一种晶圆竖直清洗装置和方法与流程

1.本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆竖直清洗装置和方法。


背景技术：

2.在半导体领域，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在晶圆制程中，例如：沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等，都有可能在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，制造的半导体器件良率不高。
3.为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
4.辊刷清洗作为一种应用较为广泛的晶圆清洗方式，其工作原理为：使晶圆旋转，并将去离子水、药液等清洗液从供给喷管供给到晶圆上，同时使辊形海绵等辊形清洗件与晶圆滑动接触。晶圆的表面在清洗液的存在下，利用清洗件与晶圆的滑动接触而被清洗。
5.然而现有技术存在以下问题：由于晶圆和清洗件同时旋转，在晶圆的表面上刷洗效果最好的区域，是清洗件与晶圆的相对速度最高的第一区域。而与晶圆中心为界，相对第一区域的另一侧，是清洗件与晶圆相对速度最低的第二区域，刷洗效果差。在清洗过程中，清洗液会被同时供给到第一区域和第二区域，新供给到第一区域的新清洗液会随着晶圆旋转而大部分转移至第二区域与清洗件接触，并且，清洗件下方的已使用过的含有清洗屑的清洗液会随着晶圆旋转而再次回到第一区域，稀释第一区域的新清洗液。总而言之，刷洗效果好的第一区域不仅新供给的新清洗液量少，而且会被已使用过的含有清洗屑的清洗液稀释，最终导致清洗效果下降，晶圆表面会残留污染物，良品率降低。


技术实现要素：

6.本发明实施例提供了一种晶圆竖直清洗装置和方法，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
7.本发明实施例的第一方面提供了一种晶圆竖直清洗装置，包括：
8.晶圆旋转组件，用于支撑晶圆并驱动晶圆在竖直面内旋转；
9.两个清洗刷，分别设置于晶圆的两侧并对晶圆表面进行滚动刷洗；
10.清洗刷驱动机构，用于支撑清洗刷并驱动清洗刷移动和转动；
11.第一喷淋杆，用于将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域；
12.第二喷淋杆，用于将清洗液供给至位于清洗刷下方的晶圆表面的下部区域，其中，所述下部区域相对于晶圆的旋转方向位于清洗刷的上游侧区域。
13.在一个实施例中，所述两个清洗刷以相反方向滚动，并且其与晶圆接触位置向晶圆施加向下的摩擦力。
14.在一个实施例中，从所述清洗刷的进液端看过去，所述晶圆向上转动，位于晶圆左侧的清洗刷顺时针旋转，位于晶圆右侧的清洗刷逆时针旋转。
15.在一个实施例中，所述清洗液相对于晶圆表面的供给角度为5
°
～30
°
。
16.在一个实施例中，所述晶圆的转速为20～200rpm。
17.在一个实施例中，所述晶圆旋转组件包括主动辊轮和从动辊轮，主动辊轮和从动辊轮设置于晶圆下方。
18.在一个实施例中，所述主动辊轮和从动辊轮配置有沿辊体的外周侧设置的卡槽。
19.在一个实施例中，所述主动辊轮上设置有用于检测晶圆转速的转速传感器。
20.在一个实施例中，所述清洗刷驱动机构包括：
21.清洗刷支撑组件，用于支撑位于待清洗晶圆两侧的两个清洗刷；
22.清洗刷移动组件，其与清洗刷支撑组件连接，以驱动清洗刷支撑组件及其上的清洗刷整体移动。
23.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗装置还包括位移传感器，用于测量两个清洗刷之间的距离。
