶之前预先经过清洗并烘干。5.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的厚度为1.5～1.7μm。6.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述干法刻蚀采用等离子体进行薄膜刻蚀。7.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述湿法刻蚀采用硝酸和氢氟酸的混合刻蚀液对晶片表面进行腐蚀。8.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述缓冲氧化物刻蚀液为含有氟化铵和氢氟酸的刻蚀液。9.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述切割面的线条宽度为4～5mil。10.如权利要求1所述的采用蜂窝状光刻版和刀刮法的gpp二极管芯片生产工艺，其特征在于，所述激光切割设备在对所述切割面进行激光切割时沿其中线进行切割，使切割面被切割后左右对称。
技术总结
本发明公开了一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺，涉及半导体器件的制造。本发明相比基于传统图形掩膜版的刀刮法工艺而言，通过采用第一掩膜版和第二掩膜版组成的新型六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，并将其应用于GPP玻璃封装刀刮工艺中，从而只需要一台曝光机就可以完成一次曝光及二次套刻曝光，减少了双面曝光机这台设备，同时本发明也相应省去了价格昂贵的背面光刻版和背面刻蚀所需耗材。而且，由于本发明二次套刻后晶片的刻蚀面拥有正面切割道，因此芯片可以直接采用激光进行高速切割，并且直接得到完整的芯粒，不需要增加人工裂片的环节，具有极高的生产效率和成本优势。产效率和成本优势。产效率和成本优势。
技术研发人员：虞旭俊 金家斌 王俊 贺鸿浩 朱燕飞 毛建军 任亮
受保护的技术使用者：杭州赛晶电子有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/4/29