显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置。


背景技术：

2.随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置用于各种电子装置中，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视。显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置。在平板显示装置中的发光显示装置中，显示面板的每个像素包括自身可以发射光的发光元件。因此，发光显示装置可以在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像。
3.当显示装置制造成具有大尺寸时，发光元件的缺陷率可能由于像素的数量的增加而增加，并且生产率或可靠性可能降低。因此，可通过将相对小的多个显示装置(例如，具有比大尺寸显示装置更低数量的像素的显示装置)相连接来实现拼接显示装置以提供大屏幕。拼接显示装置可包括在彼此相邻的显示装置之间的接缝。当在整个屏幕上显示一个图像时，显示装置之间的接缝可在观看整个屏幕时产生分离感，从而降低图像中的沉浸度。


技术实现要素：

4.本公开的一些实施方式的方面涉及一种显示装置，该显示装置可通过防止或基本上防止拼接显示装置中彼此相邻的显示装置之间的接缝被识别来消除或减少相邻的显示装置之间的分离感，并且改善图像中的沉浸度。
5.本公开的一些实施方式的方面涉及一种拼接显示装置，该拼接显示装置可通过防止或基本上防止彼此相邻的显示装置之间的接缝被识别来消除或减少相邻的显示装置之间的分离感，并且改善图像中的沉浸度。
6.然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。
7.根据本公开的一些实施方式，显示装置包括第一衬底、在第一衬底上的第一电力底线、在第一电力底线上的第二衬底、以及像素驱动单元，其中，第二衬底具有第一电力连接孔以暴露第一电力底线，像素驱动单元包括在第二衬底上的多个开关元件。
8.第一电力连接孔可在第二衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
9.第一衬底可具有第一电力焊盘孔以暴露第一电力底线。
10.显示装置还可包括电路板和导电粘合剂，其中，电路板包括通过第一电力焊盘孔电连接到第一电力底线的凸起，导电粘合剂在第一电力底线与凸起之间。
11.显示装置还可包括在第一衬底之下的散热层，散热层包括金属材料。
12.散热层可在电路板上或在其中设置有电路板的区域中设置在电路板之下。
13.第一电源电压可被施加到第一电力底线。
14.显示装置还可包括第二衬底上的第一电力线，第一电力线电连接到第一电力底线。
15.显示装置还可包括从第一电力线突出的第一电力连接单元，第一电力连接单元通过第一电力连接孔连接到第一电力底线。
16.显示装置还可包括在第二衬底的厚度方向上与第一电力线重叠的第一电力连接电极，第一电力连接电极通过第一电力接触孔连接到第一电力线。
17.显示装置还可包括从第一电力连接电极突出的第一电力连接单元，第一电力连接单元通过第一电力连接孔连接到第一电力底线。
18.显示装置还可包括在第一方向上延伸的扫描线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的竖直扫描线，竖直扫描线通过扫描接触孔连接到扫描线。第一电力连接单元可在第二衬底的厚度方向上与竖直扫描线重叠。
19.显示装置还可包括在第二衬底的厚度方向上与第一电力线和第一电力连接电极重叠的第二电力连接电极，第二电力连接电极通过第二电力接触孔连接到第一电力线。
20.显示装置还可包括从第二电力连接电极突出的第一电力连接单元，第一电力连接单元通过第一电力连接孔连接到第一电力底线。
21.显示装置还可包括在第一方向上延伸的扫描线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的竖直扫描线，竖直扫描线通过扫描接触孔连接到扫描线。第一电力连接单元可在第二衬底的厚度方向上与竖直扫描线重叠。
22.显示装置还可包括第一衬底上的第二电力底线，并且与第一电源电压不同的第二电源电压可被施加到第二电力底线。
23.第二衬底可具有第二电力连接孔以暴露第二电力底线。
24.第二电力连接孔可在第二衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
25.第一衬底可具有第二电力焊盘孔以暴露第二电力底线。
26.显示装置还可包括在第二衬底上的第二电力线以及在第二衬底的厚度方向上与第二电力线重叠的第三电力连接电极，其中，第二电力线电连接到第二电力底线，第三电力连接电极通过第三电力接触孔连接到第二电力线。
27.显示装置还可包括从第三电力连接电极突出的第二电力连接单元，第二电力连接单元通过第二电力连接孔连接到第二电力底线。
28.显示装置还可包括在第一方向上延伸的扫描线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的竖直扫描线，竖直扫描线通过扫描接触孔连接到扫描线。第二电力连接单元在第二衬底的厚度方向上与竖直扫描线重叠。
29.显示装置还可包括：在像素驱动单元上的发光单元，发光单元配置为发射光；在发光单元上的波长转换层，波长转换层配置为转换从发光单元发射的光的波长；在波长转换层上的滤色器层，滤色器层配置为透射具有一定范围内的波长的光；以及在滤色器层上的抗反射层。
30.抗反射层可包括第一无机层、第二无机层和有机层，第一无机层和第二无机层包括彼此不同的材料。
31.显示装置还可包括在抗反射层上的外涂层和在外涂层上的窗。
32.显示装置还可包括在第一衬底上的数据底线，并且数据电压可被施加到数据底
线。
33.第二衬底可具有第一数据连接孔以暴露数据底线。
34.第一数据连接孔可在第二衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
35.第一衬底可具有数据焊盘孔以暴露数据底线。
36.显示装置还可包括通过第一数据连接孔连接到数据底线的数据连接单元。
37.显示装置还可包括在第二衬底上的数据线，数据线通过数据连接单元电连接到数据底线。
38.数据连接单元可在第二衬底的厚度方向上与第一电力线重叠。
39.显示装置还可包括在第一方向上延伸的扫描线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的竖直扫描线，竖直扫描线通过扫描接触孔连接到扫描线。数据连接单元可在第二衬底的厚度方向上与竖直扫描线重叠。
40.根据本公开的一些实施方式，显示装置包括第一衬底、在第一衬底上的第二衬底、在第二衬底上的导电底线、设置在导电底线上的第一阻挡层、以及像素驱动单元，其中，第一阻挡层具有导电连接孔以暴露导电底线，像素驱动单元包括在第一阻挡层上的多个开关元件。
41.导电连接孔可在第二衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
42.第一衬底和第二衬底具有导电焊盘孔以暴露导电底线。
43.显示装置还可包括在第二衬底上的第二阻挡层，第二阻挡层在导电底线之下。
44.根据本公开的一些实施方式，拼接显示装置包括多个显示装置和在显示装置之间的联接区域。显示装置中的每个包括衬底、像素驱动单元、第一电力底线、第一电力线以及第一电力连接单元，其中，像素驱动单元包括在衬底的表面上的多个开关元件，第一电力底线在衬底的表面上，并且第一电源电压可被施加到第一电力底线，第一电力线在衬底的表面或者衬底的另一表面上，第一电力线电连接到第一电力底线，第一电力连接单元从第一电力线突出，第一电力连接单元通过第一电力连接孔连接到第一电力底线。第一电力连接孔在衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
45.拼接显示装置还可包括第二电力底线、第二电力线和第二电力连接单元，其中，第二电力底线在衬底的表面上，并且与第一电源电压不同的第二电源电压可被施加到第二电力底线，第二电力线在衬底的表面或衬底的另一表面上，第二电力线电连接到第二电力底线，第二电力连接单元从第二电力线突出，第二电力连接单元通过第二电力连接孔连接到第二电力底线。第二电力连接孔在衬底的厚度方向上不与像素驱动单元重叠。
46.本公开的一些实施方式的方面涉及显示装置和包括该显示装置的拼接型显示装置，其中，扫描电路板和源极电路板在显示装置的后表面上通过连接孔连接到电力线、扫描线和数据线。因此，扫描电路板和源极电路板可不设置在显示装置的前表面和/或侧表面上。因此，在拼接型显示装置中，因为可最小化或减小设置在多个显示装置之间的联接区域的宽度，所以能够防止或基本上防止联接区域被用户识别。因此，能够去除或减少多个显示装置之间的断开感，并改善图像中的沉浸度。
47.本公开的一些实施方式的方面涉及显示装置和包括该显示装置的拼接型显示装置，其中，导电连接孔在第三方向(例如，z轴方向或厚度方向)上不与像素驱动单元重叠。此外，导电连接孔可在第三方向(例如，z轴方向)上不与导电线重叠。因此，能够防止或减少像
素驱动单元的开关元件与导电线之间由于导电连接孔的台阶差。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板时施加的压力而在像素驱动单元的开关元件和导电线中出现裂纹。
附图说明
48.通过参考附图描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它实施方式和特征将变得更加显而易见，在附图中：
49.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的拼接显示装置的平面图；
50.图2是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的平面图；
51.图3a和图3b是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的仰视图；
52.图4是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；
53.图5是图4的子像素的示例的电路图；
54.图6是示出图4的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第一电力连接孔和第一电力焊盘孔的示例的布局图；
55.图7是图6的第一子像素驱动单元的详细布局图；
56.图8是图6的第二子像素驱动单元的详细布局图；
57.图9是图6的第三子像素驱动单元的详细布局图；
58.图10是沿着图6的线a-a'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
59.图11是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
60.图12是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
61.图13是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
62.图14是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
63.图15是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
64.图16是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
65.图17是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
66.图18是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
67.图19是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
68.图20是示出图4的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第一电力连接孔和第一电力焊盘孔的示例的布局图；
69.图21是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
70.图22是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
71.图23是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
72.图24是示出图4的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第一电力连接孔和第一电力焊盘孔的示例的布局图；
73.图25是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
74.图26是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
75.图27是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
76.图28是示出图4的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第二电力连接孔和第二电力焊盘孔的示例的布局图；
77.图29是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
78.图30是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
79.图31是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
80.图32是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；
81.图33是示出图32的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、数据连接孔和数据焊盘孔的示例的布局图；
82.图34是沿着图33的线g-g'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
83.图35是示出图32的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、数据连接孔和数据焊盘孔的示例的布局图；
84.图36是沿着图35的线h-h'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
85.图37是示出图32的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、感测连接孔和感测焊盘孔的示例的布局图；
86.图38是沿着图37的线i-i'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
87.图39是示出图32的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、感测连接孔和感测焊盘孔的示例的布局图；
88.图40是沿着图39的线j-j'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
89.图41是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；
90.图42是示出图41的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、扫描连接孔和扫描焊盘孔的示例的布局图；
91.图43是沿着图42的线k-k'截取的第一显示装置的示例的剖视图；
92.图44是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的平面图；
93.图45是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的仰视图；
94.图46是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；
95.图47是示出图46的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第一电力连接孔和第一电力焊盘孔的示例的布局图；
96.图48是示出图46的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第一电力连接孔和第一电力焊盘孔的示例的布局图；
97.图49是示出图46的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、第二电力连接孔和第二电力焊盘孔的示例的布局图；
98.图50是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；
99.图51是示出图50的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、数据连接孔和数据焊盘孔的示例的布局图；
100.图52是示出图50的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、数据连接孔和数据焊盘孔的示例的布局图；
101.图53是示出图50的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动
单元、感测连接孔和感测焊盘孔的示例的布局图；
102.图54是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置的子像素的布局图；以及
103.图55是示出图54的第一子像素驱动单元、第二子像素驱动单元、第三子像素驱动单元、扫描连接孔和扫描焊盘孔的示例的布局图。
具体实施方式
104.通过参考实施方式的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施方式的方面以及实现本公开的一些实施方式的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。然而，所描述的实施方式可以以各种不同的形式实现，并且不应被解释为仅限于本文中所示的实施方式。确切地说，提供这些实施方式作为示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将本公开的方面完全传达给本领域中技术人员。因此，可以不描述对于本领域中普通技术人员完全理解本公开的各方面不是必需的工艺、元件和技术。
105.除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，相同的参考标记、字符或其组合表示相同的元件，并且因此，可以不重复对其的描述。此外，与一些实施方式的描述无关的部分可以未示出以使描述清楚。
106.在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，在附图中通常提供交叉阴影线和/或阴影的使用来澄清相邻的元件之间的边界。因此，存在或不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求，除非有说明。
107.本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施方式。这样，将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变型。此外，本文中公开的特定结构或功能描述仅出于描述根据本公开的构思的实施方式的目的而进行说明。因此，本文中公开的实施方式不应被解释为限于区域的特定示出的形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。
