一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和BIPV组件与流程

一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和bipv组件
技术领域
1.本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种钙钛矿太阳能电池及其加工方法和bipv组件。


背景技术：

2.钙钛矿薄膜太阳能电池作为近年来发展最为迅速的第三代薄膜技术，未来在bipv产品上的应用也会越来越广泛。在bipv上应用时，由于建筑设计的需求，经常会出现各种尺寸、形状的非标产品，需要进一步对钙钛矿电池芯片进行切割加工。
3.现有的玻璃衬底产品，如碲化镉薄膜电池、非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池生产bipv组件时都是采用玻璃深加工常用的裁切、磨边、清洗加工技术，但是由于钙钛矿电池芯片中钙钛矿膜层能够吸收其周围环境中存在的水分子并形成一种类似(ch3nh3)4pbi6·
2h2o的水合物，另外根据分解理论，加工时接触到水会导致材料分解和器件性能下降。以当前常用的ch3nh3pbi3膜层为例，只要在湿度环境下，钙钛矿层接触到水汽，以上的反应就会向右自动发生，其化学反应方程式如下：
[0004][0005][0006][0007][0008]
因此，玻璃深加工常用的裁切、磨边和清洗加工时需要接触到水，例如磨边时会采用喷水冷却，清洗也是采用水洗的方式，水分子透过钙钛矿电池表面而与钙钛矿膜层发生反应，所以这种方式无法用来加工钙钛矿薄膜电池以生产非标尺寸bipv组件。


技术实现要素：

[0009]
本发明的主要目的是提供一种钙钛矿太阳能电池的加工方法，旨在解决现有技术中的玻璃深加工需要接触到水，无法用来加工钙钛矿薄膜电池的技术问题。
[0010]
为实现上述目的，本发明提出的钙钛矿太阳能电池的加工方法，包括以下步骤：
[0011]
提供第一钙钛矿太阳能电池芯片；
[0012]
裁切：采用非接触式切割或机械切割对所述第一钙钛矿太阳能电池芯片进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片；且至少在采用所述机械切割进行裁切后对所述第二钙钛矿太阳能电池芯片进行磨边，在磨边步骤中通过液态气体降温或通过水冷降温；其中，至少在水冷降温步骤中，所述第二钙钛矿太阳能电池芯片上覆盖防水保护膜。
[0013]
可选地，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0014]
清洁表面：至少在所述磨边步骤后使用压缩空气清洁所述第二钙钛矿太阳能电池芯片的表面。
[0015]
可选地，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0016]
刻划绝缘线：于裁切步骤前在所述第一钙钛矿太阳能电池芯片上采用激光刻划所述绝缘线。
[0017]
可选地，所述第一钙钛矿太阳能电池芯片具有玻璃基层和位于玻璃基层表面上的若干层镀膜层，且位于玻璃基层表面上的第一层所述镀膜层为tco膜层；所述绝缘线至少除去所述tco膜层以外的所有镀膜层。
[0018]
可选地，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0019]
扫边：沿所述绝缘线对所述第一钙钛矿太阳能电池芯片进行扫边，即去除玻璃基层上的所有所述镀膜层，得到扫边部，裁切步骤沿所述扫边部进行。
[0020]
可选地，扫边步骤的工艺步骤包括激光工艺、喷砂工艺或溶液腐蚀工艺。
[0021]
可选地，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0022]
封装：所述第二钙钛矿太阳能电池芯片形成有效的电连接，所述第二钙钛矿太阳能电池芯片至少一面上覆盖封装胶膜，所述第二钙钛矿太阳能电池芯片至少一面上封装有封装玻璃。
[0023]
可选地，所述液态气体选自液氮、液氧、液态氩气、液态空气、液态二氧化碳或液态氦气中的至少一种。
[0024]
可选地，所述防水保护膜至少一面具有粘性，所述防水保护膜粘贴在所述第二钙钛矿太阳能电池芯片上。
[0025]