24.本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆竖直清洗方法，包括：
25.在滚动的清洗刷对旋转的晶圆进行滚动刷洗时，使第一喷淋杆将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域；
26.使第二喷淋杆将清洗液供给至位于清洗刷下方的晶圆表面的下部区域，其中，所述下部区域相对于晶圆的旋转方向位于清洗刷的上游侧区域。
27.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：使所述第二喷淋杆喷淋化学液，以防止清洗刷回沾污染物。
28.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：控制位于晶圆两侧的两个清洗刷以相反方向滚动，并且其与晶圆接触位置向晶圆施加向下的摩擦力。
29.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：控制所述晶圆的旋转方向，以从所述清洗刷的进液端看过去所述晶圆向上转动。
30.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：使晶圆旋转，控制第一喷淋杆开始向晶圆表面喷淋清洗液；
31.清洗刷夹紧晶圆开始进行刷洗，持续第一预设时长；
32.控制第一喷淋杆停止喷淋，使第二喷淋杆开始向晶圆表面喷淋清洗液，并持续第二预设时长；
33.重复执行以上第一喷淋杆和第二喷淋杆的交替清洗步骤。
34.在一个实施例中，所述清洗液相对于晶圆表面的供给角度为5
°
～30
°
。
35.在一个实施例中，所述晶圆的转速为20～200rpm。
36.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：检测清洗刷的污染程度，当清洗刷的污染程度达到一定程度后，控制第一喷淋杆和/或第二喷淋杆旋转一定角度以对清洗刷进行冲洗。
37.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：根据所述第二喷淋杆的作业情况调整其作业角度，以使清洗液喷淋覆盖晶圆与清洗刷的交界线。
38.在一个实施例中，所述晶圆竖直清洗方法还包括：调整所述第二喷淋杆的角度使其垂直于晶圆或清洗装置的内壁喷射，以利用所述晶圆或清洗装置的内壁反射的清洗液来清洗所述第二喷淋杆。
39.本发明实施例的有益效果包括：通过在清洗刷下方设计第二喷淋杆，提供新鲜的清洗液至清洗刷与晶圆之间相对速度最大的区域，在供液量大和刷洗作用强的双重作用下，提高污染物的去除效果。
附图说明
40.图1示出了本发明一实施例提供的晶圆加工设备；
41.图2示出了本发明一实施例提供的晶圆竖直清洗装置；
42.图3示出了图2中晶圆竖直清洗装置的工作原理；
43.图4示出了图3中清洗刷的工作原理；
44.图5示出了本发明一实施例提供的晶圆竖直清洗方法；
45.图6示出了本发明另一实施例提供的晶圆竖直清洗方法。
具体实施方式
46.下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本技术权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本发明具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
47.此外，还需要说明的是，本技术中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
