专利名称：磁光记录体的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有特定金属膜的磁光记录体，尤其是记录功率基本上不依赖于线速度的磁光记录体，它具有优良的机械性能，例如小的翘曲变形，并且有优良的记录灵敏度、宽的记录功率范围以及优良的抹-读-写可循环性。
众所周知，由包括过渡金属如铁、钴以及稀土金属元素如铽(Tb)、钆(Gd)的合金构成的磁光记录膜具有垂直于膜面的易磁化轴，并能形成一个小的反向磁畴，该小的反向磁畴的磁化方向与膜的磁化强度方向反向平行;对应于这种反向磁畴的存在或不存在，记为“1”或“0”，于是可以在上述的磁光记录膜上记录数字信号。
对于这种由过渡金属及稀土元素构成的磁光记录膜，有已公开的含有15～30(原子)%Tb的Tb-Fe磁光记录膜，例如日本专利公开特许20691，1982年;过去也有再加上第三种金属元素的Tb-Fe的磁光记录膜，例如Tb-Co或Tb-Fe-Co系磁光记录膜。
通过在这些膜中加入第三种金属元素以改善这些Tb-Fe、Tb-Co或类似系统的磁光记录膜的抗氧化性，人们进行了各种努力。
含有一基片以及在基片上载有上述磁光记录膜的磁光记录体要求具有优良的机械性能例如小的翘曲变形。
含有一基片以及在基片上载有上述的磁光记录膜的磁光记录体一般来说缺乏抗氧化性，并有待于改善其记录灵敏度(C/N比)。
因此，在上述磁光记录体上写入信息时，希望记录功率范围宽，以及记录功率对线速度的依赖性小。此处的所谓“在写入信息时记录范围宽”指的是当使用激光束等在磁光记录体上写入信息时，即使作为写入光束的激光束的功率在一定程度上变化时，也可以在磁光记录体上精确地写入信息。所谓“记录功率对线速度的依赖性小”是指当使用激光束等在磁光记录体上写入信息时，在记录体的内圆周和外圆周部分激光束的最佳记录功率的变化小。
由前文可见，希望有一种具有翘曲变形小，优良的抗氧化能力，高的C/N比，宽的记录功率范围以及记录功率对线速度的依赖性小的磁光记录体。
迄今为止，本发明人在上述现有技术的基础上进行了广泛研究，已经发现具有至少一铝合金膜和一镍合金膜的磁光记录体具有优良的机械性能例如小的翘曲变形，记录功率对线速度的依赖性小，记录范围宽、抗氧化性能优良、以及记录灵敏度高的优点。根据这一发现，本发明得以完成。
本发明的目的是提供具有优良机械性能例如翘曲变形小的磁光记录体，并且记录功率范围宽，优良的抹-读-写可循环性，记录功率对线速度的依赖性小，以及高的C/N比。
本发明的第一种磁光记录体的特征在于一个保护膜、一个磁光记录膜、一个铝合金膜以及一个镍合金膜被依次形成于一基片上。
本发明的第二种磁光记录体的特征在于一个保护膜、一个磁光记录膜、一个Ni合金膜，一个Al合金膜被依次形成于一个基片之上。
本发明的第三种磁光记录体的特征在于一个保护膜、一个磁光记录膜、一个保护膜、一个Al合金膜和一个Ni合金膜被依次形成于一基片上。
本发明的第四种磁光记录体的特征在于一个保护膜、一个磁光记录膜、一个保护膜、一个Ni合金膜及一个Al合金膜被依次形成于一个基片之上。
上述的本发明的磁光记录体具有优良的机械性能例如翘曲变形小、记录功率对线速度的依赖性小、记录功率范围宽、优良的抹一读一写可循环性、优良的抗氧化性以及高的记录灵敏度。
图1是图4所示为本发明的第一种至第四种磁光记录体的截面图。
本发明的磁光记录体的具体说明如下;
在本发明的第一种磁光记录体10a中，如图1所示，一个保护膜2，一个磁光记录膜3，一个Al合金膜4以及一个Ni合金膜5按图示顺序形成在基片1上。
在本发明的第二种磁光记录体10b中，如图2所示，一个保护膜2，一个磁光记录膜3，一个Ni合金膜5以及一个Al合金膜4按图示顺序形成在基片1之上。
在本发明的第三种磁光记录体10c中，如图3所示，一个保护膜2a，一个磁光记录膜3，一个保护膜2b，一个Al合金膜4以及一个Ni合金膜5按图示的顺序形成在基片1上。
本发明的第四种磁光记录体10d中，如图4所示，一个保护膜2a，一个磁光记录膜3，一个保护膜2b，一个Ni合金膜5和一个铝合金膜4按图示的顺序形成在基片1上。
下面对基片1，保护膜2，2a、2b，磁光记录膜3，铝合金膜4及镍合金膜5逐一进行说明。
基片用在本发明中的上述基片1的材料并不具体限定于一种特定的材料。不过，当激光束从基片1射入时，所用材料应为透明的。除去诸如玻璃、铝之类的无机材料外，适用的透明材料包括例如有机物聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯，聚苯乙烯与聚碳酸酯的聚合物合金、如美国专利4，614，778中公开的环烯烃无规共聚物以及如下述的环烯烃无规共聚物、聚4-甲基-1-戊烯、环氧树脂、聚醚砜、聚砜、聚醚亚胺及诸如此类的物质。在这些有机物中，优先选用的是聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、如美国专利4，614，778公开的环烯烃无规共聚物以及下文中将要说明的环烯烃无规共聚物。
从特别是对保护膜有良好的亲和性、有小的双重折射率以及磁光记录体的抗氧化性能的观点来看，在本发明中用作基片的尤其可取的材料是乙烯的环烯烃无规共聚物以及由以下化学式[Ⅰ]和[Ⅱ]表示的环烯烃;