可选地，在采用所述非接触式切割进行裁切后对所述第二钙钛矿太阳能电池芯片进行磨边。
[0026]
可选地，所述第一钙钛矿太阳能电池芯片为标准钙钛矿太阳能电池，所述第二钙钛矿太阳能电池芯片为非标钙钛矿太阳能电池。
[0027]
可选地，所述机械切割选自玻璃刀切割、cnc研磨切割、刀轮切割或微丝切割中的任意一种；所述非接触式切割为激光切割或等离子切割。
[0028]
本发明还提出一种钙钛矿太阳能电池，具有所述的钙钛矿太阳能电池的加工方法。
[0029]
本发明还提出一种bipv组件，包含所述的钙钛矿太阳能电池的加工方法得到的钙钛矿太阳能电池。
[0030]
可选地，该bipv组件还包括封装胶膜以及封装玻璃；所述封装胶膜覆盖在所述钙钛矿太阳能电池的至少一个表面上；封装玻璃至少覆盖在所述钙钛矿太阳能电池的至少一个表面上。
[0031]
可选地，所述封装胶膜选自乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、离子型胶片或乙烯-α-烯烃共聚物中的至少一种。
[0032]
本发明技术方案通过采用非接触式切割或机械切割对所述第一钙钛矿太阳能电池芯片进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片，非接触式切割后续可不进行磨边工序，因而无需接触到水。而机械切割后续的磨边工序，通过液态气体降温，避免接触到水，若采用水冷降温，在水冷降温步骤中，第二钙钛矿太阳能电池芯片上覆盖防水保护膜，加工后的电池芯片不会出现钙钛矿膜层的水解反应导致产品电性能与稳定性下降问题，使用该加工方法可加工各种尺寸形状的钙钛矿太阳能电池用以制造bipv组件，满足建筑幕墙、屋顶等
各种场景应用需求。
附图说明
[0033]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0034]
图1为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的第一钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0035]
图2为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的第一钙钛矿太阳能电池芯片的剖视示意图；
[0036]
图3为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的刻划绝缘线步骤后的第一钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0037]
图4为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的刻划绝缘线步骤后的第一钙钛矿太阳能电池芯片的剖视示意图；
[0038]
图5为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的扫边步骤后的第一钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0039]
图6为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的扫边步骤后的第一钙钛矿太阳能电池芯片的剖视示意图；
[0040]
图7为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的裁切步骤后的第二钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0041]
图8为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的磨边步骤中的第二钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0042]
图9为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法另一实施例中的磨边步骤中的第二钙钛矿太阳能电池芯片的前视示意图；
[0043]
图10为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法一实施例中的封装步骤后的bipv组件的结构示意图；
