一种电子阱结构及具有该结构的观察筒的制作方法

1.本实用新型涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种微波等离子体化学气相沉积设备的电子阱及观察筒。


背景技术：

2.微波等离子体化学气相沉积法，是当今制备高质量金刚石膜的先进方法，该方法需要用到微波等离子体化学气相沉积设备（简称mpcvd），mpcvd的核心部件之一是放电腔，微波在放电腔内以等离子体放电的方式，将反应气体中的碳元素沉积在样品基片上，为了观察放电腔内样品基片的情况、及能够通过红外测温仪等设备测得某些数据，通常会在放电腔处设置带有观察窗的观察筒，观察窗主要由石英玻璃组成，人们通过石英玻璃来观察放电腔内的情况及测得某些数据。
3.为了防止放电腔中的电子通过观察筒撞击石英玻璃，致石英玻璃变得模糊不清、影响放电腔内情况的观察及数据的检测，通常会在观察筒内设置电子阱。
4.现有技术的电子阱，结构比较复杂、不便加工制作及清理维护、严重影响了其应用场合及前景。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种结构简单、便于加工制作、易于清理维护、应用前景较广的电子阱结构。
6.本实用新型的另一目的在于提供一种观察筒，其采用了上述电子阱结构。
7.本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：
8.一种电子阱结构，包括电子阱本体和至少1件电子阱，所述电子阱本体上设置有第一通孔，所述电子阱包括第一电子阱和第二电子阱，所述第一电子阱上设置有第二通孔，所述第二电子阱上设置有第三通孔，所述第二通孔的内径与第三通孔的内径不相等，所述电子阱本体和电子阱之间可拆卸的连接，所述第一电子阱和第二电子阱之间可拆卸的连接。
9.进一步的，所述第二通孔的内径沿远离放电腔的方向依次增大，所述第三通孔的内径等于第一通孔的内径。
10.更进一步的，所述第二通孔的内径大于第一通孔的内径。
11.进一步的，所述第二通孔的内径沿远离放电腔的方向依次减小，所述第三通孔的内径等于第一通孔的内径。
12.更进一步的，所述第二通孔的内径小于第一通孔的内径。
13.进一步的，所述第二通孔的内径沿远离放电腔的方向依次增大，所述第三通孔的内径沿远离放电腔的方向依次减小。
14.进一步的，所述第二通孔的内径沿远离放电腔的方向依次减小，所述第三通孔的内径沿远离放电腔的方向依次增大。
15.进一步的，还包括密封件，所述密封件设置在第一电子阱和第二电子阱之间。
16.进一步的，所述电子阱本体和电子阱之间涂覆有导电脂；或者/并且，所述第一电子阱和第二电子阱之间涂覆有导电脂。
17.一种观察筒，所述观察筒包括所述的电子阱结构。
18.本实用新型具有以下优点：
19.1、将传统的电子阱，设置为若干个电子阱结构，再将电子阱结构拆分为第一电子阱和第二电子阱，大大简化了电子阱的结构，最大限度的降低了加工制作难度；
20.2、电子阱本体与电子阱之间、第一电子阱与第二电子阱之间可拆卸的连接，便于清理维护。
附图说明
21.为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
22.图1 为本实用新型电子阱结构实施例一的示意图；
23.图2 为本实用新型电子阱结构实施例二的示意图；
24.图3 为本实用新型电子阱结构实施例三的示意图；
25.图4 为本实用新型电子阱结构实施例四的示意图；
26.图中：1-电子阱本体，2-电子阱，3-第一通孔，4-第一电子阱，5-第二电子阱，6-第二通孔，7-第三通孔，8-密封件。
具体实施方式
27.为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅是本实用新型的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
28.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
29.此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
30.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第
二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
31.如图1至图4所示，一种电子阱结构，包括电子阱本体1和至少1件电子阱2，所述电子阱本体1上设置有第一通孔3，所述电子阱2包括第一电子阱4和第二电子阱5，所述第一电子阱4上设置有第二通孔6，所述第二电子阱5上设置有第三通孔7，为了能够使电子湮灭，所述第二通孔6的内径与第三通孔7的内径不相等，所述电子阱本体1和电子阱2之间可拆卸的连接，所述第一电子阱4和第二电子阱5之间可拆卸的连接；将电子阱设置为至少1件电子阱结构，再将电子阱结构拆分为第一电子阱4和第二电子阱5，大大简化了电子阱的结构，最大限度的降低了加工制作难度；电子阱本体与电子阱之间、第一电子阱与第二电子阱之间可拆卸的连接，便于清理维护。
32.进一步的，为了能够进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径沿远离放电腔的方向依次增大；所述第三通孔7的内径等于第一通孔3的内径，见图1。
33.更进一步的，为了能够更进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径大于第一通孔3的内径；当第一电子阱4的数量n=1时，其第二通孔6的内径大于第一通孔3的内径；当第一电子阱4的数量n》1时，所有第二通孔6的内径均大于第一通孔3的内径，见图1。
34.进一步的，为了能够进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径沿远离放电腔的方向依次减小；所述第三通孔7的内径等于第一通孔3的内径，见图2。
35.更进一步的，为了能够更进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径小于第一通孔3的内径；当第一电子阱4的数量n=1时，其第二通孔6的内径小于第一通孔3的内径；当第一电子阱4的数量n》1时，所有第二通孔6的内径均小于第一通孔3的内径，见图2。
36.进一步的，为了能够进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径沿远离放电腔的方向依次增大，所述第三通孔7的内径沿远离放电腔的方向依次减小，见图3。
37.进一步的，为了能够进一步的使电子湮灭，所述第二通孔6的内径沿远离放电腔的方向依次减小，所述第三通孔7的内径沿远离放电腔的方向依次增大，见图4。
38.进一步的，为了防止微波泄露，还包括密封件8，所述密封件8设置在第一电子阱4和第二电子阱5之间，见图1、图2、图3和图4。
39.进一步的，为了防止微波泄露，所述电子阱本体1和电子阱2之间涂覆有导电脂；或者/并且，所述第一电子阱4和第二电子阱5之间涂覆有导电脂（图1、图2、图3和图4中均未示出导电脂）。
40.一种观察筒，所述观察筒包括所述的电子阱结构。
41.由上可知，本实用新型的电子阱结构，其结构简单、便于加工制作及清理维护、应用前景较广。
42.以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。