48.为了说明本发明所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
49.在本技术中，化学机械抛光(chemical mechanical polishing)也称为化学机械平坦化(chemical mechanical planarization)，晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含义和实际作用等同。
50.如图1所示，本发明一实施例提供的晶圆加工设备100包括：缓存模块110、两个加工模块120和前端模块150。
51.缓存模块110可以设置有多层，多层缓存模块110可以同时缓存多片晶圆。
52.加工模块120用于抛光晶圆，两个加工模块120可以独立工作。每个加工模块120都可以包括：抛光单元121、第一机械手122、传输单元123、第二机械手124和多个清洗单元125。
53.如图1所示，晶圆加工设备100包括四个抛光单元121，抛光单元121可以为化学机械抛光单元。当晶圆加工设备100工作时，晶圆可以进入四个抛光单元121中的任意一个或多个进行抛光，完成一步或多步抛光后，将晶圆送回传输单元123。如图1所示，每个抛光单元121可以包括：抛光盘211、抛光头212和装卸平台213，两个抛光单元121的装卸平台213均
邻近第二机械手124设置。
54.如图1所示，两个加工模块120的抛光单元121之间可以形成有传输模块130，传输单元123均可以设置在传输模块130内。传输单元123可以在第一机械手122和第二机械手124之间传输晶圆。第一机械手122在缓存模块110和传输单元123之间以及传输单元123和清洗单元125之间运动。第二机械手124用于为抛光单元121传输晶圆。
55.如图1所示，每个清洗单元125可以包括：多个清洗模块251、干燥模块252、竖直缓存模块253和翻转模块254，清洗模块251、干燥模块252、竖直缓存模块253和翻转模块254并排布置。其中，多个清洗模块251中的至少一个可以采用晶圆竖直清洗装置1实现，还可以采用浸泡式、旋转式、兆声式和/或喷淋式等多种方式实现晶圆清洗。干燥模块252可以采用旋转式和/或提拉式等多种方式实现晶圆干燥。可以理解的是，清洗模块251的数量还可以是其他数目，并不局限于图1所示。
56.如图1所示，每个清洗单元125还可以包括：第三机械手255和第四机械手256，第三机械手255在清洗模块251和竖直缓存模块253的上方移动，第四机械手256在清洗模块251、干燥模块252和翻转模块254的上方移动。
57.如图1所示，两个加工模块120的清洗单元125之间留有布置空间140，两个第一机械手122和缓存模块110设置在布置空间140内。
58.图2是本发明一个实施例提供的晶圆竖直清洗装置1的结构示意图，晶圆竖直清洗装置1包括箱体10、晶圆旋转组件20、两个清洗刷40、清洗刷驱动机构30、第一喷淋杆61和第二喷淋杆62。
59.如图2所示，在本发明的一个实施例中，晶圆旋转组件20，用于支撑晶圆w并驱动晶圆w在竖直面内旋转。晶圆旋转组件20设置于底座的上部，待清洗晶圆w由晶圆旋转组件20支撑并绕水平的轴线旋转。晶圆w的转速为20～200rpm，优选为20～50rpm。
60.其中，晶圆旋转组件20包括固定座、一对主动辊轮和从动辊轮，主动辊轮和从动辊轮配置有用于支撑晶圆w的卡槽，卡槽绕辊轮的外周侧设置。主动辊轮和从动辊轮设置于固定座。从动辊轮设置于固定座的中部，主动辊轮对称设置于从动辊轮的两侧。一对主动辊轮和从动辊轮沿晶圆w的外缘轮廓设置，放置于晶圆旋转组件20的晶圆w由卡槽限位，晶圆w的外缘与卡槽的底面相切设置。主动辊轮配置有驱动电机，驱动电机驱动主动辊轮旋转。晶圆w的外缘与辊轮之间的摩擦力带动晶圆w绕其轴线旋转。