此处n是0或1;m是0或正整数;k是0或1;R1～R18，Ra与Rb分别是从氢元素、卤元素或烃基团选取的一个;R15～R18可以连接在一起形成含有一个双键的单环或多环;R15与R16或R17与R18一起可形成一亚烷基。
此处R是0或至少为1的整数;δ、t是0、1或2是的之一;R1～R15分别是从氢元素、卤元素、链烃基团、芳香烃基团和烷氧基团中选取的一个;R5(或R6)与R9(或R7)可通过1～3个碳原子的亚烃基连接在一起，或不通过任何基团直接连在一起。
上述的化学式[Ⅰ]中，n是0或1，优先取0;m是0或一正整数，优先取0～3中的值;上述化学式[Ⅱ]中R为0或至少为1的整数，优先选用0～3中的整数。
R1～R18、Ra和Rb(式[Ⅰ]，或R1～R15(式[Ⅱ])分别代表从氢元素、卤元素以及烃基团中选取的一个，其中卤元素包括F、Cl、Br、I原子、烃基团包括1～6个碳原子的烷基与3～6个碳原子的环烷基;烷基的具体例子包括甲基、乙基、异丙基、异丁基和戊基;环烷基包括环乙基、环丙基、环丁基和环戊基。
上述式[Ⅱ]中，R5(或R6)与R9(或R7)可通过1～3个碳原子的亚烃基连接在一起，或不通过任何基团直接连接在一起。
上述式[Ⅰ]中，R15～R18连接在一起(组合)时可以形成具有一个双键的单环或多环;R15与R16或R17与R18可以形成2-4个碳原子的烷叉，其中具体例子包括乙叉(亚乙基)、丙叉、异丙叉和异丁叉。
上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的环烯烃可借助于通过Diels-Alder反应，缩合环戊乙烯与其相应的烯烃或环烯烃很容易地制备。
上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]中表示的本发明使用的环烯烃化合物列表如下二环[2.2.1]庚-2-烯的衍生物如下所示二环[2.2.1]庚-2-烯6-甲基二环[2.2.1]庚-2-烯5，6-乙基二环[2.2.1]庚-2-烯1-甲基二环[2.2.1]庚-2-烯
6-乙基二环[2.2.1]庚-2-烯
6-n-丁基二环[2.2.1]庚-2-烯6-异丁基二环[2.2.1]庚-2-烯7-甲基二环[2.2.1]庚-2-烯四环[4.4.0.12，6.17，10]-3-十二烯的衍生物如下四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基四环-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-丙基四环-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-丁基四环-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-异丁基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]
-3-十二烯8-环乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-硬脂四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯5，10乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯2，10乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8，9-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基-9-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯11，12乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯2，7，9-三甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-异丙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-丁基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-丙叉四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亚丙基-9-甲基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亚丙基-9-乙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亚丙基-9-异丙基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亚丙基-9-丁基四环[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-异亚丙基四环[4.4.0.12，5.17，10]
15-乙基八环[8.8.0.12，9.14，7.111，18.