108.例如，示出为矩形的植入区将通常在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或注入浓度的梯度，而不是从植入区到非植入区的二元变化。同样，通过植入形成的掩埋区可以导致在掩埋区和通过其进行植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，附图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域中技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改，所有这些都不背离本公开的精神和范围。
109.在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地使各种实施方式模糊。
110.为了便于解释，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、“上”等的空间相关术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系。将理解的是，除了在图中描绘的定向之外，空间相关术语旨在还包括装置在使用中或操作中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下
面”或“之下”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包括上方和下方的定向两者。装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且应当相应地解释本文中使用的空间相关描述语。类似地，当第一部分被描述为布置在第二部分“上”时，这表示第一部分基于重力方向布置在第二部分的上侧或下侧处，而不是限于其上侧。
111.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观察目标部分，以及短语“在剖面上”是指从侧面观察通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
112.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件、层、区域或组件时，其可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或联接到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或联接到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或多个居间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电联接”到另一层、区域或组件时，其可以直接电连接或联接到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接联接”是指在没有中间组件的情况下一个组件直接连接或联接另一组件。同时，描述组件之间的关系的其它表述，诸如“在
…
之间”、“直接在
…
之间”或“与
…
相邻”和“直接与
…
相邻”可以类似地解释。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
113.出于本公开的目的，当诸如“中的至少一个”的表述在元件列表之前时，修饰整个元件列表，而不是修饰列表中的单独元件。例如，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以解释为仅x、仅y、仅z、x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz、或其任何变型。类似地，诸如“a和b中的至少一个”的表述可以包括a、b、或a和b。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b、或a和b。
114.将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
115.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。换言之，x轴、y轴和z轴可以彼此交叉。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
116.本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而不是旨在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一个”和“一种”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(include)”和“包括(including)”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
117.如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域中普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值，并且是指在如本领域中普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以是指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、20％、10％、5％内。此外，当描述本公开的实施方式时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
118.当一个或多个实施方式可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
119.此外，本文中公开的和/或所述的任何数值范围旨在包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所述最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值1.0和所述最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如例如2.4至7.6。本文中所述的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述包含在本文中明确叙述的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在于本说明书中固有地描述，使得修改以明确地叙述任何这样的子范围将落在本公开的范围内。
120.根据本文中描述的本公开的实施方式的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或者在单独的ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载体封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个衬底上。
121.此外，这些装置的各种组件可以是进程或线程，该进程或线程在一个或多个计算装置中在一个或多个处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用诸如例如随机存取存储器(ram)的标准存储器装置在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如例如cd-rom、闪存驱动器等。此外，本领域中技术人员应当认识到，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或多个其他计算装置上，而不背离本公开的一些实施方式的精神和范围。
122.除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术和/或本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
123.图1是根据本公开的一个或多个实施方式的拼接显示装置td的平面图。
124.参考图1，拼接显示装置td可包括多个显示装置11、12、13和14。例如，拼接显示装
置td可包括第一显示装置11、第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14。
125.显示装置11、12、13和14可布置成栅格形状。例如，第一显示装置11和第二显示装置12可设置在第一方向(例如，x轴方向)上或沿着第一方向(例如，x轴方向)设置。第一显示装置11和第三显示装置13可设置在第二方向(例如，y轴方向)上或沿着第二方向(例如，y轴方向)设置。第三显示装置13和第四显示装置14可设置在第一方向(例如，x轴方向)上或沿着第一方向(例如，x轴方向)设置。第二显示装置12和第四显示装置14可设置在第二方向(例如，y轴方向)上或沿着第二方向(例如，y轴方向)设置。
126.在拼接显示装置td中，显示装置11、12、13和14的数量和布置不限于图1中所示的数量和布置。在拼接显示装置td中，显示装置11、12、13和14的数量和布置可由拼接显示装置td的显示装置11、12、13和14中的每个的尺寸和拼接显示装置td的形状以及分辨率来确定。
127.显示装置11、12、13和14可具有相同的尺寸，但是本公开不限于此。例如，显示装置11、12、13和14也可具有彼此不同的尺寸。
128.显示装置11、12、13和14中的每个的形状可形成为类似于包括长侧和短侧的矩形。显示装置11、12、13和14的长侧或短侧可彼此连接。显示装置11、12、13和14中的一些或全部可设置在拼接显示装置td的边缘处，以形成拼接显示装置td的侧。显示装置11、12、13和14中的至少一个可设置在拼接显示装置td的至少一个角处，并且可形成拼接显示装置td的两个相邻侧。显示装置11、12、13和14中的至少一个可围绕其它显示装置(例如，被其它显示装置环绕)。
129.拼接显示装置td的整体形状可以是平面形状，但是本公开不限于此。拼接显示装置td还可具有三维(3d)形状以向用户提供3d效果。例如，当拼接显示装置td具有3d形状时，显示装置11、12、13和14中的至少一个可具有曲面形状。替代地，显示装置11、12、13和14可各自具有平面形状，但是可以以一角度(例如，预定角度)彼此连接，使得拼接显示装置td可具有3d形状。
130.拼接显示装置td可包括设置在显示装置11、12、13和14之间的联接区域sm。例如，联接区域sm可设置在第一显示装置11与第二显示装置12之间、第一显示装置11与第三显示装置13之间、第二显示装置12与第四显示装置14之间、以及第三显示装置13与第四显示装置14之间。显示装置11、12、13和14可通过设置在联接区域sm中的联接构件或粘合构件彼此连接。
131.联接区域sm的宽度可非常小，以防止或基本上防止联接区域sm被用户识别。例如，联接区域sm可以由于由显示装置11、12、13和14显示的图像而不被识别。
132.此外，显示装置11、12、13和14中的每个的外部光反射率和联接区域sm的外部光反射率可基本上相等。因此，拼接显示装置td可通过防止或基本上防止显示装置11、12、13和14之间的联接区域sm被用户识别来消除或减少显示装置11、12、13和14之间的分离感，并且改善图像中的沉浸度。
133.图2是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的平面图。
134.参考图2，根据一个或多个实施方式的第一显示装置11可包括显示区域da，该显示区域da可包括第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3。第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3可设置在第一方向(例如，x轴方向)上或沿着第一方
向(例如，x轴方向)设置。第一显示区域da1可设置在最左侧上，第三显示区域da3可设置在最右侧上，并且第二显示区域da2可设置在第一显示区域da1与第三显示区域da3之间。第一显示区域da1可限定为其中数据线dl连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)的区域。第二显示区域da2可限定为其中数据线dl连接到第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)的区域。第三显示区域da3可限定为其中数据线dl连接到第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)的区域。
135.根据一个或多个实施方式的第一显示装置11包括扫描线sl和数据线dl。
136.扫描线sl可在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可设置在第二方向(例如，y轴方向)上或沿着第二方向(例如，y轴方向)设置。扫描线sl的每个可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3中。扫描线sl中的每个可通过在第一显示装置11的侧(例如，左侧)上的对应的扫描连接孔sch连接到对应的扫描底线sbl(例如，参见图3b)。即，扫描线sl可与扫描连接孔sch一一对应。
137.尽管扫描连接孔sch在图2中设置在第一显示装置11的侧(例如，左侧)上，但是本公开不限于此。此外，尽管扫描连接孔sch在图2中设置在第一显示区域da1中，但是本公开不限于此。扫描连接孔sch可穿透第一显示装置11的衬底。在这种情况下，为了防止或基本上防止由扫描连接孔sch在第一显示装置11的衬底中产生裂纹，彼此相邻的扫描连接孔sch可在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上不重叠。
138.数据线dl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可设置在第一方向(例如，x轴方向)上或沿着第一方向(例如，x轴方向)设置。数据线dl可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3中。数据线dl中的每个可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3中的任一个中。数据线dl中的每个可通过在第一显示装置11的侧(例如，下侧)上的对应的数据连接孔dch连接到对应的数据底线dbl(例如，参见图3a)。即，数据线dl可与数据连接孔dch一一对应。
139.尽管数据连接孔dch设置在第一显示装置11的侧(例如，下侧)上，但是本公开不限于此。数据连接孔dch可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3中。数据连接孔dch可穿透第一显示装置11的衬底。在这种情况下，为了防止或基本上防止由数据连接孔dch在第一显示装置11的衬底中产生裂纹，彼此相邻的数据连接孔dch可在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上不重叠。
140.第一显示装置11不包括设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3外部的非显示区域。因此，能够防止或基本上防止图1中所示的联接区域sm被用户识别。
141.此外，尽管为了便于描述在图2中未示出，但是第一显示装置11可包括第一电力线vsl(例如，参见图4)和第二电力线vdl(例如，参见图4)。第一电力线vsl(例如，参见图4)和第二电力线vdl(例如，参见图4)可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和第三显示区域da3中。
142.图3a和图3b是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的仰视图。在图3a中，为了便于描述，示出了数据底线dbl、数据连接孔dch、数据焊盘孔dph、第一电力底线vsbl、第一电力连接孔pch1、第一电力焊盘孔pph1、第二电力底线vdbl、第二电力连接孔pch2、第二电力焊盘孔pph2、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2、第三源极电路板
dcb3、第一源极驱动单元ddu1、第二源极驱动单元ddu2和第三源极驱动单元ddu3。在图3b中，为了便于描述，示出了扫描底线sbl、扫描连接孔sch、扫描焊盘孔sph、扫描电路板scb和扫描驱动单元sdu。
143.参考图3a和图3b，根据一个或多个实施方式的第一显示装置11包括扫描底线sbl、数据底线dbl、第一电力底线vsbl、第二电力底线vdbl、扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2、第三源极电路板dcb3、扫描驱动单元sdu、第一源极驱动单元ddu1、第二源极驱动单元ddu2和第三源极驱动单元ddu3。
144.扫描底线sbl中的每个可通过对应的扫描连接孔sch连接到对应的扫描线sl(例如，参见图2)。即，扫描底线sbl可与扫描连接孔sch一一对应。扫描底线sbl中的每个可通过对应的扫描焊盘孔sph连接到扫描电路板scb的凸起。即，扫描底线sbl可与扫描电路板scb的凸起一一对应。
145.因此，扫描线sl可通过扫描连接孔sch和扫描底线sbl连接(例如，电连接)到扫描电路板scb。因此，扫描电路板scb的扫描信号可通过扫描底线sbl和扫描连接孔sch传送到扫描线sl。
146.数据底线dbl中的每个可通过对应的数据连接孔dch连接到对应的数据线dl(例如，参见图2)。即，数据底线dbl可与数据连接孔dch一一对应。数据底线dbl中的每个可通过对应的数据焊盘孔dph连接到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3中的任一个的凸起。即，数据底线dbl可与第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3的凸起一一对应。
147.因此，数据线dl可通过数据连接孔dch和数据底线dbl连接(例如，电连接)到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3。因此，第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3的数据电压可通过数据底线dbl和数据连接孔dch施加到数据线dl。
148.第一电力底线vsbl中的每个可包括在第一方向(例如，x轴方向)上延伸的第一主干线stl1和从第一主干线stl1突出并在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的第一分支线brl1。第一分支线brl1中的任一个可通过对应的第一电力焊盘孔pph1连接到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3中的任一个的凸起。
149.第一电力底线vsbl中的每个可通过多个第一电力连接孔pch1连接(例如，电连接)到第一电力线vsl(例如，参见图4)。因此，第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3的第一电源电压可通过第一电力底线vsbl和第一电力连接孔pch1施加到第一电力线vsl(例如，参见图4)。
150.第一电力连接孔pch1可布置在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上。第一电力连接孔pch1可在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上以相等或不同的间隔布置。在第一方向(例如，x轴方向)上相邻的第一电力连接孔pch1之间的距离可与在第二方向(例如，y轴方向)上相邻的第一电力连接孔pch1之间的距离不同。
