蚀刻设备转换压力控制装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种蚀刻设备转换压力控制装置。


背景技术：

2.沉积是半导体加工过程中，利用化学反应或物理作用在晶圆表面形成薄膜的过程，蚀刻是通过化学反应或物理作用在薄膜上加工版图的过程，这两个过程一般都在反应腔室(process chamber)内进行。
3.目前，在半导体器件的制造过程中，在反应腔室(process chamber)内利用低压和气体，以及无线电频率形成等离子体，然而在加工过过程中，反应腔室内有时会出现气体泄露的情况，导致外部的氮气、氧气等其它气体流入，进而导致蚀刻或沉积出现异常，形成不想要的晶圆轮廓；当晶圆从输送腔室(transfer chamber)到反应腔室进出时，需要一定压力的安定化，在真空状态中，粒子流动的变动性变大的话，压力值就变得不安定，粒子会因乱流而引发缺陷，而导致半导体加工的成品率下降。
4.现有技术中，输送腔室(transfer chamber)中的压力控制是通过机组压力控制器(upc，unit pressure controller)进行控制，所述机组压力控制器是设在装载锁下方边缘处的控制所需压力值的控制装置，当反应腔室狭缝门(process chamber slit door)开闭的变动性大时，压力超过阈值则打开狭缝阀；然而由于机组压力控制器设在边缘，其检测输送腔室压力值的准确性和再现能力较差，进而会导致乱流产生的概率变高。


技术实现要素：

5.为解决上述问题，本实用新型提供了一种蚀刻设备转换压力控制装置，用于蚀刻加工系统，系统通过使用压力和氮气，将晶圆从输送腔室(transfer chamber)转移到反应腔室(process chamber)，通过在输送腔室使用机组压力控制器(upc，unit pressure controller)，调节压力，在调整输送腔室的压力后，使得反应腔室狭缝阀打开而转换压力，通过设置在反应腔室狭缝阀的压力传感器进行压力检测，保证检测输送腔室压力值的较高的准确性和再现能力。
6.为了防止由于外部的氮气、氧气等气体的流入而形成不想要的晶圆轮廓，在晶圆(wafer)放上静电夹头(esc，electrostatic chuck)前实行的泵吸过程中的压力值和反应腔室中进行蚀刻加工时，将微控压力的钟摆阀值以系统变量辨识(svid，system variable identification)通过新结构和相互组合，由读取反应腔室狭缝门(process chamber slit door)摆动阀附近压力值的测定器和对照电路构成粒子的流动，形成最大的层流进行对的缺陷控制，实现即使泄漏速率增加，超过设定的阈值，也能立即稳定住处理腔室。
7.本实用新型提供了一种蚀刻设备转换压力控制装置，具体技术方案如下：所述转换压力控制装置用于蚀刻加工系统，所述蚀刻加工系统包括气体源、输送腔室和反应腔室，所述气体源与所述输送腔室连通，所述输送腔室与所述反应腔室连通；
8.所述转换压力控制装置用于检测系统气体压力，包括传输模块和处理模块，所述传输模块，设置在所述气体源与所述输送腔室的连通管道上，检测压力值数据；
9.所述传输模块四周均匀设有狭缝门，通过所述狭缝门对接所述处理模块和第一存储模块；
10.在所述传输模块上设有若干压力传感器。
11.进一步的，每个狭缝门均对接一个处理模块或一个第一存储模块。
12.进一步的，所述狭缝门设有六个，分别对接有四个所述处理模块和两个所述第一存储模块。
13.进一步的，所述狭缝门对接所述处理模块和所述第一存储模块的分布结构，为集中分布，即所述处理模块和所述第一存储模块均分别相邻集中分布。
14.所述处理模块分布在所述传输模块上方四个狭缝门对接处，所述第一存储模块分布在下方两个狭缝门对接处。
15.进一步的，所述第一存储模块还连接有第二存储模块，所述第二存储模块连接有机组压力控制器；
16.进一步的，所述第二存储模块至少设有一组。
17.进一步的，所述压力传感器在所述传输模块上，呈相对的对称分布。
18.进一步的，所述压力传感器，设有四个，分别设置在对接所述处理模块的所述狭缝门靠传输模块内部的一侧。
19.本实用新型的有益效果如下：
20.晶圆通过气体和压力从输送腔室至反应腔室，通过在通过在反应腔室狭缝阀处设置的若干的压力传感器，通过各个点的压力测定和比较，进行压力检测，进而设置机组压力控制器根据测定的压力对腔室内的压力进行控制，实现压力调节，使得反应腔室狭缝阀打开而转换压力；提升了输送腔室压力检测的准确度和复现性，使得晶圆从输送腔室至反应腔室装卸时，缺陷最小化。
附图说明
21.图1是本实用新型的装置结构示意图；
22.图2是本实用新型的系统结构示意图。
具体实施方式
23.在下面的描述中对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另
有明确具体的限定。
25.实施例1
26.本实用新型的实施例1公开了一种蚀刻设备转换压力控制装置，如图2所示，所述转换压力控制装置用于蚀刻加工系统，所述蚀刻加工系统包括气体源、输送腔室和反应腔室，所述气体源与所述输送腔室连通，所述输送腔室与所述反应腔室连通；
27.所述转换压力控制装置用于检测系统气体压力；
28.如图1所示，所述转换压力控制装置包括传输模块和处理模块，所述传输模块，设置在所述气体源与所述输送腔室的连通管道上，检测压力值数据；
29.所述传输模块四周均匀设有狭缝门，通过所述狭缝门对接所述处理模块和第一存储模块；
30.在所述传输模块上设有若干压力传感器。
31.本实施例中，每个狭缝门均对接一个处理模块或一个第一存储模块；
32.本实施例中，所述狭缝门设有六个，分别对接有四个所述处理模块和两个所述第一存储模块；
33.具体的，所述处理模块分别为pm1、pm2、pm3和pm4，所述第一存储模块分别为a5a7和a5a8。
34.本实施例中，所述狭缝门对接所述处理模块和所述第一存储模块的分布结构，为集中分布，即所述处理模块和所述第一存储模块均分别相邻集中分布；
35.具体的，结合图1所示，所述处理模块分布在所述传输模块上方四个狭缝门对接处，即设在与pm1、pm2、pm3和pm4相对的狭缝门处；
36.所述第一存储模块分布在下方两个狭缝门对接处，即设在与a5a7和a5a8相对的狭缝门处。
37.本实施例中，所述第一存储模块还连接有第二存储模块，所述第二存储模块连接有机组压力控制器；
38.具体的，机组压力控制器可设在
39.所述第二存储模块至少设有一组。
40.所述压力传感器在所述传输模块上，呈相对的对称分布，即设在装载锁和反应腔室的狭缝门处；
41.晶圆在输送腔室中，所需要的压力值(一般为(40mt-50mt))，通过多重压力测定和对照电路，进行检测，准确的压力用氮气来调节，使晶圆进入反应腔室，打开狭缝门，最小化输送腔室和反应腔室间压力转换的变动性，形成层流后，防止晶圆上方产生缺陷。
42.在本实施例中，所述压力传感器，设有四个，分别设置在对接所述处理模块的所述狭缝门靠传输模块内部的一侧；
43.即设置在pm1、pm2、pm3和pm4相对的狭缝门附近，通过各个检测点的压力测定和比较测出准确的压力值；
44.狭缝门打开时，压力超调最小化防止晶圆上因乱流发生缺陷。
45.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接的运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。