[0044]
图11为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法另一实施例中的封装步骤后的bipv组件的结构示意图；
[0045]
图12为本发明一种钙钛矿太阳能电池的加工方法实施例1、2和3的流程图。
[0046]
附图标号说明：
[0047]
1a、第一钙钛矿太阳能电池芯片；11、绝缘线；12、扫边部；13、导电玻璃；131、玻璃基层；132、tco层；14a、第一传输层；15、钙钛矿吸收层；14b、第二传输层；16、背电极层；1b、第二钙钛矿太阳能电池芯片；2、磨轮；3、液态气体输出装置；4、水冷装置；5、防水保护膜；6、bipv组件；61、封装胶膜；62、封装玻璃。
[0048]
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0049]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0050]
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0051]
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0052]
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
[0053]
本发明提出一种钙钛矿太阳能电池的加工方法。
[0054]
在本发明实施例中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法，包括以下步骤：
[0055]
提供第一钙钛矿太阳能电池芯片，如图1所示；
[0056]
裁切：采用非接触式切割或机械切割对第一钙钛矿太阳能电池芯片1a进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片1b，如图7所示。可选地，机械切割选自玻璃刀切割、cnc研磨切割、刀轮切割或微丝切割中的任意一种。非接触式切割为激光切割或等离子切割。激光切割或等离子切割的切割效果好，但设备成本高。机械切割的切割效果一般，但设备成本低。
[0057]
如图8和图9所示，且至少在采用机械切割进行裁切后对第二钙钛矿太阳能电池芯片1b进行磨边，应理解为，由于采用机械切割后，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的切割边缘会出现裂纹、崩边或崩角等现象，需要对其进行磨边。采用非接触式切割后，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的切割边缘并不锋利，很少存在裂纹、崩边、崩角现象，则不需要对其进行磨边。当然，若非接触式切割后，切割边缘出现裂纹、崩边、崩角等现象，也需要对其进行磨边。
[0058]
如图8和图9所示，在磨边步骤中通过液态气体降温或通过水冷降温。其中，至少在水冷降温步骤中，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b上覆盖防水保护膜5，此处可理解为在液态气体降温时无需覆盖防水保护膜5，但若需要防水保护时，也可以覆盖上防水保护膜5。水冷降温时，通过水冷装置4跟随磨轮2喷水冷却，防水保护膜5可避免水分渗透至第二钙钛矿太阳能电池芯片1b。优选地，防水保护膜5为高分子塑料膜。可选地，防水保护膜5至少一面具有粘性，防水保护膜5粘贴在第二钙钛矿太阳能电池芯片1b上，避免在加工过程中脱落。但这种保护方式既增加了操作成本又无法完全确保有效性。因此，磨边步骤中更优选是液态气体降温。在磨边时不断通过液态气体输出装置3通入液态气体降温，既避免了干磨扫边现象，又不会出现水分渗透。
[0059]
液态气体降温优选是气化后形成低温气流用以降温，并跟随磨轮2喷射在磨边处。液态气体的喷射量可以根据需要调节，以确保磨边处冷却后稳定在室温或室温附近，避免因冷却过度导致第二钙钛矿太阳能电池芯片1b表面温度过低而形成有冷凝水。
[0060]
可选地，液态气体选自液氮、液氧、液态氩气、液态空气、液态二氧化碳或液态氦气中的至少一种。上述液态气体均具有冷却效果，且不与电池芯片上的化合物反应，或反应较为缓慢，上述化合物不限于钙钛矿膜。因此，液态气体不限于上述列举的气体，任何具有以上特性的气体均可用于磨边步骤中。