151.第二电力底线vdbl中的每个可包括在第一方向(例如，x轴方向)上延伸的第二主干线stl2和从第二主干线stl2突出并在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的第二分支线brl2。第二分支线brl2中的任一个可通过对应的第二电力焊盘孔pph2连接到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3中的任一个的凸起。
152.第二电力底线vdbl中的每个可通过多个第二电力连接孔pch2连接(例如，电连接)到第二电力线vdl(例如，参见图4)。因此，第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3的第二电源电压可通过第二电力底线vdbl和第二电力连接孔pch2施加到第二电力线vdl(例如，参见图4)。
153.第二电力连接孔pch2可布置在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上。第二电力连接孔pch2可在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上以相等或不同的间隔设置。在第一方向(例如，x轴方向)上相邻的第二电力连接孔pch2之间的距离可与在第二方向(例如，y轴方向)上相邻的第二电力连接孔pch2之间的距离不同。
154.扫描电路板scb可与第一显示装置11的左侧相邻设置，其中，扫描连接孔sch设置在第一显示装置11的左侧上。电路线可被图案化在扫描电路板scb上，并且扫描驱动单元sdu可安装在扫描电路板scb上。扫描驱动单元sdu可与第一显示区域da1重叠。扫描电路板scb可以是柔性膜、膜上芯片、例如柔性印刷电路板的印刷电路板。
155.扫描驱动单元sdu可根据扫描时序控制信号生成扫描信号。扫描驱动单元sdu可通过扫描底线sbl和扫描连接孔sch向扫描线sl输出扫描信号。扫描驱动单元sdu可以是集成电路。
156.第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3可与第一显示装置11的下侧相邻设置，其中，数据连接孔dch设置在第一显示装置11的下侧上。第一源极电路板dcb1可与第一显示区域da1重叠，第二源极电路板dcb2可与第二显示区域da2重叠，以及第三源极电路板dcb3可与第三显示区域da3重叠。第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3中的每个可以是柔性膜、膜上芯片、例如柔性印刷电路板的印刷电路板。
157.第一源极驱动单元ddu1、第二源极驱动单元ddu2和第三源极驱动单元ddu3中的每个可根据数据时序控制信号生成数据电压。第一源极驱动单元ddu1、第二源极驱动单元ddu2和第三源极驱动单元ddu3中的每个可通过数据底线dbl和数据连接孔dch向数据线dl输出数据电压。第一源极驱动单元ddu1，第二源极驱动单元ddu2和第三源极驱动单元ddu3中的每个可以是集成电路。
158.如图2、图3a和图3b中所示，扫描线sl可通过扫描连接孔sch和扫描底线sbl连接(例如，电连接)到扫描电路板scb的扫描驱动单元sdu。此外，数据线dl可通过数据连接孔dch和数据底线dbl连接(例如，电连接)到第一源极电路板dcb1的第一源极驱动单元ddu1、第二源极电路板dcb2的第二源极驱动单元ddu2和第三源极电路板dcb3的第三源极驱动单元ddu3。此外，第一电力线vsl(例如，参见图4)可通过第一电力连接孔pch1和第一电力底线vsbl连接(例如，电连接)到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3。此外，第二电力线vdl(例如，参见图4)可通过第二电力连接孔pch2和第二电力底线vdbl连接(例如，电连接)到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3。因此，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和第三源极电路板dcb3仅设置在第一显示装置11的后表面上，并且不设置在第一显示装置11的前表面和/或侧表面上。为此，第一显示装置11可不包括非显示区域，从而最小化联接区域sm的宽度。因此，这可通过防止或基本上防止拼接显示装置td中的显示装置11、12、13和14之间的联接区域sm被用户识别来消除或减少显示装置11、12、13和14之间的分离感，并且改善图像中的沉
浸度。
159.图1中所示的第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14与参考图2、图3a和图3b描述的第一显示装置11基本上相同。因此，可不重复对第二显示装置12、第三显示装置13和第四显示装置14的冗余描述。
160.图4是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
161.在图4中，为了便于描述，示出了像素px、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl、第二电力线vdl、第一电力连接孔pch1、第二电力连接孔pch2、第一电力底线vsbl和第二电力底线vdbl。
162.参考图4，像素px可沿着第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)布置。像素px中的每个可包括发射第一光的第一子像素px1(例如，参见图5)、发射第二光的第二子像素以及发射第三光的第三子像素。
163.第一子像素px1(例如，参见图5)可包括第一子像素驱动单元pdu1和第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)。第二子像素可包括第二子像素驱动单元pdu2和第二子像素发光单元。第三子像素可包括第三子像素驱动单元pdu3和第三子像素发光单元。应当注意，在图4中示出了每个像素px的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3，但是为了便于描述，没有示出第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)、第二子像素发光单元和第三子像素发光单元。第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可被称为像素驱动单元pdu。
164.第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3中的每个可连接到扫描线sl、数据线dl和第二电力线vdl。第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可连接到彼此相同的扫描线sl。第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可连接到彼此不同的数据线dl。当扫描信号被传送到扫描线sl时，第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3中的每个可接收对应数据线dl的数据电压。
165.第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3中的每个可包括多个晶体管和至少一个电容器。例如，第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3中的每个可包括三个晶体管和一个电容器。在图5中示出了包括三个晶体管和一个电容器的第一子像素驱动单元pdu1的非限制性示例。
166.第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)、第二子像素发光单元和第三子像素发光单元中的每个可包括发射光(例如，预定的光)的发光元件le(例如，参见图5)。发光元件le(例如，参见图5)可根据第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)、第二子像素发光单元和第三子像素发光单元中的对应的一个的驱动电流来发射具有亮度(例如，预定亮度)的光。
167.稍后将参考图5更详细地描述第一子像素驱动单元pdu1和第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)。
168.扫描线sl可在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可设置在第二方向(例如，y轴方向)上或沿着第二方向(例如，y轴方向)设置。数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可设置在第一方向(例如，x轴方
向)上或沿着第一方向(例如，x轴方向)设置。扫描线sl、三个数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl可与每个像素px重叠。然而，本公开不限于此。
169.第一电力底线vsbl和第二电力底线vdbl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。第一电力底线vsbl和第二电力底线vdbl可不与像素驱动单元pdu、第一电力线vsl、第二电力线vdl和数据线dl重叠。
170.第一电力底线vsbl可设置在任一个像素px的第一电力线vsl和在第一方向(例如，x轴方向)上与像素px相邻的另一像素px的感测线snl之间。第一电力底线vsbl可与第一电力连接孔pch1重叠。第一电力底线vsbl可通过第一电力连接孔pch1连接(例如，电连接)到第一电力线vsl。
171.第二电力底线vdbl可设置在任一个像素px的第一电力线vsl和在第一方向(例如，x轴方向)上与像素px相邻的另一像素px的感测线snl之间。第二电力底线vdbl可与第二电力连接孔pch2重叠。第二电力底线vdbl可通过第二电力连接孔pch2连接(例如，电连接)到第二电力线vdl。
172.第一电力连接孔pch1中的每个可以是用于将对应的第一电力线vsl连接(例如，电连接)到第一电力底线vsbl的孔。因为第一电力连接孔pch1较深，所以第一电力连接孔pch1的尺寸可能较大。当第一电力连接孔pch1在第三方向(例如，z轴方向)上与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠时，像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度可能由于第一电力连接孔pch1而较大。例如，设置在第一电力连接孔pch1中或设置在第一电力连接孔pch1处的像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl与不设置在第一电力连接孔pch1中或不设置在第一电力连接孔pch1处的像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl之间可能存在较大的台阶差。
173.如参考图2、图3a和图3b所述，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3可附接到第一显示装置11的后表面。当像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度由于第一电力连接孔pch1而较大时，通过当附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时所施加的压力，可能在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
174.因此，第一电力连接孔pch1可在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元pdu重叠。此外，第一电力连接孔pch1可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。此外，第一电力连接孔pch1可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第一电力连接孔pch1而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、感测线snl、第一电力线vsl、数据线dl和第二电力线vdl中产生裂纹。
175.第二电力连接孔pch2中的每个可以是用于将对应的第二电力线vdl连接(例如，电连接)到第二电力底线vdbl的孔。因为第二电力连接孔pch2较深，所以第二电力连接孔pch2的尺寸可能较大。在这种情况下，当第二电力连接孔pch2在第三方向(例如，z轴方向)上与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠时，像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度可能由于第二电力连接孔pch2而较大。
176.如参考图2、图3a和图3b所述，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3可附接到第一显示装置11的后表面。当像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度由于第二电力连接孔pch2而较大时，通过当附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时所施加的压力，在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中可能产生裂纹。
177.因此，第二电力连接孔pch2可在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元pdu重叠。此外，第二电力连接孔pch2可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。此外，第二电力连接孔pch2可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第二电力连接孔pch2而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于当附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl、感测线snl和第二电力线vdl中产生裂纹。
178.在设置在第一显示装置11的左边缘处的像素px中，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2可设置在像素驱动单元pdu的右侧上。即，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2距第一显示装置11的左边缘越近，第二衬底sub2(例如，参见图10)破裂的概率越高。因此，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的左边缘。因此，可降低第二衬底sub2(例如，参见图10)由于第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2而破裂的概率。
179.此外，在设置在第一显示装置11的右边缘处的像素px中，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2可设置在像素驱动单元pdu的左侧上。即，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2距第一显示装置11的右边缘越近，第二衬底sub2(例如，参见图10)破裂的概率越高。因此，第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的右边缘。因此，可降低第二衬底sub2(例如，参见图10)由于第一电力连接孔pch1或第二电力连接孔pch2而破裂的概率。
180.图5是根据本公开的一个或多个实施方式的第一子像素px1的示例的电路图。
181.参考图5，根据一个或多个实施方式的第一子像素px1可包括第一子像素驱动单元pdu1和第一子像素发光单元peu1。
182.第一子像素驱动单元pdu1可根据数据线dl的数据电压向第一子像素发光单元peu1供应驱动电流。第一子像素驱动单元pdu1可包括第一开关元件st1、第二开关元件st2、
第三开关元件st3和电容器cst。第一开关元件st1、第二开关元件st2和第三开关元件st3中的每个可以是晶体管。
183.第一子像素发光单元peu1可根据第一子像素驱动单元pdu1的驱动电流发射光。第一子像素发光单元peu1可包括多个发光元件le。
184.第一开关元件st1可控制供应给发光元件le的驱动电流。第一开关元件st1可基于第一节点n1的电压产生驱动电流。第一开关元件st1的栅电极可连接到第一节点n1。即，第一开关元件st1的栅电极可连接到第二开关元件st2的源电极和电容器cst的第一电极。第一开关元件st1的漏电极可连接到第二电力线vdl。第一开关元件st1的漏电极可从第二电力线vdl接收第二电源电压。第一开关元件st1的源电极可连接到第二节点n2。即，第一开关元件st1的源电极可连接到第三开关元件st3的源电极、电容器cst的第二电极以及发光元件le的第一电极。
185.第二开关元件st2可基于扫描线sl的扫描信号向第一节点n1供应数据电压。第二开关元件st2的栅电极可连接到扫描线sl以接收扫描信号。第二开关元件st2的漏电极可连接到数据线dl以接收数据电压。第二开关元件st2的源电极可连接到第一节点n1。即，第二开关元件st2的源电极可连接到第一开关元件st1的栅电极和电容器cst的第一电极。
186.第三开关元件st3可基于扫描线sl的扫描信号将感测线snl连接到第二节点n2。第三开关元件st3可向第二节点n2供应初始化电压，或者向感测线snl供应第二节点n2的电压。第三开关元件st3的栅电极可连接到扫描线sl以接收扫描信号。第三开关元件st3的漏电极可连接到感测线snl以接收初始化电压。第三开关元件st3的源电极可连接到第二节点n2。即，第三开关元件st3的源电极可连接到第一开关元件st1的源电极、电容器cst的第二电极以及发光元件le的第一电极。
187.电容器cst可连接在第一节点n1与第二节点n2之间。例如，电容器cst的第一电极可连接到第一节点n1，并且电容器cst的第二电极可连接到第二节点n2。因此，可通过电容器cst维持第一节点n1与第二节点n2之间的电位差。
188.发光元件le可响应于驱动电流而发射光。发光元件le可并联连接。发光元件le中的每个的第一电极可连接到第二节点n2，以及发光元件le中的每个的第二电极可连接到第一电力线vsl。发光元件le中的每个的光发射的总量或光发射亮度可与驱动电流的大小成比例。发光元件le中的每个可以是有机发光二极管、微型发光二极管、量子点发光二极管或无机发光二极管。
189.第二子像素可包括第二子像素驱动单元pdu2(例如，参见图4)和第二子像素发光单元，以及第三子像素可包括第三子像素驱动单元pdu3(例如，参见图4)和第三子像素发光单元。第二子像素驱动单元pdu2(例如，参见图4)和第三子像素驱动单元pdu3(例如，参见图4)可与参考图5描述的第一子像素驱动单元pdu1基本上相同，并且因此可不重复对第二子像素驱动单元pdu2(例如，参见图4)和第三子像素驱动单元pdu3(例如，参见图4)的冗余描述。此外，第二子像素发光单元和第三子像素发光单元可与参考图5描述的第一子像素发光单元peu1基本上相同，并且因此可不重复对第二子像素发光单元和第三子像素发光单元的冗余描述。
190.图6是示出图4的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第一电力连接孔pch1和第一电力焊盘孔pph1的示例的布局图。图7是图6
的第一子像素驱动单元pdu1的详细布局图。图8是图6的第二子像素驱动单元pdu2的详细布局图。图9是图6的第三子像素驱动单元pdu3的详细布局图。
191.参考图6至图9，扫描线sl、第一水平电力线hvsl和第二水平电力线hvdl可在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。扫描线sl、第一水平电力线hvsl和第二水平电力线hvdl可彼此平行地设置。扫描线sl、第一水平电力线hvsl和第二水平电力线hvdl可在第二方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开。