61.在一个实施例中，从动辊轮上设置有用于检测晶圆w转速的转速传感器，转速传感器可以由霍尔传感器或光电开关传感器实现。
62.如图2所示，在本发明的一个实施例中，两个清洗刷，分别设置于晶圆w的两侧并对晶圆w表面进行滚动刷洗。两个清洗刷40分别为第一清洗刷41和第二清洗刷42，分别设置于待清洗晶圆w的两侧，可绕自身轴线滚动以接触待清洗晶圆w的表面进行刷洗。清洗刷40为圆筒状结构，其由具有良好吸水性的材料，如聚乙烯醇(pva)制成。清洗刷40充液后变软，可以对晶圆w进行刷洗，所以在清洗过程中需要随时使清洗刷40保持充液的状态。
63.位于晶圆w两侧的清洗刷40可以沿水平方向移动以远离或靠近晶圆w。清洗刷40远离晶圆w时，清洗刷40与晶圆w预留一定间隙，晶圆搬运机械手可夹持晶圆w以取走完成清洗的晶圆w；清洗刷40靠近晶圆w移动时，清洗刷40与晶圆w抵接并以接触方式实施晶圆w表面的清洗。
64.如图2所示，在本发明的一个实施例中，清洗刷驱动机构30，用于带动两个清洗刷40相向移动并以一定夹角夹持晶圆w进行滚动刷洗。清洗刷驱动机构30包括清洗刷支撑组件和清洗刷移动组件。
65.清洗刷支撑组件，用于支撑位于待清洗晶圆w两侧的两个清洗刷40。
66.清洗刷移动组件，其与清洗刷支撑组件连接，以驱动清洗刷支撑组件及其上的清洗刷40整体移动。清洗刷移动组件包括导轨、丝杠和驱动件，导轨和丝杆分别与清洗刷支撑组件连接以在丝杠的带动下使清洗刷支撑组件沿导轨移动，驱动件设置于丝杠的端部，驱动件驱动丝杠动作，从而带动清洗刷支撑组件及清洗刷40整体移动，以使得清洗刷40的两端同时接触或远离晶圆w。进一步地，清洗刷40两端分别设置丝杆，从而可实现分别调节清洗刷40两端的移动距离。
67.在一个实施例中，清洗刷支撑组件上设有位移传感器，用于测量两个清洗刷之间的距离。
68.如图2所示，在本发明的一个实施例中，晶圆竖直清洗装置1还包括连接于清洗刷一端的进液机构50，如图3中粗框箭头所示，通过进液机构50不断地向清洗刷提供液体，使清洗刷保持湿润的状态。其中，清洗刷由多孔性材料制成，能够吸附大量液体。该液体可以是酸性或碱性的溶液，也可以是去离子水。
69.如图2所示，在本发明的一个实施例中，晶圆竖直清洗装置1中设置第一喷淋杆61和第二喷淋杆62，用于将清洗液供给至晶圆w表面。清洗液相对于晶圆w表面的供给角度为5
°
～30
°
。
70.第一喷淋杆61，用于将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆w表面的上部区域，其中，上部区域位于清洗刷与晶圆w接触区域的上方；
71.第二喷淋杆62，用于将清洗液供给至位于清洗刷下方的晶圆w表面的下部区域，其中，所述下部区域相对于晶圆w的旋转方向位于清洗刷的上游侧区域。
72.下面结合图2简述晶圆清洗的作业方式。
73.首先，由机械手将待清洗晶圆w放置于晶圆旋转组件20，此时，清洗刷40与晶圆w的侧面预留一定距离，从而为机械手提供作业空间；在摩擦力作用下，晶圆旋转组件20带动晶圆w绕其轴线旋转；
74.接着，第一喷淋杆61和第二喷淋杆62朝向旋转的晶圆w喷射清洗液，如酸性或碱性的清洗液；
75.接着，清洗刷40绕其轴线滚动并朝向晶圆w的位置移动，使得清洗刷40与晶圆w的表面接触；清洗刷40滚动刷洗晶圆w的表面，去除晶圆w表面的污染物，实现晶圆w的表面刷洗；
76.晶圆w刷洗完毕后，清洗刷40朝向晶圆w的外侧移动，清洗刷40与晶圆w的表面分离；
77.接着，第一喷淋杆61继续朝向旋转的晶圆w喷射清洗液，持续一段时间后，机械手将完成清洗的晶圆w转移至下一工序。