[0061]
在与本发明等同的实施方式中，可以采用冷油、冷冻气体等冷却介质代替液态气体，这些冷却介质需要满足以下要求：不含水或含水量低，且不与电池芯片上的化合物膜层反应，上述化合物膜层包括但不限于钙钛矿膜层。
[0062]
本发明技术方案通过采用非接触式切割或机械切割对第一钙钛矿太阳能电池芯片1a进行裁切得到第二钙钛矿太阳能电池芯片1b，非接触式切割后续可不进行磨边工序，因而加工过程无需接触到水。而机械切割后续的磨边工序，通过液态气体降温，避免接触到水，若采用水冷降温，在水冷降温步骤中，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b上覆盖防水保护膜5，加工后的电池芯片不会出现钙钛矿膜层的水解反应导致产品电性能与稳定性下降问题，使用该加工方法可加工各种尺寸形状的钙钛矿太阳能电池用以制造bipv组件6，满足建筑幕墙、屋顶等各种场景应用需求。
[0063]
在本发明实施例中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0064]
清洁表面：至少在所述磨边步骤后使用压缩空气清洁第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的表面。
[0065]
其他薄膜电池芯片(非晶硅薄膜、碲化镉薄膜、铜铟镓硒薄膜)在磨边后可使用玻璃清洗机对钙钛矿电池芯片表面进行清洗并使用风刀吹干。由于现有技术中的玻璃清洗机一般都是用带清洗剂的水来清洗表面，在钙钛矿电池上无法使用。故本发明采用压缩空气吹扫，去除表面玻璃粉尘颗粒等。
[0066]
在本发明实施例中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0067]
刻划绝缘线：如图3和图4所示，于裁切步骤前在第一钙钛矿太阳能电池芯片1a上采用激光刻划绝缘线11，具体地，第一钙钛矿太阳能电池芯片1a具有玻璃基层131和位于玻璃基层131表面上的若干层镀膜层，且位于玻璃基层131表面上的第一层镀膜层为tco膜层；绝缘线11至少除去tco膜层以外的所有镀膜层。刻划绝缘线步骤的目的是避免在进行激光扫边时候出现前被电极连接而短路的现象。
[0068]
具体地，本发明的钙钛矿太阳能电池既可以是n-i-p结构，也可以是p-i-n结构。应理解，本发明的钙钛矿太阳能电池不限于上述两种结构。
[0069]
如图2所示，两种结构的钙钛矿太阳能电池均包括由下至上依次层叠的导电玻璃13、第一传输层14a、钙钛矿吸收层15、第二传输层14b和背电极层16。导电玻璃13包括玻璃基层131和tco层132。
[0070]
具体地，n-i-p结构的钙钛矿太阳能电池包括由下至上依次层叠的导电玻璃13、电子传输层(第一传输层14a)、钙钛矿吸收层15、空穴传输层(第二传输层14b)和背电极层16。
[0071]
p-i-n结构的钙钛矿太阳能电池包括由下至上依次层叠的导电玻璃13、空穴传输层(第一传输层14a)、钙钛矿吸收层15、电子传输层(第二传输层14b)和背电极层16。
[0072]
可选地，电子传输层与空穴传输层也可以不用。
[0073]
可选地，可以通过激光刻划方式将钙钛矿层和背电极层16按指定比例去除，形成具有一定透光率的电池芯片。
[0074]
钙钛矿吸收层15为有机无机杂化钙钛矿半导体薄膜，可以是mapbi3、fapbi3、fa
x
ma
1-x
pb(i
x
br
1-x
)3或cs
x
(fayma
1-y
)
1-x
pb(iybr
1-y
)3等，其中ma是指甲胺，fa是指甲脒，x，y为0-1之间的数。
[0075]
可选的，可以通过激光刻划方式将钙钛矿层、背电极层16按指定比例去除，形成具有一定透光率的电池芯片。
[0076]
进一步地，如图4所示，刻划绝缘线步骤需要将电子传输层、钙钛矿吸收层15、空穴传输层和背电极层16去除，留下玻璃基层131和tco层132。若没有电子传输层和空穴传输层，则只是除去钙钛矿吸收层15和背电极层16。
[0077]
在本发明实施例中，刻划绝缘线步骤需要按照指定bipv组件6所需的电池芯片尺寸形状要求进行。
[0078]
在本发明实施例中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0079]