192.数据线dl、第一电力线vsl、第二电力线vdl、感测线snl和第一电力底线vsbl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。数据线dl、第一电力线vsl、第二电力线vdl、感测线snl和第一电力底线vsbl可彼此平行地设置。数据线dl、第一电力线vsl、第二电力线vdl、感测线snl和第一电力底线vsbl可在第一方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。
193.第一电力线vsl可通过至少一个第一电力接触孔vsct1连接到第一水平电力线hvsl。因此，第一水平电力线hvsl可具有与第一电力线vsl基本上相同的电位。即，第一水平电力线hvsl可供应有第一电源电压。
194.第一电力线vsl可通过至少一个第二电力接触孔vsct2连接到第一电力连接电极vse1。第一电力线vsl可通过至少一个第三电力接触孔vsct3连接到第二电力连接电极vse2。第一电力线vsl、第一电力连接电极vse1和第二电力连接电极vse2可在第三方向(例如，z轴方向)上重叠。因为第一电力线vsl连接到第一电力连接电极vse1和第二电力连接电极vse2，所以可降低第一电力线vsl的电阻。
195.第一电力连接单元pc1可从第一电力线vsl突出。例如，第一电力连接单元pc1可在第一方向(例如，x轴方向)上延伸或突出。第一电力连接单元pc1和第一电力线vsl可整体形成。第一电力连接单元pc1可通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
196.第一电力连接孔pch1可不与像素驱动单元pdu、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第一电力连接孔pch1而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于当附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl、感测线snl和第二电力线vdl中产生裂纹。
197.第一电力底线vsbl可通过第一电力焊盘孔pph1连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)、第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)和第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)中的任一个的凸起。
198.第二电力线vdl可通过至少一个第四电力接触孔vdct1连接到第二水平电力线hvdl。因此，第二水平电力线hvdl可具有与第二电力线vdl基本上相同的电位。即，第二水平电力线hvdl可供应有第二电源电压。
199.第二电力线vdl可通过至少一个第五电力接触孔vdct2连接到第三电力连接电极vde。第二电力线vdl和第三电力连接电极vde可在第三方向(例如，z轴方向)上重叠。因为第二电力线vdl连接到第三电力连接电极vde，所以可降低第二电力线vdl的电阻。
200.扫描线sl可通过第一扫描接触孔sct1和第二扫描接触孔sct2连接到第二栅电极ge2。第一扫描接触孔sct1和第二扫描接触孔sct2可彼此间隔开。在一个或多个实施方式
中，可省略第一扫描接触孔sct1和第二扫描接触孔sct2中的任一个。第二栅电极ge2可包括在第一方向(例如，x轴方向)上延伸的第一延伸部分和在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的第二延伸部分。第二栅电极ge2的第一延伸部分可在第三方向(例如，z轴方向)上与扫描线sl重叠。第二栅电极ge2的第二延伸部分可设置成与数据线dl中最左边的数据线相邻。例如，第二栅电极ge2的第二延伸部分可在数据线dl中最左边的数据线的左侧上。
201.扫描线sl可通过第三扫描接触孔sct3连接到第三栅电极ge3。第三栅电极ge3可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。
202.感测线snl可通过至少一个感测接触孔snct1连接到感测连接电极sne。感测线snl和感测连接电极sne可在第三方向(例如，z轴方向)上重叠。因为感测线snl连接到感测连接电极sne，所以可降低感测线snl的电阻。
203.第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可设置在第二方向(例如，y轴方向)上。第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可在第三方向(例如，z轴方向)上与数据线dl、第二电力线vdl和感测线snl中的至少一个重叠。
204.第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一电力线vsl和第一电力底线vsbl重叠。此外，第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、第一水平电力线hvsl和第二水平电力线hvdl重叠。第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3可设置在扫描线sl与第二水平电力线hvdl之间。
205.第一子像素驱动单元pdu1可包括第一开关元件st1、第二开关元件st2、第三开关元件st3和电容器cst。第一开关元件st1可被称为第一晶体管，第二开关元件st2可被称为第二晶体管，以及第三开关元件st3可被称为第三晶体管。现在将参考图7描述第一子像素驱动单元pdu1。
206.第一开关元件st1可包括第一栅电极ge1、第一有源层act1、第一源电极se1和第一漏电极de1。第一栅电极ge1可与电容器cst的第一电极ce1整体形成。第一有源层act1可在第三方向(例如，z轴方向)上与第一栅电极ge1重叠。第一源电极se1可设置在一侧(例如，第一有源层act1的右侧)上。第一源电极se1可通过第一源极接触孔sst1连接到阳极连接电极ande以及电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21。第一漏电极de1可设置在另一侧(例如，第一有源层act1的左侧)上。例如，第一源电极se1和第一漏电极de1可在第一有源层act1的相对侧处。第一漏电极de1可通过第一漏极接触孔ddt1连接到第二电力线vdl。阳极连接电极ande可通过阳极接触孔anct连接到发光元件le(例如，参见图5)的第一电极。
207.第二开关元件st2可包括第二栅电极ge2、第二有源层act2、第二源电极se2和第二漏电极de2。第二有源层act2可在第三方向(例如，z轴方向)上与第二栅电极ge2重叠。第二源电极se2可设置在一侧(例如，第二有源层act2的右侧)上。第二源电极se2可通过第二数据接触孔dct2连接到数据连接电极dce。数据连接电极dce可通过第一数据接触孔dct1连接到数据线dl中的任一个。第二漏电极de2可设置在另一侧(例如，第二有源层act2的左侧)上。例如，第二源电极se2和第二漏电极de2可在第二有源层act2的相对侧处。第二漏电极de2可通过第一连接接触孔bct1连接到连接电极be1。连接电极be1可通过第二连接接触孔
bct2连接到第一栅电极ge1以及电容器cst的第一电极ce1。
208.第三开关元件st3可包括第三栅电极ge3、第三有源层act3、第三源电极se3和第三漏电极de3。第三有源层act3可在第三方向(例如，z轴方向)上与第三栅电极ge3重叠。第三源电极se3可设置在一侧(例如，第三有源层act3的右侧)上。第三源电极se3可通过第二源极接触孔sst2连接到阳极连接电极ande以及电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21。第三漏电极de3可设置在另一侧(例如，第三有源层act3的左侧)上。例如，第三源电极se3和第三漏电极de3可在第三有源层act3的相对侧处。第三漏电极de3可通过第二漏极接触孔ddt2连接到感测连接电极sne。
209.电容器cst可包括第一电极ce1和第二电极ce2。第一电极ce1可与第一栅电极ge1整体形成。第二电极ce2可包括第一子电极ce21和第二子电极ce22。第一子电极ce21可与阳极连接电极ande整体形成。第二子电极ce22可通过电容器接触孔cet连接到第一子电极ce21。电容器cst的第一电极ce1、第一子电极ce21和第二子电极ce22可在第三方向(例如，z轴方向)上重叠。电容器cst的第一电极ce1可在第三方向(例如，z轴方向)上设置在第一子电极ce21与第二子电极ce22之间。电容器cst可通过第一电极ce1与第一子电极ce21的重叠以及第一电极ce1与第二子电极ce22的重叠形成。
210.第二子像素驱动单元pdu2可包括第一开关元件st1'、第二开关元件st2'、第三开关元件st3'和电容器cst'。第一开关元件st1'可被称为第一晶体管，第二开关元件st2'可被称为第二晶体管，以及第三开关元件st3'可被称为第三晶体管。现在将参考图8描述第二子像素驱动单元pdu2。
211.第一开关元件st1'可包括第一栅电极ge1'、第一有源层act1'、第一源电极se1'和第一漏电极de1'。第一开关元件st1'的第一栅电极ge1'、第一有源层act1'、第一源电极se1'和第一漏电极de1'与参考图7描述的第一开关元件st1的第一栅电极ge1、第一有源层act1、第一源电极se1和第一漏电极de1基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
212.第二开关元件st2'可包括第二栅电极ge2'、第二有源层act2'、第二源电极se2'和第二漏电极de2'。第二开关元件st2'的第二栅电极ge2'、第二有源层act2'、第二源电极se2'和第二漏电极de2'与参考图7描述的第二开关元件st2的第二栅电极ge2、第二有源层act2、第二源电极se2和第二漏电极de2基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
213.第三开关元件st3'可包括第三栅电极ge3'、第三有源层act3'、第三源电极se3'和第三漏电极de3'。第三开关元件st3'的第三栅电极ge3'、第三有源层act3'、第三源电极se3'和第三漏电极de3'与参考图7描述的第三开关元件st3的第三栅电极ge3、第三有源层act3、第三源电极se3和第三漏电极de3基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
214.电容器cst'可包括第一电极ce1'和第二电极ce2'。第二电极ce2'可包括第一子电极ce21'和第二子电极ce22'。电容器cst'的第一电极ce1'和电容器cst'的第二电极ce2'的第一子电极ce21'和第二子电极ce22'与参考图7描述的电容器cst的第一电极ce1和电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21和第二子电极ce22基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
215.此外，第二子像素驱动单元pdu2的连接电极be1'、数据连接电极dce'、阳极连接电极ande'和接触孔dct1'、dct2'、bct1'、bct2'、sst1'、sst2'、ddt1'、ddt2'、anct'和cet'与参考图7描述的第一子像素驱动单元pdu1的连接电极be1、数据连接电极dce、阳极连接电极
ande和接触孔dct1、dct2、bct1、bct2、sst1、sst2、ddt1、ddt2、anct和cet基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
216.第三子像素驱动单元pdu3可包括第一开关元件st1”、第二开关元件st2”、第三开关元件st3”和电容器cst”。第一开关元件st1”可被称为第一晶体管，第二开关元件st2”可被称为第二晶体管，以及第三开关元件st3”可被称为第三晶体管。现在将参考图9描述第三子像素驱动单元pdu3。
217.第一开关元件st1”可包括第一栅电极ge1”、第一有源层act1”、第一源电极se1”和第一漏电极de1”。第一开关元件st1”的第一栅电极ge1”、第一有源层act1”、第一源电极se1”和第一漏电极de1”与参考图7描述的第一开关元件st1的第一栅电极ge1、第一有源层act1、第一源电极se1和第一漏电极de1基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
218.第二开关元件st2”可包括第二栅电极ge2”、第二有源层act2”、第二源电极se2”和第二漏电极de2”。第二开关元件st2”的第二栅电极ge2”、第二有源层act2”、第二源电极se2”和第二漏电极de2“与参考图7描述的第二开关元件st2的第二栅电极ge2、第二有源层act2、第二源电极se2和第二漏电极de2基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
219.第三开关元件st3”可包括第三栅电极ge3”、第三有源层act3”、第三源电极se3”和第三漏电极de3”。第三开关元件st3”的第三栅电极ge3”、第三有源层act3”、第三源电极se3”和第三漏电极de3”与参考图7描述的第三开关元件st3的第三栅电极ge3、第三有源层act3、第三源电极se3和第三漏电极de3基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
220.电容器cst”可包括第一电极ce1”和第二电极ce2”。第二电极ce2”可包括第一子电极ce21”和第二子电极ce22”。电容器cst”的第一电极ce1”和电容器cst”的第二电极ce2”的第一子电极ce21”和第二子电极ce22”与参考图7描述的电容器cst的第一电极ce1和电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21和第二子电极ce22基本上相同，并且因此可不重复对其的冗余描述。
221.此外，第三子像素驱动单元pdu3的连接电极be1”、数据连接电极dce”、阳极连接电极ande”和接触孔dct1”、dct2”、bct1”、bct2”、sst1”、sst2”、ddt1”、ddt2”、anct”和cet”与参考图7描述的第一子像素驱动单元pdu1的连接电极be1、数据连接电极dce、阳极连接电极ande和接触孔dct1、dct2、bct1、bct2、sst1、sst2、ddt1、ddt2、anct和cet基本上相同，因此可不重复对其的冗余描述。
222.图10是沿着图6的线a-a'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。图11是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。图12是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
223.参考图10至图12，第一衬底sub1可由绝缘材料制成。例如，第一衬底sub1可包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
224.第一阻挡层br1可设置在第一衬底sub1上。第一阻挡层br1是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第一衬底sub1引入。第一阻挡层br1可包括至少一个无机层。例如，第一阻挡层br1可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
225.包括第一电力底线vsbl的后导电层可设置在第一阻挡层br1上。后导电层可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)和/或它们的合金中的
一种或多种制成的单层或多层。
226.第二阻挡层br2可设置在第一电力底线vsbl上。第二阻挡层br2是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第一衬底sub1引入。第二阻挡层br2可包括至少一个无机层。例如，第二阻挡层br2可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
227.第二衬底sub2可设置在第二阻挡层br2上。第二衬底sub2可由绝缘材料制成。例如，第二衬底sub2可包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
228.第一金属层可设置在第二衬底sub2上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl和电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。第一电力连接单元pc1可从第一电力线vsl延伸。第一电力连接单元pc1和第一电力线vsl可整体形成。第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2和第二衬底sub2的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。第一金属层还可包括数据线dl和感测线snl。第一金属层可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)和/或其合金中的一种或多种制成的单层或多层。
229.第三阻挡层br3可设置在第一金属层上。第三阻挡层br3是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第二衬底sub2引入。第三阻挡层br3可包括至少一个无机层。例如，第三阻挡层br3可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
230.半导体层可设置在第三阻挡层br3上，该半导体层包括第一开关元件st1的第一有源层act1、第一源电极se1和第一漏电极de1。半导体层还可包括第二开关元件st2的第二有源层act2、第二源电极se2和第二漏电极de2。此外，半导体层还可包括第三开关元件st3的第三有源层act3、第三源电极se3和第三漏电极de3。第一漏电极de1可通过穿透第三阻挡层br3的第一漏极接触孔ddt1连接到第二电力线vdl。
231.半导体层包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体。通过用离子或杂质掺杂硅半导体或氧化物半导体，可形成具有导电性的第一源电极se1和第一漏电极de1。第一有源层act1可在第三方向(例如，z轴方向)上与第一栅电极ge1重叠，其中，第三方向(例如，z轴方向)是第一衬底sub1的厚度方向或第二衬底sub2的厚度方向，并且第一源电极se1和第一漏电极de1可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一栅电极ge1重叠。
232.栅极绝缘层130可设置在半导体层上。栅极绝缘层130可包括无机层，例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
233.第二金属层可设置在栅极绝缘层130上，该第二金属层包括第一开关元件st1的第一栅电极ge1和电容器cst的第一电极ce1。第二金属层还可包括第二开关元件st2的第二栅电极ge2、第三开关元件st3的第三栅电极ge3以及第二电力连接电极vse2。第二金属层可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)和/或它们的合金中的一种或多种制成的单层或多层。