113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯
五环[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯的衍生物如下五环[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯1，3-乙基五环[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯1，6-乙基五环[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯15，16-乙基五环[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯七环-5-二十烯衍生物或七环-5-二十二烯衍生物如下七环[8.8.0.12，9.14，7.111，17.03，8.012，16]-5-二十二烯七环[8.8.0.12，9.14，7.111，18.03，6.012，17]-5-二十二烯三环[4，3，0，12.6]-3-癸烯衍生物如下所示的这些三环[4，3，0，12.5]-3-癸烯
2-甲基三环[4，3，0，12.5]-3-癸烯
5-甲基三环[4，3，0，12.5]-3-癸烯
三环[4，3，0，12.5]-3-十一烯衍生物如如下提及的这些三环[4，3，0，12.5]-3-十一烯10甲基-三环[4，3，0，12.5]-3-十一烯五环[6.5.1.13，6.02，7.09，13]-4-十五烯衍生物如以下提及的这些五环[6.5.1.
13，6.02，7.09，13]-
4-十五烯1，3-乙基五环
6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯1，6-乙基五环[6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯14，15-乙基五环[6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯三烯化合物如下五环[6.5.1.
13，6.02，7.09，13]-4，10-十五-二烯五环[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯衍生物如以下提及的这些
五环[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯甲基-五环[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯七环[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十烯的衍生物如以下所示这些七环[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.16]-4-二十烯乙基-七环[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.16]-4-二十烯九环[9.10.1.14，7.03，8.12，10.012，21.113，20014，19.115，18]-5-二十五烯衍生物列举如下九环[9.10.1.14，7.03，8.12，10.012，10.012，21.
113，20014，19.115，18]-5-二十五烯
三甲基-九环[9.10.1.14，7.03，8.12，10.
012，21.113，20014，19.115，18]-5-二十五烯
五环[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯衍生物列举如下五环[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯11-甲基五环[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯11-乙基五环[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯10，11-乙基五环[8.4.0.12，5.19，12.
08，13]-3-十六烯
七环[8.8.0.14，7.111，18.113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯衍生物列举如下七环[8.8.0.14，7.111，18.113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯
15-甲基七环[8.8.0.14，7.111，18.113，16.
03，8.012，17]-5-二十二烯三甲基七环[8.8.0.14，7.111，18.113，16.
