一种标记海尔贝克磁环磁极的装置的制作方法

文档序号:30541062发布日期:2022-06-28 17:38阅读:179来源:国知局
一种标记海尔贝克磁环磁极的装置的制作方法

1.本技术涉及永磁材料领域,尤其涉及一种标记海尔贝克磁环磁极的装置。


背景技术:

2.永磁磁环包括辐射取向磁环和海尔贝克磁环,分别可提供马鞍波形和正弦波形表磁,广泛用于小型伺服电机、震动马达等。部分应用要求磁环在磁极或磁极间某角度位置加工开槽用于组件固定:辐射取向磁环磁极只在充磁时由充磁线圈决定极数和极间角度间隔,因此可在充磁前磁环上任意位置进行开槽加工;而海尔贝克磁环磁极数和极间角度间隔在成型阶段即确定,在未充磁情况下难以确定其磁极并开槽,只能通过充磁后标记出磁极再加工,带磁加工难度大且准确度降低。因此需解决海尔贝克磁环充磁前磁极或磁极间某角度位置加工开槽难题。


技术实现要素:

3.本技术提供一种标记海尔贝克磁环磁极的装置,能够解决磁环开槽加工前磁极位置标记难题。
4.本技术的实施例提供了一种标记海尔贝克磁环磁极的装置,包括主体部和封装部。主体部为圆筒状结构,主体部的内径等于磁环的外径,主体部包括导磁体和永磁体,导磁体具有多个安装腔,各安装腔环绕主体部的轴线均匀布置,永磁体的数量为多个,各永磁体分别嵌入在各安装腔中,相邻永磁体在同一侧的磁极相同。封装部具有圆孔,圆孔的直径等于主体部的内径,封装部在圆孔的轴向上的第一侧具有标记线,标记线沿圆孔的径向延伸,封装部与主体部连接,且封装部在圆孔的轴向上的第二侧向主体部的端面,圆孔的轴线与主体部的轴线重合,标记线与一个永磁体在圆孔的轴向上对应设置。
5.在其中一些实施例中,装置在主体部的轴向上的厚度等于磁环在磁环的轴向上的高度。
6.在其中一些实施例中,各安装腔均沿主体部的轴向贯穿主体部。
7.在其中一些实施例中,各安装腔的内壁面均为直棱柱面。
8.在其中一些实施例中,封装部为板状结构。
9.在其中一些实施例中,封装部的数量为两个,两个封装部分别位于主体部的两端。
10.在其中一些实施例中,各封装部均具有多个连接孔,各连接孔环绕圆孔均匀布置,各连接孔均用于将两个封装部连接。
11.在其中一些实施例中,各连接孔的轴线均沿圆孔的轴向延伸,各连接孔与圆孔的距离大于主体部的外径与内径的差值。
12.在其中一些实施例中,封装部为正方形板状结构,连接孔的数量为四个,四个连接孔分别位于封装部的四个角处。
13.在其中一些实施例中,主体部还包括填充体,填充体与导磁体由同一材料制成,填充体用于嵌入在安装腔中。
14.根据本技术实施例提供的一种标记海尔贝克磁环磁极的装置,包括主体部和封装部。主体部为圆筒状结构,主体部的内径等于磁环的外径,主体部包括导磁体和永磁体,导磁体具有多个安装腔,各安装腔环绕主体部的轴线均匀布置,永磁体的数量为多个,各永磁体分别嵌入在各安装腔中,相邻永磁体在同一侧的磁极相同。封装部具有圆孔,圆孔的直径等于主体部的内径,封装部在圆孔的轴向上的第一侧具有标记线,标记线沿圆孔的径向延伸,封装部与主体部连接,且封装部在圆孔的轴向上的第二侧向主体部的端面,圆孔的轴线与主体部的轴线重合,标记线与一个永磁体在圆孔的轴向上对应设置,从而解决了磁环开槽加工前磁极位置标记难题。另外,本技术的装置还具有简易、低成本、易操作的优点。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为本技术实施例中装置的结构示意图;
17.图2为本技术实施例中磁环在装置中的结构示意图;
18.图3为本技术实施例中标记4极磁环的磁极时永磁体和填充体的分布示意图;
19.图4为本技术实施例中标记8极磁环的磁极时永磁体和填充体的分布示意图;
20.图5为本技术实施例中标记12极磁环的磁极时永磁体和填充体的分布示意图;
21.图6为本技术实施例中标记24极磁环的磁极时永磁体的分布示意图。
具体实施方式
22.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具部实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
23.参阅图1-6,本技术的实施例提供了一种标记海尔贝克磁环2磁极的装置1,包括主体部10和封装部11。
24.主体部10为圆筒状结构。也可以说,主体部10的中心处具有贯穿的开孔103,主体在开孔103的径向上的的内壁面和外壁面均为圆柱面,主体在开孔103的轴向上的两端面均为圆环面。其中,主体部10的内径等于磁环2的外径。主体部10包括导磁体100和永磁体101。