234.层间绝缘膜140可设置在第二金属层上。层间绝缘膜140可包括无机层，例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
235.第三金属层可设置在层间绝缘膜140上，该第三金属层包括阳极连接电极ande以及电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21。第三金属层还可包括第一水平电力线
hvsl、第二水平电力线hvdl、扫描线sl、数据连接电极dce、连接电极be1、第一电力连接电极vse1、第三电力连接电极vde和感测连接电极sne。阳极连接电极ande可通过穿透栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一源极接触孔sst1连接到第一源电极se1。第三金属层可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或多种制成的单层或多层。
236.平坦化层160可设置在第三金属层上，以平坦化由第一开关元件st1形成的台阶。平坦化层160可由有机层制成，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂。
237.第一子像素发光单元peu1可设置在平坦化层160上。第一子像素发光单元peu1可包括像素电极171、公共电极173、第一接触电极174、第二接触电极175和发光元件le。
238.像素电极171、公共电极173和内堤部191可设置在平坦化层160上。
239.内堤部191可设置在由外堤部192限定的开口中。发光元件le可设置在彼此相邻的内堤部191之间。内堤部191中的每个可包括与平坦化层160接触的下表面、与下表面相对(例如，背离)的上表面、以及在上表面与下表面之间的侧表面。内堤部191可具有但不限于梯形剖面形状。
240.内堤部191可由诸如光敏树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。例如，当内堤部191由光敏树脂制成时，它可以是正性光刻胶或负性光刻胶。
241.像素电极171和公共电极173可设置在平坦化层160和内堤部191上。像素电极171和公共电极173可彼此间隔开并且可彼此电分离。
242.像素电极171可设置在内堤部191的至少一个侧表面和上表面上。例如，像素电极171可与内堤部191的至少一个侧表面和上表面接触。像素电极171可通过穿透平坦化层160的阳极接触孔anct连接到阳极连接电极ande。公共电极173可设置在内堤部191的至少一个侧表面和上表面上。例如，公共电极173可与内堤部191的至少一个侧表面和上表面接触。
243.像素电极171和公共电极173可包括具有高反射率的导电材料。例如，像素电极171和公共电极173可包括诸如银(ag)、铜(cu)或铝(al)的金属。因此，在从发光元件le发射的光中，行进到像素电极171和公共电极173的光可被像素电极171和公共电极173反射到发光元件le上方。
244.第一绝缘层181可设置在像素电极171和公共电极173上。第一绝缘层181可设置在平坦化层160的暴露的未被像素电极171和公共电极173覆盖的部分上。第一绝缘层181可包括无机层，例如，氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
245.外堤部192可设置在第一绝缘层181上。外堤部192可限定开口。外堤部192可不与内堤部191重叠。外堤部192可包括与第一绝缘层181接触的下表面、与下表面相对(例如，背离)的上表面、以及在上表面与下表面之间的侧表面。外堤部192可具有但不限于梯形剖面形状。
246.外堤部192可由诸如光敏树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。例如，当外堤部192由光敏树脂制成时，它可以是正性光刻胶或负性光刻胶。
247.发光元件le可设置在第一绝缘层181上。发光元件le中的每个可以是无机半导体
元件。发光元件le中的每个的形状可形成为类似于棒、线、管等。例如，发光元件le中的每个的形状可形成为类似于圆柱体或杆。替代地，发光元件le中的每个的形状可形成为类似于诸如立方体或矩形平行六面体的多面体或者诸如六面体棱柱的多面体棱柱。替代地，发光元件le中的每个的形状可形成为类似于在一个方向上延伸并具有部分倾斜的外表面的截锥体。发光元件le中的每个的长度可在1μm至10μm或2μm至6μm的范围内，优选地，在3μm至5μm的范围内。此外，发光元件le中的每个的直径可在300nm至700nm的范围内，并且发光元件le中的每个的纵横比可以是1.2至100。
248.第二绝缘层182可设置在发光元件le上。此外，第二绝缘层182可设置在外堤部192上。例如，第二绝缘层182可与外堤部192接触。第二绝缘层182可包括无机层，例如，氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
249.第一接触电极174可通过穿透第一绝缘层181的第一孔cct1连接到像素电极171。第一孔cct1可在第三方向(例如，z轴方向)上与内堤部191重叠。第一接触电极174可与发光元件le中的每个的一端接触。因此，发光元件le中的每个的一端可通过第一接触电极174连接(例如，电连接)到像素电极171。第一接触电极174可设置在第二绝缘层182上。
250.第三绝缘层183可设置在第二接触电极175上。第三绝缘层183可覆盖第二接触电极175以电分离第一接触电极174和第二接触电极175。此外，第三绝缘层183可覆盖设置在外堤部192上的第二绝缘层182。第三绝缘层183可包括无机层，例如，氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
251.第二接触电极175可通过穿透第一绝缘层181的第二孔cct2连接到公共电极173。第二孔cct2可在第三方向(例如，z轴方向)上与内堤部191重叠。第二接触电极175可与发光元件le中的每个的一端接触。因此，发光元件le中的每个的一端可通过第二接触电极175连接(例如，电连接)到公共电极173。第二接触电极175可设置在第二绝缘层182上。
252.第一接触电极174和第二接触电极175可由能够透射光的诸如氧化铟锡(ito)和/或氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物(tco)制成。因此，能够防止或基本上防止从发光元件le发射的光被第一接触电极174和第二接触电极175阻挡。
253.发光元件le中的每个的一端通过第一接触电极174和像素电极171连接(例如，电连接)到第一开关元件st1的第一漏电极de1，并且另一端通过第二接触电极175和公共电极173连接到第一电力线vsl。因此，发光元件le中的每个可根据从一端流到另一端的电流来发射光。
254.第一波长转换层qdl1可设置在第一子像素px1中，第二波长转换层可设置在第二子像素中，以及透明绝缘层可设置在第三子像素中。第一子像素px1、第二子像素和第三子像素中的每个的发光元件le可发射第三光。第三光可以是短波长光，诸如具有370nm至490nm的中心波长带的紫外光或蓝光。
255.第一波长转换层qdl1可将从第一子像素px1的发光元件le发射的第三光转换为第一光。第一光可以是具有600nm至750nm的中心波长带的红光。
256.第二波长转换层可将从第二子像素的发光元件le发射的第三光转换为第二光。第二光可以是具有480nm至560nm的中心波长带的绿光。
257.第一波长转换层qdl1和第二波长转换层中的每个可包括基础树脂、波长移位器和/或散射体。
258.基础树脂可以是对于波长移位器和散射体具有高透光率和优异的色散特性的材料。例如，基础树脂可包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂和/或酰亚胺树脂的有机材料。
259.波长移位器可对入射光的波长范围进行转换或移位。波长移位器可以是量子点、量子杆和/或磷光体。第一波长转换层qdl1的量子点尺寸和第二波长转换层的量子点尺寸可彼此不同。
260.散射体可在随机方向上散射入射光，而基本上不转换穿过第一波长转换层qdl1或第二波长转换层的光的波长。因此，这可增加穿过第一波长转换层qdl1或第二波长转换层的光的路径的长度，从而增加波长移位器的颜色转换效率。散射体可以是光散射颗粒。例如，散射体可以是金属氧化物颗粒，诸如氧化钛(tio2)、氧化硅(sio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)和/或氧化锡(sno2)。替代地，散射体可以是有机颗粒，诸如丙烯酸树脂和/或聚氨酯树脂。
261.透明绝缘层可使诸如蓝光或紫外光的短波长光照原样穿过。透明绝缘层可由具有高透射率的有机层制成。例如，透明绝缘层可由诸如光敏树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
262.第一波长转换层qdl1可在第一子像素px1中设置在第一接触电极174和第三绝缘层183上。第二波长转换层在第二子像素中的布置与第一波长转换层qdl1的布置基本上相同，并且因此可不重复对第二波长转换层的布置的冗余描述。
263.低折射率层lrl可设置在第一波长转换层qdl1、第二波长转换层和透明绝缘层上。低折射率层lrl的折射率可低于第一波长转换层qdl1的基础树脂的折射率、第二波长转换层的基础树脂的折射率以及透明绝缘层的折射率。低折射率层lrl可由有诸如光敏树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
264.第一滤色器cf1、第二滤色器、第三滤色器和黑矩阵bm可设置在低折射率层lrl上。
265.第一滤色器cf1可在第三方向(例如，z轴方向)上与第一波长转换层qdl1重叠。第一滤色器cf1可透射第一光，例如红色波段中的光，并且可不透射除第一光之外的光。因此，在从第一子像素px1的发光元件le发射的短波长光中，没有被转换成第一光的光可以不能穿过第一滤色器cf1。相反，由第一波长转换层qdl1转换成第一光的光可穿过第一滤色器cf1。
266.第二滤色器可在第三方向(例如，z轴方向)上与第二波长转换层重叠。第二滤色器可透射第二光，例如绿色波长带中的光，并且可不透射除第二光之外的光。因此，在从第二子像素的发光元件le发射的短波长光中，没有被转换成第二光的光可以不能穿过第二滤色器。相反，由第二波长转换层转换成第二光的光可穿过第二滤色器。
267.第三滤色器可在第三方向(例如，z轴方向)上与透明绝缘层重叠。第三滤色器可透射第三光，例如蓝色波长带中的光，并且可不透射除第三光之外的光。因此，从第三子像素的发光元件le发射的短波长光可穿过第三滤色器。
268.黑矩阵bm可设置在第一滤色器cf1与第二滤色器之间、第一滤色器cf1与第三滤色器之间以及第二滤色器与第三滤色器之间。黑矩阵bm可覆盖第一滤色器cf1的边缘、第二滤色器的边缘和第三滤色器的边缘。黑矩阵bm可包括能够阻挡光的阻光材料。在这种情况下，黑矩阵bm可包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。
269.抗反射层arl可设置在第一滤色器cf1、第二滤色器、第三滤色器和黑矩阵bm上。抗反射层arl可包括第一无机层、第二无机层和有机层。这里，第二无机层可设置在第一无机层上，并且第一无机层和第二无机层可包括彼此不同的材料。例如，第一无机层可包括sio
x
ny，以及第二无机层可包括sio
x
。在这种情况下，在第一无机层与有机层之间的界面处反射的光和在有机层与第二无机层之间的界面处反射的光可通过相消干涉来消除。因此，抗反射层arl可减少由于外部光的反射而导致的图像可见度的降低。在一个或多个实施方式中，可省略抗反射层arl。替代地，抗反射层arl可用偏振膜代替。在这种情况下，偏振膜可设置在外涂层ocl上。
270.外涂层ocl可设置在抗反射层arl上，并且可以是用于平坦化的平坦化层。外涂层ocl可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层制成。
271.窗wd可设置在外涂层ocl上。窗wd可以是诸如玻璃的无机材料和/或诸如塑料和/或聚合物材料的有机材料。窗wd可设计成保护第一显示装置11的前表面。在一个或多个实施方式中，可省略窗wd。
272.散热层hdl可设置在第一衬底sub1之下。散热层hdl可包括诸如铜箔或铜的金属材料，以容易地散发传递到第一显示装置11中的第一衬底sub1的热量。
273.第一电力焊盘孔pph1可以是穿透第一阻挡层br1和第一衬底sub1以暴露第一电力底线vsbl的孔。第一电力焊盘孔pph1在第三方向(例如，z轴方向)上不与散热层hdl重叠。
274.第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2或第三源极电路板dcb3的凸起bum可设置在第一电力焊盘孔pph1中。第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2或第三源极电路板dcb3的凸起bum可通过诸如包括多个导电球cb的各向异性导电膜的导电粘合剂cah连接到第一电力底线vsbl。
275.如图10至图12中所示，第一电力连接孔pch1可不与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第一电力连接孔pch1而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl和第二电力线vdl中产生裂纹。
276.图13是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
277.图13的实施方式与图12的实施方式的不同之处在于，散热层hdl不是直接设置在第一衬底sub1之下，而是在其中设置有第一源极电路板dcb1的区域中设置在第一源极电路板dcb1之下。因此，在图13的实施方式中，不仅传递到第一衬底sub1的热量而且第一源极电路板dcb1的热量都可被容易地散发。
278.图14是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。图15是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
279.图14和图15的实施方式与图11和图12的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl设置在第二衬底sub2上。参考图14和图15，将主要描述与图11和图12的实施方式的不同之处。
280.参考图14和图15，第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间。第一电力底线vsbl可设置在第二衬底sub2上，并且第二阻挡层br2可设置在第一电力底线vsbl上。
281.第一金属层可设置在第二阻挡层br2上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。第一电力线vsl可通过穿透第二阻挡层br2的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
282.第一电力底线vsbl可通过穿过第二衬底sub2、第一阻挡层br1和第一衬底sub1的第一电力焊盘孔pph1连接到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2或第三源极电路板dcb3的凸起bum。
283.如图14和图15中所示，当第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间而是设置在第二衬底sub2上时，第一电力连接孔pch1可不深(例如，相对于当第一电力底线vsbl设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间时的深度)。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
284.图16是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
285.图16的实施方式与图15的实施方式的不同之处在于，散热层hdl不是直接设置在第一衬底sub1之下，而是在其中设置有第一源极电路板dcb1的区域中设置在第一源极电路板dcb1之下。因此，在图16的实施方式中，不仅传递到第一衬底sub1的热量而且第一源极电路板dcb1的热量都可被容易地散发。
286.图17是沿着图6的线b-b'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。图18是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
287.图17和图18的实施方式与图14和图15的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl不是设置在第二衬底sub2上而是设置在第二阻挡层br2上。参考图17和图18，将主要描述与图14和图15的实施方式的不同之处。
288.参考图17和图18，第二阻挡层br2可设置在第二衬底sub2上，并且第一电力底线vsbl可设置在第二阻挡层br2上。第三阻挡层br3可设置在第一电力底线vsbl上。
289.第一金属层可设置在第三阻挡层br3上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。第一电力线vsl可通过穿透第三阻挡层br3的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
290.第四阻挡层br4可设置在第一金属层上。第四阻挡层br4是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第二衬底sub2引入。第四阻挡层br4可包括至少一个无机层。例如，第四阻挡层br4可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
291.第一电力底线vsbl可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第一阻挡层br1和第一衬底sub1的第一电力焊盘孔pph1连接到第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2或第三源极电路板dcb3的凸起bum。
292.如图17和图18中所示，当第一电力底线vsbl设置在第二阻挡层br2上时，第一电力连接孔pch1可不深。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
293.图19是沿着图6的线c-c'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
294.图19的实施方式与图18的实施方式的不同之处在于，散热层hdl不是直接设置在
第一衬底sub1之下，而是在其中设置有第一源极电路板dcb1的区域中设置在第一源极电路板dcb1之下。因此，在图19的实施方式中，不仅传递到第一衬底sub1的热量而且第一源极电路板dcb1的热量或传递到第一源极电路板dcb1的热量都可被容易地散发。
295.图20是示出图4的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第一电力连接孔pch1和第一电力焊盘孔pph1的示例的布局图。
296.图20的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，第一电力连接单元pc1不从第一电力线vsl突出而是从第一电力连接电极vse1突出。参考图20，将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