扫边：如图5和图6所示，沿绝缘线11对第一钙钛矿太阳能电池芯片1a进行扫边，即去除玻璃基层131上的所有镀膜层，得到扫边部12，以确保最终产品的绝缘性能，避免出现漏电伤人事件。裁切步骤沿扫边部12进行。术语“扫边部12”应理解为扫边步骤后形成的区域。
[0080]
进一步地，如图6所示，扫边步骤需要将tco层132、电子传输层、钙钛矿吸收层15、空穴传输层和背电极层16去除，只留下玻璃基层131。
[0081]
在本发明实施例中，扫边步骤的工艺步骤包括激光工艺、喷砂工艺或溶液腐蚀工艺。
[0082]
在本发明实施例中，该钙钛矿太阳能电池的加工方法还包括以下步骤：
[0083]
封装：如图10和图11所示，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b形成有效的电连接，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b至少一面上覆盖封装胶膜61，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b至少一面上封装有封装玻璃62。
[0084]
可选地，如图11所示，可以在第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的正面、背面覆盖上封装胶膜61，再在第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的正面、背面封装有封装玻璃62。
[0085]
或者，如图10所示，在第二钙钛矿太阳能电池芯片1b的一面覆盖上封装胶膜61，再在这一面上封装有封装玻璃62。
[0086]
在本发明实施例中，第一钙钛矿太阳能电池芯片1a为标准钙钛矿太阳能电池，第二钙钛矿太阳能电池芯片1b为非标钙钛矿太阳能电池。即本发明的钙钛矿太阳能电池的加工方法是将标准钙钛矿太阳能电池加工成非标钙钛矿太阳能电池的方法。应理解，本发明还适用于各种需要将钙钛矿太阳能电池裁切成特定尺寸或形状的场景。因此，第一钙钛矿太阳能电池芯片1a不限于是标准钙钛矿太阳能电池。第二钙钛矿太阳能电池芯片1b也不限于是非标钙钛矿太阳能电池。
[0087]
本发明还提出一种钙钛矿太阳能电池，具有的钙钛矿太阳能电池的加工方法，该钙钛矿太阳能电池的加工方法的具体步骤参照上述实施例，由于该钙钛矿太阳能电池采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有
益效果，在此不再一一赘述。
[0088]
本发明还提出一种bipv组件6，包含上述钙钛矿太阳能电池的加工方法得到的钙钛矿太阳能电池。
[0089]
可选地，该bipv组件6还包括封装胶膜61以及封装玻璃62，封装胶膜61覆盖在钙钛矿太阳能电池的至少一个表面上。封装玻璃62至少覆盖在钙钛矿太阳能电池的至少一个表面上。
[0090]
可选地，封装胶膜61选自乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、离子型胶片或乙烯-α-烯烃共聚物中的至少一种。
[0091]
为了进一步理解本发明，下面结合具体的实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
[0092]
实施例1
[0093]
如图12所示，本实施例主要步骤如下：
[0094]
提供第一钙钛矿太阳能电池芯片s1：利用玻璃基钙钛矿电池生产线制造出产线标准尺寸的钙钛矿电池芯片，即标准钙钛矿太阳能电池。
[0095]
刻划绝缘线s2：按照指定bipv组件6所需的非标钙钛矿太阳能电池尺寸形状要求在标准钙钛矿太阳能电池上采用激光刻划绝缘线11，绝缘线11除去玻璃基层131上除tco层132以外的所有镀膜层。
[0096]
扫边s3：使用激光沿绝缘线11对标准钙钛矿太阳能电池进行扫边，即去除玻璃基层131上的所有镀膜层，得到扫边部12，以确保最终产品的绝缘性能，避免出现漏电伤人事件。
[0097]
裁切刀裁切s4a：使用玻璃裁切刀按照指定尺寸裁切标准钙钛矿太阳能电池，得到非标钙钛矿太阳能电池。
[0098]
液氮冷却磨边s5a：使用带液氮的双玻磨边机或单边磨边机对非标钙钛矿太阳能电池进行磨边。
[0099]
清洁表面s6：使用压缩空气吹扫清洁非标钙钛矿太阳能电池的表面。
