引线框架的制作方法

1.本实用新型涉及半导体元器件技术领域，特别是涉及一种引线框架。


背景技术：

2.qfp（quad flat package）为四侧引脚扁平封装，此种封装方式需要用到引线框架，现有技术中引线框架都是由铜片冲压而成，包括多个引线框架单元，引线框架单元之间由连筋连接起来，形成阵列，然后在引线框架上粘接上芯片、键合上丝线再进行塑封，最后切割分离得到单颗封装产品。
3.而此种引线框架上的焊料、塑封料与基岛结合强度低，在温度变化剧烈的应用场合，存在焊料、塑封料与基岛发生剥离失效，产品可靠性低。


技术实现要素：

4.本实用新型为了解决上述现有技术中引线框架基岛与焊料、塑封料的结合强度低的技术问题，提出一种引线框架。
5.本实用新型采用的技术方案是：
6.本实用新型提出了一种引线框架，包括框架本体，位于框架本体上的多个产品单元，所述产品单元包括基岛和多个引脚，所述基岛的正面和背面都设有多个凹槽。
7.进一步的，基岛的正面的凹槽为v槽。
8.进一步的，基岛的正面的凹槽为圆锥槽。
9.优选地，基岛的正面和背面的多个凹槽呈矩形阵列均匀排布。
10.进一步的，框架本体的树脂流道上设有至少一个通孔，每条所述树脂流道对应5个所述产品单元。
11.引脚的正面和背面都设有v槽。引脚上的v槽呈条形，并与所述引脚所在的基岛的侧边平行。
12.进一步的，产品单元的引脚键合区域镀有依次镀有ni层、pd层、au层。
13.进一步的，框架本体的尺寸为249.62mm
×
70mm
×
0.127mm。
14.框架本体上设有70个产品单元。
15.与现有技术比较，本实用新型具有如下优势：
16.1.基岛正面采用v槽结构粗化，增加固晶焊料与基岛结合强度，增加固晶可靠性；基岛反面采用圆锥槽结构粗化，增加塑封料与基岛的结合强度，增加塑封体可靠性；
17.2.在引脚键合区域镀nipdau，使得集成电路键合材既可以使用金线也可以使用铜线，防止铜线焊点与卤素发生反应，产生变色与腐蚀，提高产品键合可靠性。并且，相比于镀ag引线框架，大大降低了ag离子在引脚之间的模封体环氧树脂内迁移，防止引脚间因ag离子爬迁而出现短路失效；
18.3.通过引脚v槽增加引脚与塑封料的结合强度，防止水汽沿引脚与塑封料的结合处进入到产品内部，造成产品失效；
19.4.树脂流道上的通孔能够有效减少塑封料与引线框的接触面积，减小该位置塑封料与引线框的粘合力，有利于塑封后树脂流道的去除。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本实用新型实施例中的结构示意图；
22.图2为本实用新型实施例中产品单元的结构示意图；
23.图3为本实用新型实施例中基岛正面的结构示意图；
24.图4为图3的局部放大图；
25.图5为图4的截面图；
26.图6为本实用新型实施例中屏幕组件与支撑组件连接状态的结构示意图；
27.图7为图6的局部放大图；
28.图8为图7的截面图；
29.图9为本实用新型实施例中引脚的结构示意图；
30.图10为本实用新型实施例中引脚的截面图；
31.图11为本实用新型实施例中引脚键合区的多层结构示意图；
32.图12为本实用新型实施例中一列产品单元的结构示意图。
33.1、框架本体；2、产品单元；21、基岛；211、v槽；222、圆锥槽；22、引脚；221、条形v槽；23、引脚键合区；231、ni层；232、pd层；233、au层； 3、树脂流道；31、通孔。
具体实施方式
34.为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
35.下面结合附图以及实施例对本实用新型的原理及结构进行详细说明。
36.qfp（quad flat package）为四侧引脚扁平封装，此种封装方式需要用到引线框架，现有技术中引线框架都是由铜片冲压而成，包括多个引线框架单元，引线框架单元之间由连筋连接起来，形成阵列，然后在引线框架上粘接上芯片、键合上丝线，再进行塑封，最后切割分离，得到单颗封装产品。
37.如图1、2所示，本实用新型提出了一种引线框架，固晶基岛21采用downset结构，段差设计为0.17mm。主要包括框架本体1，位于框架本体1上的多个产品单元2，每个产品单元2包括基岛21和位于多个引脚22，具体为正方形的基岛21区域，引脚22位于基岛21的上下左右四个侧边，且基岛21区域的正面和背面都设有多个凹槽，即对基岛21的正反面做粗化处理，具体是在基岛21正面采用v槽211结构粗化，增加固晶焊料与基岛21结合强度，增加固晶可靠性；基岛21反面采用圆锥槽222结构粗化，增加塑封料与基岛21的结合强度，增加塑封体可靠性。
38.具体的，如图3至5所示，基岛21正面设置v槽211，即v形槽，在基岛21的正面俯视每一个v槽211呈正方形，v槽211在基岛21的正面呈矩形阵列排布，也可以是圆形阵列，或者其他排布方式，只要是能够对基岛21的正面做粗化处理增加固晶焊料与基岛21结合强度的设计方式，都在本实用新型的保护范围之内。
39.如图6至8所示，基岛21背面设置圆锥槽222，在基岛21的背面俯视每一个圆锥槽222呈圆形，圆锥槽222呈矩形阵列排布，也可以是圆形阵列，或者其他排布方式，只要是能够对基岛21的正面做粗化处理增加塑封料与基岛21的结合强度的设计方式，都在本实用新型的保护范围之内。
40.如图9、10所示，每个引脚22的正面与背面都设有条形v槽221，该条形v槽221与引脚22所在的基岛21的侧边平行，增加引脚22与塑封料的结合强度，防止水汽沿引脚22与塑封料的结合处进入到产品内部，造成产品失效。
41.如图2、11所示，基岛21与引脚22之间的键合区域，即引脚键合区23，引脚键合区镀nipdau，主体为在框架本体1的cu层上电镀一层ni层231，再接着在ni层231上电镀一层pd层232，最后在pd层232上电镀一层au，以此顺序电镀形成nipdau镀层。使得集成电路键合材既可以使用金线也可以使用铜线，防止铜线焊点与卤素发生反应，产生变色与腐蚀，提高产品键合可靠性。并且，相比于镀ag引线框架，大大降低了ag离子在引脚之间的模封体环氧树脂内迁移，防止引脚间因ag离子爬迁而出现短路失效。
42.如图1、12所示，框架整体尺寸设计为249.62mm
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70mm
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0.127mm，固晶基岛21采用downset结构，段差设计为0.17mm，如图所示，引线框架上产品单元2的排布方式为每一列设置5个产品单元2，一共14列产品单元2，即引线框架上设计产品单元2为5
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14=70个，每列产品单元2的左侧孔隙处为树脂流道 3，每条树脂流道 对应5个产品单元2，且沿树脂流道 经过的路径上设置至少一个通孔31，在该图中是设置了多个通孔31，能够有效减少塑封料与引线框的接触面积，减小该位置塑封料与引线框的粘合力，有利于塑封后树脂流道的去除。
43.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。