297.参考图20，即使由与第一电力线vsl相同的金属层制成的另一条线设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间，第一电力连接单元pc1也可跨越该另一条线通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。例如，即使数据线dl附加地设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间，因为第一电力连接单元pc1设置在与数据线dl不同的层上或设置在与数据线dl不同的层处，所以第一电力连接单元pc1可跨越数据线dl通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
298.图21是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
299.图21的实施方式与图11的实施方式的不同之处在于第一电力连接单元pc1。因此，参考图21，将主要描述与图11的实施方式的不同之处。
300.参考图21，第一电力连接单元pc1可从第一电力连接电极vse1延伸。第一电力连接单元pc1和第一电力连接电极vse1可整体形成。第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
301.图22是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
302.图22的实施方式与图21的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl设置在第二衬底sub2上。参考图22，将主要描述与图21的实施方式的不同之处。
303.参考图22，第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间。第一电力底线vsbl可设置在第二衬底sub2上，并且第二阻挡层br2可设置在第一电力底线vsbl上。
304.第一金属层可设置在第二阻挡层br2上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
305.如图22中所示，当第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间而是设置在第二衬底sub2上时，第一电力连接孔pch1的深度减小。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
306.图23是沿着图20的线d-d'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
307.图23的实施方式与图22的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl不是设置在第二衬底sub2上而是设置在第二阻挡层br2上。参考图23，将主要描述与图22的实施方式的不同之处。
308.参考图23，第二阻挡层br2可设置在第二衬底sub2上，并且第一电力底线vsbl可设
置在第二阻挡层br2上。第三阻挡层br3可设置在第一电力底线vsbl上。
309.第一金属层可设置在第三阻挡层br3上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。
310.第四阻挡层br4可设置在第一金属层上。第四阻挡层br4是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第二衬底sub2引入。第四阻挡层br4可包括至少一个无机层。例如，第四阻挡层br4可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
311.第一电力连接单元pc1可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
312.如图23中所示，当第一电力底线vsbl设置在第二阻挡层br2上时，第一电力连接孔pch1的深度减小。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
313.图24是示出图4的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第一电力连接孔pch1和第一电力焊盘孔pph1的示例的布局图。
314.图24的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，第一电力连接单元pc1不是从第一电力线vsl突出而是从第二电力连接电极vse2突出。参考图24，将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
315.参考图24，即使由与第一电力线vsl相同的金属层制成的另一条线设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间，第一电力连接单元pc1也可跨越该另一条线通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。例如，即使数据线dl附加地设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间，因为第一电力连接单元pc1设置在与数据线dl不同的层上或设置在与数据线dl不同的层处，所以第一电力连接单元pc1可跨越数据线dl通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
316.图25是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
317.图25的实施方式与图11的实施方式的不同之处在于第一电力连接单元pc1。因此，参考图25，将主要描述与图11的实施方式的不同之处。
318.参考图25，第一电力连接单元pc1可从第二电力连接电极vse2延伸。第一电力连接单元pc1和第二电力连接电极vse2可整体形成。第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
319.图26是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
320.图26的实施方式与图25的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl设置在第二衬底sub2上。参考图26，将主要描述与图25的实施方式的不同之处。
321.参考图26，第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间。第一电力底线vsbl可设置在第二衬底sub2上，并且第二阻挡层br2可设置在第一电力底线vsbl上。
322.第一金属层可设置在第二阻挡层br2上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
323.如图26中所示，当第一电力底线vsbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间而是设置在第二衬底sub2上时，第一电力连接孔pch1的深度减小。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
324.图27是沿着图24的线f-f'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
325.图27的实施方式与图26的实施方式的不同之处在于，第一电力底线vsbl不是设置在第二衬底sub2上而是设置在第二阻挡层br2上。参考图27，将主要描述与图26的实施方式的不同之处。
326.参考图27，第二阻挡层br2可设置在第二衬底sub2上，并且第一电力底线vsbl可设置在第二阻挡层br2上。第三阻挡层br3可设置在第一电力底线vsbl上。
327.第一金属层可设置在第三阻挡层br3上，该第一金属层包括第一电力线vsl、第一电力连接单元pc1、第二电力线vdl以及电容器cst的第二电极ce2的第二子电极ce22。
328.第四阻挡层br4可设置在第一金属层上。第四阻挡层br4是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第二衬底sub2引入。第四阻挡层br4可包括至少一个无机层。例如，第四阻挡层br4可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
329.第一电力连接单元pc1可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
330.如图27中所示，当第一电力底线vsbl设置在第二阻挡层br2上时，第一电力连接孔pch1的深度减小。因此，可减小第一电力连接孔pch1的尺寸。
331.图28是示出图4的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第二电力连接孔pch2和第二电力焊盘孔pph2的示例的布局图。
332.图28的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，第二电力连接单元pc2通过第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl，并且第二电力底线vdbl设置在第二电力焊盘孔pph2中。参考图28，将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
333.参考图28，第二电力连接单元pc2可从第三电力连接电极vde突出。例如，第二电力连接单元pc2可在第一方向(例如，x轴方向)上从第三电力连接电极vde延伸。第二电力连接单元pc2和第三电力连接电极vde可整体形成。第二电力连接单元pc2可通过第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。第二电力连接单元pc2可在第三方向(例如，z轴方向)上与第三栅电极ge3和感测线snl重叠。第二电力连接单元pc2可与感测连接电极sne间隔开。
334.第二电力连接孔pch2可不与像素驱动单元pdu、扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第二电力连接孔pch2而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl和第二电力线vdl中产生裂纹。
335.第二电力底线vdbl可通过第二电力焊盘孔pph2连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)、第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)以及第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)中的任一个的凸起。
336.如图28中所示，即使由与第二电力线vdl相同的金属层制成的另一条线设置在第
二电力线vdl与第二电力连接孔pch2之间，第二电力连接单元pc2也可跨越该另一条线通过第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。例如，即使第三栅电极ge3和感测线snl设置在第二电力线vdl与第二电力连接孔pch2之间，因为第二电力连接单元pc2设置在与第三栅电极ge3和感测线snl不同的层上或设置在与第三栅电极ge3和感测线snl不同的层处，所以第二电力连接单元pc2可跨越感测线snl通过第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
337.图29是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
338.图29的实施方式与图11的实施方式的不同之处在于，省略了第一电力连接单元pc1，并且增加了第二电力连接单元pc2。因此，参考图29，将主要描述与图11的实施方式的不同之处。
339.参考图29，第二电力连接单元pc2可从第三电力连接电极vde延伸。第二电力连接单元pc2和第三电力连接电极vde可整体形成。第二电力连接单元pc2可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
340.图30是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
341.图30的实施方式与图29的实施方式的不同之处在于，第二电力底线vdbl设置在第二衬底sub2上。参考图30，将主要描述与图29的实施方式的不同之处。
342.参考图30，第二电力底线vdbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间。第二电力底线vdbl可设置在第二衬底sub2上，并且第二阻挡层br2可设置在第二电力底线vdbl上。第二电力连接单元pc2可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
343.如图30中所示，当第二电力底线vdbl不是设置在第一衬底sub1与第二衬底sub2之间而是设置在第二衬底sub2上时，第二电力连接孔pch2的深度减小。因此，可减小第二电力连接孔pch2的尺寸。
344.图31是沿着图28的线e-e'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
345.图31的实施方式与图30的实施方式的不同之处在于，第二电力底线vdbl不是设置在第二衬底sub2上而是设置在第二阻挡层br2上。参考图31，将主要描述与图30的实施方式的不同之处。
346.参考图31，第二阻挡层br2可设置在第二衬底sub2上，并且第二电力底线vdbl可设置在第二阻挡层br2上。第三阻挡层br3可设置在第二电力底线vdbl上。
347.包括感测线snl的第一金属层可设置在第三阻挡层br3上。
348.第四阻挡层br4可设置在第一金属层上。第四阻挡层br4是用于保护第一开关元件st1和发光元件le免受湿气影响的层，该湿气可通过易于湿气渗透的第二衬底sub2引入。第四阻挡层br4可包括至少一个无机层。例如，第四阻挡层br4可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。
349.第二电力连接单元pc2可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
350.如图31中所示，当第二电力底线vdbl设置在第二阻挡层br2上时，第二电力连接孔pch2的深度减小。因此，可减小第二电力连接孔pch2的尺寸。
351.沿着图28的线s-s'截取的第一显示装置11的示例可与图12、图13、图15、图16、图18和图19中的任一个基本上相同。因此，可不重复对沿着图28的线s-s'截取的第一显示装置11的示例的冗余描述。
352.图32是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
353.图32的实施方式与图4的实施方式的不同之处在于，数据底线dbl、数据连接孔dch、感测底线snbl和感测连接孔snch设置成代替第一电力底线vsbl、第一电力连接孔pch1、第二电力底线vdbl和第二电力连接孔pch2。参考图32，将主要描述与图4的实施方式的不同之处。
354.参考图32，数据底线dbl和感测底线snbl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。数据底线dbl和感测底线snbl可不与像素驱动单元pdu、第一电力线vsl、第二电力线vdl、感测线snl和数据线dl重叠。
355.数据底线dbl可设置在任一个像素px的第一电力线vsl和在第一方向(例如，x轴方向)上与像素px相邻的另一像素px的感测线snl之间。数据底线dbl可与数据连接孔dch重叠。数据底线dbl可通过数据连接孔dch连接(例如，电连接)到数据线dl。
356.感测底线snbl可设置在任一个像素px的第一电力线vsl和在第一方向(例如，x轴方向)上与像素px相邻的另一像素px的感测线snl之间。感测底线snbl可与感测连接孔snch重叠。感测底线snbl可通过感测连接孔snch连接(例如，电连接)到感测线snl。
357.数据连接孔dch中的每个可以是用于将对应的数据线dl连接(例如，电连接)到数据底线dbl的孔。因为数据连接孔dch较深，所以它们的尺寸可能较大。当数据连接孔dch在第三方向(例如，z轴方向)上与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠时，像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度可能由于数据连接孔dch而较大。
358.如参考图2、图3a和图3b所述，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3可附接到第一显示装置11的后表面。当像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度由于数据连接孔dch而较大时，通过在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力，可能在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
359.因此，数据连接孔dch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元pdu重叠。此外，数据连接孔dch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。此外，数据连接孔dch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于数据连接孔dch而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线
dl、感测线snl和第二电力线vdl中产生裂纹。
360.感测连接孔snch中的每个可以是用于将对应的感测线snl连接(例如，电连接)到感测底线snbl的孔。尽管为了便于描述在图3a中没有示出感测底线snbl和感测连接孔snch，但是它们可以以与图3a中所示的数据底线dbl和数据连接孔dch类似的方式形成。
361.因为感测连接孔snch较深，所以它们的尺寸可能较大。在这种情况下，当感测连接孔snch在第三方向(例如，z轴方向)上与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠时，像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度可能由于感测连接孔snch而较大。
362.如参考图2、图3a和图3b所述，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3可附接到第一显示装置11的后表面。当像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度由于感测连接孔snch而较大时，通过在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力，可能在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
363.因此，感测连接孔snch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元pdu重叠。此外，感测连接孔snch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。此外，感测连接孔snch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于感测连接孔snch而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl和第二电力线vdl中产生裂纹。