03，8.012，17]-5-二十二烯九环[10.10.1.16，8.114，21.116，19.02，11.04，9013，22.015，20]-6-二十六烯衍生物列举如下
如上述通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的，作为乙烯和环烯烃的共聚物，优先取用环烯烃无规共聚物(以下称环烯烃无规共聚物[A])它的特性粘度[η]为0.05～10dl/g，是在135℃的萘烷中测得的，其软化温度不低于70℃。如果需要的话，环烯烃无规共聚物[A]可以与由通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯与环烯烃的环烯烃无规共聚物(以下称环烯烃无规共聚物[B])结合，它的特性粘度[η]为0.05～5dl/g，在135℃萘烷中测得，且软化温度不低于70℃。
环烯烃无规共聚物[A]和含有乙烯单元与作为基本成分的前文提及的环烯烃单元的环烯烃无规共聚物[B]在需要时可以含有除去这两种基本组分之外的其它可共聚的非饱和单体单元，其限度只要使得不妨碍本发明的目的即可。这种在环烯烃无规共聚物中可用的可共聚的非饱和单体单元可以从包括3～20个碳原子的α烯烃的单体中获得，如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-六烯、1-八烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯，作为例子，这些非饱和的单体可使用的数量应小于在所得到的无规共聚物中含有的乙烯单元的总分子量。
在上述环烯烃无规共聚物[A]中，有40～80mul%的从乙烯得到的重复单元(a)，较可取的为50～70mul%;还有15～60mul%的从环烯烃得到的重复单元(b)，较可取的为25～50mul%，并且重复单元(a)与(b)基本上随机地线性排列。所得到的乙烯单元和环烯烃单元的无规共聚物的成分由13C-NMB确定。这种无规共聚物基本上是线性的，没有凝胶类交联结构，这一事实可以该聚合物在135℃萘烷中完全溶解的事实来证明。
环烯烃无规共聚物[A]在135℃萘烷中测得的特性粘度[η]为0.05～10dl/g，较可取的是0.08～5dl/g。
用一种热机械分析仪测得的环烯烃无规共聚物[A]的软化温度(TMA)至少为70℃，较可取的是90～250℃，最好为100～200℃。这一软化温度是通过使用一种热机械分析仪(Du Pont制造的)观察1mm厚的环烯烃无规共聚物的薄板的热变形行为确定的，即将一石英针在加载49g的情况下垂直插在薄板上，然后使薄板以5℃/mm的速度被加热，当针深入薄板的深度为0.635mm时，这时的加热温度可取作TMA。这种环烯烃无规共聚物[A]的玻璃转变点Tg可取的是50～230℃，最好为70～120℃。
通过X射线衍射测得环烯烃无规共聚物[A]的晶化率最好为0～10%。较可取的为0～7%，特别可取的为0～5%。
在本发明中，人们希望用一种环烯烃无规共聚物复合物形成基片。该共聚物复合物是通过使软化温度最低为70℃的环烯烃无规共聚物[A]与环烯烃无规共聚物[B]结合制备的，环烯烃无规共聚物[B]是由前面提到的式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的一种乙烯和环烯烃的共聚物，其特征粘度为0.05～5dl/g，软化温度小于70℃。
在软化温度小于70℃的环烯烃无规共聚物[B]中，从乙烯衍生物的重复单元[a]占60～98mul%，较可取的是69～95mul%，从环烯烃衍生的重复单元[b]占2～40mul%，较可取的是5～40mul%，并且重复单元(a)和(b)基本上线性无序排列。所得到的乙烯和环烯烃的无规共聚物的成分由13C-NMR确定。这种环烯烃无规共聚物[B]基本上是线性的，且没有凝胶类交联结构，这一结论可由该共聚物完全溶解于135℃萘烷中这一事实来证明。
在135℃的萘烷中测得环烯烃无规共聚物[B]的特性粘度[η]为0.05～5dl/g优取值为0.08～3dl/g。
用热机械分析仪测得环烯烃无规共聚物[B]的软化温度(TMA)小于70℃，优取值为-10℃～60℃，最好为10～50℃;该无规共聚物[B]的玻璃化温度一般为-30℃～60℃，优取值为-20～50℃。
用X射线衍射法测得环烯烃无规共聚物[B]℃;该无规共聚物[B]的玻璃化温度一般为-30℃～60℃，优取值为-20～50℃。
用X射线衍射法测得环烯烃无规共聚物[B]的结晶率的优取值为0～10%，较好的为0～7%，最好为0～5%。
在上述情况下，环烯烃无规共聚物[A]和[B]用作本发明基片的原料，环烯烃无规共聚物[A]与[B]的重量比为100/0.1～100/10，优取值为100/0.3～100/7，最好为100/0.5～100/5。使用这种环烯烃无规共聚物复合物，其中组分[B]按上面给出的比例掺入到组分[A]中，这样得到的基片具有这样的效果，即与单独使用组分[A]构成的基片相比，在恶劣环境中，基片与本发明中使用的保护膜之间的亲和性进一步改善，而基片本身的优良透光性和表面平滑性能也充分保留下来。当含有[A]与[B]的混合物的上述的环烯烃无规共聚物被用来制作基片时，所获得的基片与本发明所使用的保护膜之间优良的亲合性具有这样的特点，即纵然使承载保护膜的基片处于高温和高湿环境中，其亲合性也不会发生不希望的改变。