78.下面参照图3，介绍本发明实施例的工作原理。
79.首先，为了避免晶圆w从位于其下方的主动辊轮和从动辊轮的卡槽中被提起来，清洗刷需要设定特定的旋向。如图3所示，两个清洗刷以相反方向滚动，并且其与晶圆w接触位
置向晶圆w施加向下的摩擦力，从而将晶圆w限制在清洗刷和辊轮之间。
80.在本发明实施例中，如图2所示，清洗刷的一端连接进液机构50，清洗刷的另一端连接清洗刷驱动机构30。清洗刷连接进液机构50的一端作为进液端，以进液端作为参考，进液端位于图2和图3中右侧位置。
81.如图3所示，从清洗刷的进液端看过去，即从图3中进液机构50连接的进液端看进去，也就是按照图3中标示为50的虚框箭头所指示的方向看去，如图4所示，晶圆左面为正面w1，正面w1也就是器件所在面，晶圆右面为背面w2，晶圆w侧端面为向上转动，位于晶圆w左侧的第一清洗刷41顺时针旋转，第一清洗刷41的旋转速度设为vb；位于晶圆w右侧的第二清洗刷42逆时针旋转，第二清洗刷42的旋转速度设为vb。两个清洗刷将晶圆w夹在中间并会对晶圆w施加一向下的力，晶圆w由主动辊轮和从动辊轮支撑。
82.如图3所示，按照面向晶圆w的方向，晶圆w逆时针旋转，晶圆w的旋转速度设为vw。按照清洗刷与晶圆w的相对旋转方向，形成了以晶圆w圆心为分界线的两个区域，如图3中的虚线框所示，按照面向晶圆w的方向，位于晶圆w右侧的第一区域r1和位于晶圆w左侧的第二区域r2。
83.在第一区域r1，清洗刷与晶圆w之间的相对速度为：v
r1
＝vb+vw，可见在第一区域r1的相对速度大，刷洗效果好。
84.在第二区域r2，清洗刷与晶圆w之间的相对速度为：v
r2
＝v
b-vw，可见在第二区域r2的相对速度小，刷洗效果差。
85.在本发明实施例中，第一喷淋杆61将新鲜的清洗液喷洒至第一区域r1，由于清洗液与晶圆w之间的摩擦力和黏附作用会有大量的新鲜的清洗液跟随晶圆w旋转而转移至第二区域r2。第二喷淋杆62向晶圆w下方的上游侧喷淋新鲜的清洗液，在晶圆w的带动下，也可以将新鲜的清洗液供给至第一区域r1，从而提高第一区域r1上新鲜的清洗液的浓度和流量，提高清洗效果。并且，第二喷淋杆62可以冲洗晶圆w下部区域，冲走已使用的清洗液，避免其中的清洗屑再次黏附在清洗刷或晶圆w上，从而提高污染物的去除效果。
86.本发明实施例提供的晶圆竖直清洗装置1通过增加第二喷淋杆62向刷洗效果显著的第一区域r1提供大量的新鲜的清洗液，从而在供液量大以及刷洗效果显著的双重作用下，实现了明显改善清洗效果，提高了晶圆良品率。
87.如图5所示，基于上述晶圆竖直清洗装置1的结构，本发明一实施例还提供了一种晶圆竖直清洗方法，包括：
88.步骤s51，在滚动的清洗刷对旋转的晶圆进行滚动刷洗时，使第一喷淋杆61将清洗液供给至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域；
89.步骤s52，使第二喷淋杆62将清洗液供给至位于清洗刷下方的晶圆表面的下部区域，其中，所述下部区域相对于晶圆的旋转方向位于清洗刷的上游侧区域。
90.其中，清洗液可以是水，例如是去离子水(diw)，但并不限于diw，也可以是碳酸水、电解离子水、富氢水以及臭氧水的任意一种。清洗液还可以是化学液，化学液可以是酸性溶液或碱性溶液。
91.参见图3，由于晶圆和清洗刷之间特定的运动关系，存在线速度相加的第一区域r1和线速度相减的第二区域r2。在第一区域r1，晶圆与清洗刷之间的相对速度大，刷洗能力高。