364.在设置在第一显示装置11的左边缘处的像素px中，数据连接孔dch或感测连接孔snch可设置在像素驱动单元pdu的右侧上。即，数据连接孔dch或感测连接孔snch距第一显示装置11的左边缘越近，第二衬底sub2破裂的概率越高。因此，数据连接孔dch或感测连接孔snch可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的左边缘。因此，可降低第二衬底sub2由于数据连接孔dch或感测连接孔snch而破裂的概率。
365.此外，在设置在第一显示装置11的右边缘处的像素px中，数据连接孔dch或感测连接孔snch可设置在像素驱动单元pdu的左侧上。即，数据连接孔dch或感测连接孔snch距第一显示装置11的右边缘越近，第二衬底sub2破裂的概率越高。因此，数据连接孔dch或感测连接孔snch可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的右边缘。因此，可降低第二衬底sub2由于数据连接孔dch或感测连接孔snch而破裂的概率。
366.图33是示出图32的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2和第三子像素驱动单元pdu3、数据连接孔dch以及数据焊盘孔dph的示例的布局图。
367.图33的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，数据连接单元dc通过第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl，并且数据底线dbl设置在数据焊盘孔dph中。参考图33，
将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
368.参考图33，数据连接单元dc可通过第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl，并且可通过第二数据连接孔dch2连接到数据线dl。第一数据连接孔dch1可不与像素驱动单元pdu、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于第一数据连接孔dch1而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
369.数据连接单元dc可设置在与第一开关元件st1的第一栅电极ge1、电容器cst的第一电极ce1、第二开关元件st2的第二栅电极ge2和第三开关元件st3的第三栅电极ge3相同的层上，并且由与第一开关元件st1的第一栅电极ge1、电容器cst的第一电极ce1、第二开关元件st2的第二栅电极ge2和第三开关元件st3的第三栅电极ge3相同的材料制成。即，数据连接单元dc可由第二金属层制成。
370.在这种情况下，可省略由第二金属层制成的第二电力连接电极vse2和第三电力接触孔vsct3。因此，数据连接单元dc可跨越第一电力线vsl和第一电力连接电极vse1。
371.数据底线dbl可通过数据焊盘孔dph连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)、第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)以及第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)中的任一个的凸起。沿着图33的线q-q'截取的第一显示装置11的示例可与图12、图13、图15、图16、图18和图19中的任一个基本上相同。因此，可不重复对沿着图33的线q-q'截取的第一显示装置11的示例的冗余描述。
372.图34是沿着图33的线g-g'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
373.参考图34，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。此外，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第二数据连接孔dch2连接到数据线dl。因此，数据线dl可连接(例如，电连接)到数据底线dbl。
374.类似于图26，数据底线dbl可设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
375.替代地，类似于图27，数据底线dbl可设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，数据连接单元dc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
376.图35是示出图32的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、数据连接孔dch和数据焊盘孔dph的示例的布局图。
377.图35的实施方式与图33的实施方式的不同之处在于，省略了第一电力连接电极vse1和第二电力接触孔vsct2，以第二电力连接电极vse2和第三电力接触孔vsct3代替。参考图35，将主要描述与图33的实施方式的不同之处。
378.参考图35，数据连接单元dc可设置在与阳极连接电极ande、电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21、第一水平电力线hvsl、第二水平电力线hvdl、扫描线sl、数据连接电
极dce、连接电极be1、第三电力连接电极vde和感测连接电极sne相同的层上，并且由与阳极连接电极ande、电容器cst的第二电极ce2的第一子电极ce21、第一水平电力线hvsl、第二水平电力线hvdl、扫描线sl、数据连接电极dce、连接电极be1、第三电力连接电极vde和感测连接电极sne相同的材料制成。即，数据连接单元dc可由第三金属层制成。
379.在这种情况下，可省略由第三金属层制成的第一电力连接电极vse1和第二电力接触孔vsct2。因此，数据连接单元dc可跨越第一电力线vsl和第二电力连接电极vse2。
380.图36是沿着图35的线h-h'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
381.参考图36，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。此外，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二数据连接孔dch2连接到数据线dl。因此，数据线dl可连接(例如，电连接)到数据底线dbl。
382.类似于图22，数据底线dbl可设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
383.替代地，类似于图23，数据底线dbl可设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，数据连接单元dc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
384.图37是示出图32的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、感测连接孔snch和感测焊盘孔snph的示例的布局图。
385.图37的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，感测连接单元snc通过感测连接孔snch连接到感测底线snbl，并且感测底线snbl设置在感测焊盘孔snph中。参考图37，将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
386.参考图37，感测连接单元snc可从感测连接电极sne突出。例如，感测连接单元snc可在第一方向(例如，x轴方向)上从感测连接电极sne延伸。感测连接单元snc和感测连接电极sne可整体形成。感测连接单元snc可通过感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
387.感测连接孔snch可不与像素驱动单元pdu、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于感测连接孔snch而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
388.感测底线snbl可通过感测焊盘孔snph连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)、第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)以及第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)中的任一个的凸起。沿着图37的线r-r'截取的第一显示装置11的示例可与图12、图13、图15、图16、图18和图19中的任一个基本上相同。因此，可不重复对沿着图37的线r-r'截取的第一显示装置11的示例的冗余描述。
389.图38是沿着图37的线i-i'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
390.参考图38，感测连接单元snc可从感测连接电极sne突出。感测连接单元snc和感测连接电极sne可整体形成。感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
391.类似于图30，感测底线snbl可设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
392.替代地，类似于图31，感测底线snbl可设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，感测连接单元snc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
393.图39是示出图32的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、感测连接孔snch和感测焊盘孔snph的示例的布局图。
394.图39的实施方式与图37的实施方式的不同之处在于，感测连接单元snc不是从感测连接电极sne突出而是从感测线snl突出。参考图39，将主要描述与图37的实施方式的不同之处。
395.参考图39，感测连接单元snc可在第一方向(例如，x轴方向)上从感测线snl延伸。感测连接单元snc和感测线snl可整体形成。感测连接单元snc可通过感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
396.图40是沿着图39的线j-j'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
397.参考图40，感测连接单元snc可从感测线snl延伸。感测连接单元snc和感测线snl可整体形成。感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2和第二衬底sub2的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
398.感测底线snbl可设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
399.替代地，感测底线snbl可设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，感测连接单元snc可通过穿透第三阻挡层br3的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
400.图41是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
401.图41的实施方式与图4的实施方式的不同之处在于，设置扫描底线sbl和扫描连接孔sch代替第一电力底线vsbl、第一电力连接孔pch1、第二电力底线vdbl和第二电力连接孔pch2。参考图41，将主要描述与图4的实施方式的不同之处。
402.参考图41，扫描底线sbl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。扫描底线sbl可不与像素驱动单元pdu、第一电力线vsl、第二电力线vdl、感测线snl和数据线dl重叠。
403.扫描底线sbl可设置在任一个像素px的第一电力线vsl和在第一方向(例如，x轴方向)上与像素px相邻的另一像素px的感测线snl之间。扫描底线sbl可与扫描连接孔sch重叠。扫描底线sbl可通过扫描连接孔sch连接(例如，电连接)到扫描线sl。
404.扫描连接孔sch中的每个可以是用于将对应的扫描线sl连接(例如，电连接)到扫描底线sbl的孔。因为扫描连接孔sch较深，所以它们的尺寸可能较大。当扫描连接孔sch在第三方向(例如，z轴方向)上与像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线
snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠时，像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度可能由于扫描连接孔sch而较大。
405.如参考图2、图3a和图3b所述，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3可附接到第一显示装置11的后表面。当像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl的台阶高度由于扫描连接孔sch而较大时，通过在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力，可能在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
406.因此，扫描连接孔sch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元pdu重叠。此外，扫描连接孔sch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。此外，扫描连接孔sch可在第三方向(例如，z轴方向)上不与第一子像素发光单元peu1(例如，参见图5)重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于扫描连接孔sch而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、第一电力线vsl、数据线dl、感测线snl和第二电力线vdl中产生裂纹。
407.在设置在第一显示装置11的左边缘处的像素px中，扫描连接孔sch可设置在像素驱动单元pdu的右侧上。即，扫描连接孔sch距第一显示装置11的左边缘越近，第二衬底sub2破裂的概率越高。因此，扫描连接孔sch可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的左边缘。因此，可降低第二衬底sub2由于扫描连接孔sch而破裂的概率。
408.此外，在设置在第一显示装置11的右边缘处的像素px中，扫描连接孔sch可设置在像素驱动单元pdu的左侧上。即，扫描连接孔sch距第一显示装置11的右边缘越近，第二衬底sub2破裂的概率越高。因此，扫描连接孔sch可设置成比像素驱动单元pdu更远离第一显示装置11的右边缘。因此，可降低第二衬底sub2由于扫描连接孔sch而破裂的概率。
409.图42是示出图41的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、扫描连接孔sch和扫描焊盘孔sph的示例的布局图。
410.图42的实施方式与图6的实施方式的不同之处在于，扫描连接单元sc通过扫描连接孔sch连接到扫描底线sbl，并且扫描底线sbl设置在扫描焊盘孔sph中。参考图42，将主要描述与图6的实施方式的不同之处。
411.参考图42，扫描连接单元sc可从扫描线sl突出。例如，扫描连接单元sc可在第二方向(例如，y轴方向)上从扫描线sl延伸。扫描连接单元sc和扫描线sl可整体形成。扫描连接单元sc可通过扫描连接孔sch连接到扫描底线sbl。
412.扫描连接孔sch可不与像素驱动单元pdu、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl由于扫描连接孔sch而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板(例如，扫描电路板scb、第一
源极电路板dcb1、第二源极电路板dcb2和/或第三源极电路板dcb3)时施加的压力而在像素驱动单元pdu的开关元件、扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl中产生裂纹。
413.扫描底线sbl可通过扫描焊盘孔sph连接到第一源极电路板dcb1(例如，参见图3a)、第二源极电路板dcb2(例如，参见图3a)以及第三源极电路板dcb3(例如，参见图3a)中的任一个的凸起。沿着图42的线t-t'截取的第一显示装置11的示例可与图12、图13、图15、图16、图18和图19中的任一个基本上相同。因此，可不重复对沿着图42的线t-t'截取的第一显示装置11的示例的冗余描述。
414.图43是沿着图42的线k-k'截取的第一显示装置11的示例的剖视图。
415.参考图43，扫描连接单元sc可从扫描线sl突出。扫描连接单元sc和扫描线sl可整体形成。扫描连接单元sc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的扫描连接孔sch连接到扫描底线sbl。
416.扫描底线sbl可设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，扫描连接单元sc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的扫描连接孔sch连接到扫描底线sbl。
417.替代地，扫描底线sbl可设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上。在这种情况下，扫描连接单元sc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的扫描连接孔sch连接到扫描底线sbl。
418.图44是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的平面图。
419.图44的实施方式与图2的实施方式的不同之处在于，根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11包括竖直扫描线vrsl。参考图44，将主要描述与图2的实施方式的不同之处。
420.参考图44，竖直扫描线vrsl可在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可设置在第一方向(例如，x轴方向)上或沿着第一方向(例如，x轴方向)设置。竖直扫描线vrsl可平行于数据线dl设置。竖直扫描线vrsl可设置在第一显示区域da1、第二显示区域da2和/或第三显示区域da3中的至少一个中。在图44中，竖直扫描线vrsl仅设置在第二显示区域da2中。在这种情况下，代替竖直扫描线vrsl，可在第一显示区域da1和第三显示区域da3中设置与像素px的像素电极171形成电容的关断电压线。由于关断电压线，能够防止或基本上防止像素px的像素电极171的电压由于噪声而波动。
421.竖直扫描线vrsl中的每个可在第二显示区域da2中通过对应的扫描连接孔sch连接到对应的扫描底线sbl(例如，参见图45)。即，竖直扫描线vrsl可与扫描连接孔sch一一对应。
422.竖直扫描线vrsl中的每个可在第二显示区域da2中通过对应的扫描孔ssh连接到对应的扫描线sl。即，竖直扫描线vrsl可与扫描孔ssh一一对应。