[0100]
封装s7：使用封装胶膜61、封装玻璃62与非标尺寸电池芯片进行封装，封装前使用导电引线、绝缘胶带等在电池芯片表面形成有效的电连接，方便后续安装光伏接线盒。
[0101]
封装胶膜61可以采用eva(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、pvb(聚乙烯醇缩丁醛)、sgp(离子型胶片)、poe(乙烯-α-烯烃共聚物)等高分子粘结剂。
[0102]
封装用的玻璃还可以进行镀膜、彩釉等处理，使之具备多种色彩、图案效果。
[0103]
安装光伏接线盒。接线盒可以采用一体式接线盒，也可以采用分体式接线盒，接线盒安装位置可以在bipv组件6侧边或bipv组件6背部。
[0104]
实施例2
[0105]
如图12所示，本实施例主要步骤如下：
[0106]
提供第一钙钛矿太阳能电池芯片s1：利用玻璃基钙钛矿电池生产线制造出产线标准尺寸的钙钛矿电池芯片，即标准钙钛矿太阳能电池。
[0107]
刻划绝缘线s2：按照指定bipv组件6所需的非标钙钛矿太阳能电池尺寸形状要求，在标准钙钛矿太阳能电池上采用激光刻划绝缘线11，绝缘线11除去玻璃基层131上除tco层
132以外的所有镀膜层。
[0108]
扫边s3：使用激光沿绝缘线11对标准钙钛矿太阳能电池进行扫边，即去除玻璃基层131上的所有镀膜层，得到扫边部12，以确保最终产品的绝缘性能，避免出现漏电伤人事件。
[0109]
激光裁切s4b：使用激光切割机，按照需求切割标准钙钛矿太阳能电池，得到非标钙钛矿太阳能电池。由于切割边缘并不锋利，很少存在裂纹、崩边、崩角现象，后续不需要对其进行磨边。
[0110]
封装s7：使用封装胶膜61、玻璃与非标钙钛矿太阳能电池进行封装，封装前使用导电引线、绝缘胶带等在电池芯片表面形成有效的电连接，方便后续安装光伏接线盒。
[0111]
封装胶膜61可以采用eva(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、pvb(聚乙烯醇缩丁醛)、sgp(离子型胶片)、poe(乙烯-α-烯烃共聚物)等高分子粘结剂。
[0112]
封装用的玻璃还可以进行镀膜、彩釉等处理，使之具备多种色彩、图案效果。
[0113]
安装光伏接线盒。接线盒可以采用一体式接线盒，也可以采用分体式接线盒，接线盒安装位置可以在bipv组件6侧边或bipv组件6背部。
[0114]
实施例3
[0115]
如图12所示，本实施例主要步骤如下：
[0116]
提供第一钙钛矿太阳能电池芯片s1：利用玻璃基钙钛矿电池生产线制造出产线标准尺寸的钙钛矿电池芯片，即标准钙钛矿太阳能电池。
[0117]
刻划绝缘线s2：按照指定bipv组件6所需的非标钙钛矿太阳能电池尺寸形状要求，在标准钙钛矿太阳能电池上采用激光刻划绝缘线11，绝缘线11除去玻璃基层131上除tco层132以外的所有镀膜层。
[0118]
扫边s3：使用激光沿绝缘线11对标准钙钛矿太阳能电池进行扫边，即去除玻璃基层131上的所有镀膜层，得到扫边部12，以确保最终产品的绝缘性能，避免出现漏电伤人事件。
[0119]
裁切刀裁切s4a：使用玻璃裁切刀按照指定尺寸裁切标准钙钛矿太阳能电池，得到非标钙钛矿太阳能电池。
[0120]
覆盖防水保护膜后水冷磨边s5b：在非标钙钛矿太阳能电池表面粘贴一层带单面粘接胶的高分子塑料膜，避免后续磨边清洗的水汽入侵。使用玻璃深加工行业中的磨边机、清洗机进行磨边、清洗；撕掉高分子塑料膜。
[0121]
封装s7：使用封装胶膜61、玻璃与非标钙钛矿太阳能电池进行封装，封装前使用导电引线、绝缘胶带等在电池芯片表面形成有效的电连接，方便后续安装光伏接线盒。
[0122]
封装胶膜61可以采用eva(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、pvb(聚乙烯醇缩丁醛)、sgp(离子型胶片)、poe(乙烯-α-烯烃共聚物)等高分子粘结剂。
[0123]
封装用的玻璃还可以进行镀膜、彩釉等处理，使之具备多种色彩、图案效果。
[0124]
安装光伏接线盒。接线盒可以采用一体式接线盒，也可以采用分体式接线盒，接线盒安装位置可以在bipv组件6侧边或bipv组件6背部。
[0125]
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。