92.第一喷淋杆61将新鲜的清洗液喷洒至位于清洗刷上方的晶圆表面的上部区域，也就是图3中的第一区域r1，在清洗液与晶圆w之间的摩擦力和黏附作用下，会有大量的新鲜的清洗液跟随晶圆w旋转而转移至第二区域r2。第二喷淋杆62向位于第一清洗刷41下方的晶圆表面的下部区域喷淋新鲜的清洗液，也就是向晶圆w下方的上游侧喷淋新鲜的清洗液，在晶圆w的带动下，大量的新鲜的清洗液会供给至第一区域r1，从而提高了第一区域r1上新鲜的清洗液的浓度和流量，提高了清洗效果。并且，第二喷淋杆62可以冲洗晶圆w下部区域，冲走使用过的清洗液，避免其中的清洗屑再次黏附在清洗刷或晶圆w上，从而提高了污染物的去除效果。
93.本发明实施例提供的清洗方法，通过增加第二喷淋杆62向刷洗能力高的第一区域r1提供大量的新鲜的清洗液，实现了在同一区域既有大量的新鲜的清洗液又有较高的刷洗能力，从而明显改善了清洗效果，提高了晶圆良品率。
94.在一个实施例中，控制第二喷淋杆62喷淋化学液，以防止清洗刷回沾污染物。化学液可以是酸性溶液或碱性溶液。第二喷淋杆62喷淋化学液，可以去除使用过的废液中的污染物，还可以同时对清洗刷进行一定的清洗，减少了污染物的二次污染。
95.如图3和图4所示，在一个实施例中，清洗刷的旋转方向设定为：使位于晶圆两侧的两个清洗刷以相反方向滚动，并且其与晶圆接触位置向晶圆施加向下的摩擦力。
96.如图4所示，在一个实施例中，晶圆的旋转方向设定为：控制晶圆的旋转方向，以从清洗刷的进液端看过去晶圆向上转动。
97.本实施例通过控制晶圆和两个清洗刷的旋转方向，按照此特定的配合方式，方可避免晶圆被旋转的清洗刷从支撑其的辊轮上带起来。
98.如图6所示，在另一个实施例中，清洗方法的具体步骤包括：
99.步骤(1)，晶圆放置于晶圆旋转组件上，具体地，机械手将晶圆放置在位于清洗腔室底部的辊轮上。
100.步骤(2)，使晶圆旋转，控制第一喷淋杆61开始向晶圆表面喷淋清洗液，可以是去离子水和化学液。
101.步骤(3)，清洗刷夹紧晶圆开始进行刷洗，持续第一预设时长，第一预设时长可以是10s～30s，优选为20s。
102.步骤(4)，控制第一喷淋杆61停止喷淋，使第二喷淋杆62开始向晶圆表面喷淋清洗液，可以是去离子水和化学液，并持续第二预设时长，第二预设时长可以是10s～30s，优选为20s。
103.步骤(5)，重复执行以上第一喷淋杆61和第二喷淋杆62的交替清洗，即步骤(2)～(4)，重复2～5次，具体次数由工艺决定。
104.步骤(6)，清洗结束后，机械手取片。
105.经过测试验证，本实施例可以实现清洗效果的有效提升。
106.进一步，在一个实施例中，检测清洗刷的污染程度，当清洗刷的污染程度达到一定程度后，控制第一喷淋杆和/或第二喷淋杆旋转一定角度以对清洗刷进行冲洗。其中，清洗刷的污染程度可以利用安装在箱体10内的图像传感器检测，举例来说，污染程度可以用明暗程度、亮度等来体现。
107.综上，本发明实施例提供的晶圆竖直清洗方法，通过在清洗腔室的下部增加第二
喷淋杆62，可以实现新鲜的清洗液进入到线速度相加的第一区域r1，实现了污染物去除能力的增强。
108.优选的，可为箱体选择配置图像传感器或角度传感器等，以根据传感器反馈的第二喷淋杆62的作业情况调整其作业角度，和/或根据测量到的第二喷淋杆62的定位角度调整其作业角度；这样调整的作用在于使得其喷射的清洗液或去离子水能更有效的作用于去污，并且适应不同材质和/或柔性的滚刷(不同材质的滚刷受到挤压时的变形程度不同)。
109.特别的，可调整第二喷淋杆62使其喷嘴垂直于晶圆或箱体内壁喷射清洗液等液体，从而利用晶圆所反射的清洗液实现对第二喷淋杆62的反清洁(自清洁)。
110.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
111.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。