423.图45是根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的仰视图。
424.图45的实施方式与图3a和图3b的实施方式的不同之处在于，省略了扫描电路板scb。参考图45，将主要描述与图3a和图3b的实施方式的不同之处。
425.参考图45，扫描底线sbl中的每个可通过对应的扫描连接孔sch连接到对应的扫描线sl(例如，参见图44)。即，扫描底线sbl可与扫描连接孔sch一一对应。扫描底线sbl中的每
个可通过对应的扫描焊盘孔sph连接到第二源极电路板dcb2的凸起。即，扫描底线sbl可与第二源极电路板dcb2的凸起一一对应。
426.因此，扫描线sl可通过扫描孔ssh、竖直扫描线vrsl、扫描连接孔sch和扫描底线sbl连接(例如，电连接)到第二源极电路板dcb2的凸起。因此，第二源极电路板dcb2的第二源极驱动单元ddu2的扫描信号可通过扫描底线sbl、扫描连接孔sch、竖直扫描线vrsl和扫描孔ssh传送到扫描线sl。
427.如图44和图45中所示，即使省略了扫描电路板scb和扫描驱动单元sdu，因为扫描线sl通过扫描孔ssh、竖直扫描线vrsl、扫描连接孔sch和扫描底线sbl连接(例如，电连接)到第二源极电路板dcb2的凸起，所以扫描线sl可从第二源极电路板dcb2接收扫描信号。因此，由于省略了扫描电路板scb和扫描驱动单元sdu，可降低制造成本。
428.图46是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
429.图46的实施方式与图4的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图46，将主要描述与图4的实施方式的不同之处。
430.参考图46，竖直扫描线vrsl可通过扫描孔ssh连接到扫描线sl。因此，竖直扫描线vrsl的扫描信号可被供应给扫描线sl。
431.竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与第一电力连接孔pch1之间。
432.竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第二电力连接孔pch2之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与第二电力连接孔pch2之间。
433.当第一电力连接孔pch1和第二电力连接孔pch2不设置在第一电力线vsl与感测线snl之间时，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与感测线snl之间。
434.图47是示出图46的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第一电力连接孔pch1和第一电力焊盘孔pph1的示例的布局图。
435.图47的实施方式与图20的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图47，将主要描述与图20的实施方式的不同之处。
436.参考图47，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间。第一电力连接单元pc1和第一电力连接电极vse1可整体形成。因为第一电力连接单元pc1设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以第一电力连接单元pc1可跨越竖直扫描线vrsl通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
437.除了竖直扫描线vrsl设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与第一电力连接单元pc1重叠之外，沿着图47的线u-u'截取的第一显示装置11的示例可与图21、图22和图23中的任一个基本上相同。
438.例如，类似于图21，第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
439.替代地，类似于图22，第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
440.替代地，类似于图23，第一电力连接单元pc1可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡
层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
441.图48是示出图46的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第一电力连接孔pch1和第一电力焊盘孔pph1的示例的布局图。
442.图48的实施方式与图24的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图48，将主要描述与图24的实施方式的不同之处。
443.参考图48，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间。第一电力连接单元pc1和第二电力连接电极vse2可整体形成。因为第一电力连接单元pc1设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以第一电力连接单元pc1可跨越竖直扫描线vrsl通过第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
444.除了竖直扫描线vrsl设置在第一电力线vsl与第一电力连接孔pch1之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与第一电力连接单元pc1重叠之外，沿着图48的线v-v'截取的第一显示装置11的示例可与图25、图26和图27中的任一个基本上相同。
445.例如，类似于图25，第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
446.替代地，类似于图26，第一电力连接单元pc1可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
447.替代地，类似于图27，第一电力连接单元pc1可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4和栅极绝缘层130的第一电力连接孔pch1连接到第一电力底线vsbl。
448.图49是示出图46的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、第二电力连接孔pch2和第二电力焊盘孔pph2的示例的布局图。图49的实施方式与图28的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图49，将主要描述与图28的实施方式的不同之处。
449.参考图49，竖直扫描线vrsl可设置在第二电力线vdl与第二电力连接孔pch2之间。第二电力连接单元pc2和第三电力连接电极vde可整体形成。因为第二电力连接单元pc2设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以第二电力连接单元pc2可跨越竖直扫描线vrsl通过第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
450.除了竖直扫描线vrsl设置在第二电力线vdl与第二电力连接孔pch2之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与第二电力连接单元pc2重叠之外，沿着图49的线x-x'截取的第一显示装置11的示例可与图29、图30和图31中的任一个基本上相同。
451.例如，类似于图29，第二电力连接单元pc2可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
452.替代地，类似于图30，第二电力连接单元pc2可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
453.替代地，类似于图31，第二电力连接单元pc2可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第二电力连接孔pch2连接到第二电力底线vdbl。
454.图50是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
455.图50的实施方式与图32的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参
考图50，将主要描述与图32的实施方式的不同之处。
456.参考图50，竖直扫描线vrsl可通过扫描孔ssh连接到扫描线sl。因此，竖直扫描线vrsl的扫描信号可被供应给扫描线sl。
457.竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与数据连接孔dch之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与数据连接孔dch之间。
458.竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与感测连接孔snch之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与感测连接孔snch之间。
459.当数据连接孔dch和感测连接孔snch不设置在第一电力线vsl与感测线snl之间时，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与感测线snl之间。
460.图51是示出图50的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、数据连接孔dch和数据焊盘孔dph的示例的布局图。
461.图51的实施方式与图33的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图51，将主要描述与图33的实施方式的不同之处。
462.参考图51，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第一数据连接孔dch1之间。因为数据连接单元dc设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以数据连接单元dc可跨越竖直扫描线vrsl通过第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
463.除了竖直扫描线vrsl设置在第一电力线vsl与第一数据连接孔dch1之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与数据连接单元dc重叠之外，沿着图51的线y-y'截取的第一显示装置11的示例可与图34基本上相同。
464.例如，类似于图34，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
465.替代地，当数据底线dbl设置在第二衬底sub2上时，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
466.替代地，当数据底线dbl设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上时，数据连接单元dc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4和栅极绝缘层130的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
467.图52是示出图50的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、数据连接孔dch和数据焊盘孔dph的示例的布局图。
468.图52的实施方式与图35的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图52，将主要描述与图35的实施方式的不同之处。
469.参考图52，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与第一数据连接孔dch1之间。因为数据连接单元dc设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以数据连接单元dc可跨越竖直扫描线vrsl通过第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
470.除了竖直扫描线vrsl设置在第一电力线vsl与第一数据连接孔dch1之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与数据连接单元dc重叠之外，沿着图52的线z-z'截取的第一显示装置11的示例可与图36基本上相同。
471.例如，类似于图36，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
472.替代地，当数据底线dbl设置在第二衬底sub2上时，数据连接单元dc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
473.替代地，当数据底线dbl设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2上设置在第二衬底sub2上时，数据连接单元dc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的第一数据连接孔dch1连接到数据底线dbl。
474.图53是示出图50的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、感测连接孔snch和感测焊盘孔snph的示例的布局图。
475.图53的实施方式与图37的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图53，将主要描述与图37的实施方式的不同之处。
476.参考图53，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与感测连接孔snch之间。因为感测连接单元snc设置在与竖直扫描线vrsl不同的层上或与竖直扫描线vrsl不同的层处，所以感测连接单元snc可跨越竖直扫描线vrsl通过感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
477.除了竖直扫描线vrsl设置在感测线snl与感测连接孔snch之间并且在第三方向(例如，z轴方向)上与感测连接单元snc重叠之外，沿着图53的线i-i'截取的第一显示装置11的示例可与图38基本上相同。
478.例如，类似于图38，感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2、第二衬底sub2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
479.替代地，当感测底线snbl设置在第二衬底sub2上时，感测连接单元snc可通过穿透第二阻挡层br2、第三阻挡层br3、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
480.替代地，当感测底线snbl设置在第二阻挡层br2上，第二阻挡层br2设置在第二衬底sub2上时，感测连接单元snc可通过穿透第三阻挡层br3、第四阻挡层br4、栅极绝缘层130和层间绝缘膜140的感测连接孔snch连接到感测底线snbl。
481.图54是示出根据本公开的一个或多个实施方式的第一显示装置11的子像素的布局图。
482.图54的实施方式与图41的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。参考图54，将主要描述与图41的实施方式的不同之处。
483.参考图54，竖直扫描线vrsl可通过扫描孔ssh连接到扫描线sl。因此，竖直扫描线vrsl的扫描信号可被供应给扫描线sl。
484.竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与扫描连接孔sch之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在感测线snl与扫描连接孔sch之间。
485.竖直扫描线vrsl可设置在另一第一电力线vsl与另一扫描连接孔sch之间。此外，竖直扫描线vrsl可设置在另一感测线snl与扫描连接孔sch之间。
486.当扫描连接孔sch不设置在第一电力线vsl与感测线snl之间时，竖直扫描线vrsl可设置在第一电力线vsl与感测线snl之间。
487.图55是示出图54的第一子像素驱动单元pdu1、第二子像素驱动单元pdu2、第三子像素驱动单元pdu3、扫描连接孔sch和扫描焊盘孔sph的示例的布局图。
488.图55的实施方式与图42的实施方式的不同之处在于，增加了竖直扫描线vrsl。沿着图55的线k-k'截取的第一显示装置11的示例与上面参考图43描述的示例基本上相同。在本公开中，扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl可统称为导电线。即，导电线可包括扫描线sl、数据线dl、感测线snl、第一电力线vsl和第二电力线vdl。
489.此外，第一电力底线vsbl、第二电力底线vdbl、数据底线dbl、感测底线snbl和扫描底线sbl可统称为导电底线。即，导电底线可包括第一电力底线vsbl、第二电力底线vdbl、数据底线dbl、感测底线snbl和扫描底线sbl。
490.此外，第一电力连接孔pch1、第二电力连接孔pch2、第一数据连接孔dch1、感测连接孔snch和扫描连接孔sch可统称为导电连接孔。即，导电连接孔可包括第一电力连接孔pch1、第二电力连接孔pch2、第一数据连接孔dch1、感测连接孔snch和扫描连接孔sch。
491.此外，第一电力连接单元pc1、第二电力连接单元pc2、数据连接单元dc、感测连接单元snc和扫描连接单元sc可统称为导电连接单元。即，导电连接单元可包括第一电力连接单元pc1、第二电力连接单元pc2、数据连接单元dc、感测连接单元snc和扫描连接单元sc。
492.此外，第一电力焊盘孔pph1、第二电力焊盘孔pph2、数据焊盘孔dph、感测焊盘孔snph和扫描焊盘孔sph可统称为导电焊盘孔。即，导电焊盘孔可包括第一电力焊盘孔pph1、第二电力焊盘孔pph2、数据焊盘孔dph、感测焊盘孔snph和扫描焊盘孔sph。
493.在根据实施方式的显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置中，扫描电路板和源极电路板在显示装置的后表面处通过连接孔连接到电力线、扫描线和数据线。为此，扫描电路板和源极电路板可不设置在显示装置的前表面和/或侧表面上。因此，能够最小化或减小在拼接显示装置中设置在多个显示装置之间的联接区域的宽度，从而防止或基本上防止联接区域被用户识别。因此，这可消除或减少显示装置之间的分离感并改善图像中的沉浸度。
494.在根据实施方式的显示装置和拼接显示装置中，导电连接孔在第三方向(例如，z轴方向)上不与像素驱动单元重叠。此外，导电连接孔可在第三方向(例如，z轴方向)上不与导电线重叠。因此，能够防止或基本上防止像素驱动单元的开关元件和导电线由于导电连接孔而被台阶化。因此，能够防止或基本上防止由于在附接电路板时施加的压力而在像素驱动单元的开关元件和导电线中产生裂纹。
495.然而，本公开的效果不限于本文中阐述的效果。通过参考权利要求及其等同物，本公开的以上和其它效果对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。