25.导磁体100由导磁材料制成。导磁体100具有多个安装腔1000,如24个安装腔1000。各安装腔1000环绕主体部10的轴线均匀布置。其中,安装腔1000的数量可以与磁环2的极数相同,如磁环2的极数为24时,安装腔1000的数量为24个。当然,安装腔1000的数量也可以大于磁环2的极数,如磁环2的极数为4或8或12时,安装腔1000的数量仍为24个,此时,部分均匀布置的安装腔1000中分别嵌入永磁体101,剩余部分均匀布置的安装腔1000中分别嵌入由导磁体100所用导磁材料制成的填充体102,也就是说,主体部10可以还包括填充体102,填充体102与导磁体100由同一材料制成,填充体102用于嵌入在安装腔1000中,以适用不同磁环2。
26.各安装腔1000可以均沿主体部10的轴向贯穿主体部10,此时,各安装腔1000均为
通孔限定出的空间。当然,各安装腔1000也可以均不贯穿主体部10,此时,各安装腔1000均为盲孔限定出的空间。另外,各安装腔1000也可以均为凹槽限定出的空间,凹槽的开口可以位于主体部10的内周面或外周面。
27.各安装腔1000的内壁面可以均为直棱柱面,如截面为正方形或长方形的直四棱柱面,以保证嵌入在安装腔1000中的永磁体101或填充体102的稳定性。
28.永磁体101的数量为多个。各永磁体101分别嵌入在各安装腔1000中。其中,“嵌入”是指与各安装腔1000恰好适配。相邻永磁体101在同一侧的磁极相同。另外,可以通过灌胶将各永磁体101分别固定在各安装腔1000中。需要注意的是,根据磁环2磁极数在安装腔1000中均匀插入不同数量的充磁的永磁体101和填充体102,如磁环2磁极数为4时,永磁体101和填充体102的布置如图3所示。磁环2磁极数为8时,永磁体101和填充体102的布置如图4所示。磁环2磁极数为12时,永磁体101和填充体102的布置如图5所示。磁环2磁极数为24时,永磁体101的布置如图6所示。
29.封装部11具有圆孔110,圆孔110的直径与主体部10的内径相等。封装部11可以为板状结构,进一步地,封装部11可以为正方形板状结构,此时,封装部11为可与主体部10拆装的独立板件。封装部11的数量可以为两个,两个封装部11可以分别位于主体部10的两端。
30.封装部11在圆孔110的轴向上的第一侧具有标记线111,标记线111沿圆孔110的径向延伸。其中,标记线111的一端可以延伸至圆孔110的边沿上。两个封装部11中,可以仅一个封装部11具有标记线111,当然,也可以两个封装部11均具有标记线111。
31.封装部11与主体部10连接,进一步地,封装部11与主体部10可以通过胶水粘接。封装部11在圆孔110的轴向上的第二侧向主体部10的端面,圆孔110的轴线与主体部10的轴线重合,标记线111与一个永磁体101在圆孔110的轴向上对应设置,用以标记磁环2磁极。
32.各封装部11可以均具有多个连接孔112,各连接孔112可以环绕圆孔110均匀布置,各连接孔112均用于将两个封装部11连接,使得两个封装部11夹持在主体部10的两端,并进一步固定主体部10中的永磁体101和填充体102。各连接孔112的轴线可以均沿圆孔110的轴向延伸,各连接孔112与圆孔110的距离可以大于主体部10的外径与内径的差值,使得两个封装部11可经螺栓连接。连接孔112的数量可以为四个,四个连接孔112可以分别位于封装部11的四个角处。
33.此外,装置1在主体部10的轴向上的厚度可以等于磁环2在磁环2的轴向上的高度,使得装置1中的磁环2的端面与装置1的端面平齐,以便于观测。
34.通过本技术的装置1(如图1所示),在进行海尔贝克磁环2磁极标记时,将磁环2插入装置1(如图2所示)。在主体部10永磁体101磁力作用下,磁环2总能保持某一角度,任意转动磁环2可保持另一角度,两角度差即为磁环2两相邻磁极角度,通过标记线111可对磁环2作标记,不断转动磁环2可实现对磁环2所有磁极均完成角度标记。
35.如图3-6所示,标记24极海尔贝克磁环2磁极的装置1,通过调整永磁体101位置和数量(在未插入永磁体101的安装腔1000处插入与导磁体100材质相同的填充体102),可实现对4极、8极、12极磁环2的磁极标记。按照该方法,通过一套装置1可实现对多种不同磁极磁环2的标记,大幅提高效率。
36.本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本技术的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所
示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具部情况理解上述术语的具部含义。
37.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
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