构成本发明基片的上述环烯烃无规共聚物[A]和[B]可通过选择合适的条件来制备，在所选择的条件下，按照本申请人在日本专利L-O-P Nos.168708/1985、120816/1986、115912/1986、271308/1986、272216/1986、252406/1987与252407/1987中提出的工艺过程来制备。
在上述环烯烃无规共聚物中，虽然从用上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的环烯烃中衍生的构成单元(b)被认为形成下面涉及的式[Ⅲ]和[Ⅳ]表示的结构的重复单元，但构成单元(b)有时也可以部分地由开环共聚作用结合，如果需要的话，它们也可以被氧化
此处K、M、N、及R1～R18‘R9‘Rb的定义同前文中的式[Ⅰ]。
此处r、s、t及R1-R15的定义同前面的式[Ⅱ]。
如上所述，代替上述的乙烯和环烯烃的无规共聚物，可以使用环烯烃开环聚合物或由开环共聚物或多种形式的环烯烃单体得到的共聚物，或者是聚合物或共聚物的氢化产物。上述的环烯烃开环聚合物、环烯烃开环共聚物及聚合物或共聚物的氢化产物用前述的式[Ⅰ]表示的环烯烃为例加以说明如下。式[Ⅰ]的环烯烃被认为进行如下所示的反应以形成开环共聚物和一种氢化产物
这种聚合物的例子包括四环十二烯与降冰法或其衍生物的开环共聚物以及共聚物的氢化产物。
而且，在本发明中一部分开环聚合物，开环共聚物、氢化共聚物以及上述的环烯烃无规共聚物可以用不饱和羧酸例如马来酸来修正。这种修正产物可通过上述的环烯烃树酯与不饱和羧酸或其衍生物为该酸酸酐或该酸的烷基醚起反应来制备。此外，在这种情况下，由环烯烃树酯修正产物得到的组成单元的含量通常不大于50～10mul%。这种环烯烃树酯修正产物可以通过把修正物加入到环烯烯树酯中来获得一所需的修正率，或通过进行移植聚合来制备，或者也可以制造一种有高的修正率的修正产物并把该修正产物与未被修正的环烯烃树酯混合来制备。
在本发明中，可以单独地或组合地使用上述的开环聚合物、开环共聚物及其氢化物、环烯烃无规共聚物及无规共聚物的修正产物。
而且，在本发明中，当制备上述的环烯烃无规共聚物时，不同于前面所述的式[Ⅰ]或[Ⅱ]所示的环烯烃也可以被聚合，只要这种聚合不妨害生成聚合物的物理性能即可。这种环烯烃的例子列举如下环丁烯环戊烯环六烯3，4-乙烷六烯3-甲基环六烯2-(2-甲基丁基)-1-环六烯2，3，3a，7a-四氢化-4，7-亚甲基-1H-茚以及
3a，5，6，7a-四氢化-4，7-亚甲基-1H-茚上述的其余环烯烃可单独或组合使用，其含量通常为0～50mul%。
除上述组分[A]和[B]外，本发明的磁光记录体的基片可与各种添加剂结合使用，例如用来改善冲击强度的橡胶成分、热稳定剂、气候稳定剂、抗静电剂、光滑剂、抗冻剂、防雾剂、润滑剂、染料、色素、天然油、合成油和蜡。这些添加剂的比例可适当选定。优选的稳定剂的具体例子包括酚抗氧化剂例如四[甲烯-3(3，5-双-t-丁基-4-羟苯基)丙酸]甲烯、β-(3，5-双-t-丁基-4-羟苯基)丙酸烷基醚与2，2′-草酰氨基(oxamidobis)[乙基-3-(3，5-双-t-丁基-4-羟苯基]丙酸，脂肪酸金属盐例如锌硬脂酸盐、钙硬脂酸盐和钙12-羟硬脂酸盐以及多羟基乙醇的脂肪酸醚例如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸、甘油二硬脂酸、季戊四醇-硬脂酸、季戊四醇二硬脂酸及季戊四醇三硬脂酸。这些稳定剂可以单独使用，也可以结合起来使用，例如四[甲烯-3(3，5-双-t-丁基-4-羟苯基)丙酸]甲烯与锌硬脂酸盐、甘油-硬脂酸一起使用。
本发明中希望将酚抗氧化剂与多羟基醇的脂肪酸酯一起使用。所述脂肪酸酯应优先选用这些多羟基醇脂肪酸酯，它们显示至少三种醇功能，其中一部分羟基被酯化。
上述的这种多羟基醇的脂肪酸酯具体举例如下甘油脂肪酸酯例如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸酯、甘油-十四酸酯、甘油-十六酸酯、甘油-二硬脂酸酯和甘油双月桂酸酯，以及季戊四醇的脂肪酸酯例如季戊四醇单硬脂酸酯、季戊四醇单月桂酸酯、季戊四醇双月桂酸酯、季戊四醇双硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯。
这些酚抗氧化剂使用的数量，根据上述组分[A]和[B]总重量为100分计，其重量应为0～10分，较可取的为0～5分，更可取的为0～2分;这种多羟基醇的脂肪酸酯使用的数量，根据上述组分[A]和[B]总重量为100分计，应为0～10分，可取的为0～5分。
本发明的磁光记录体的基片可与填料结合使用，例如二氧化硅、硅藻土、氢化铝、二氧化钛、镁氧化物、浮石球、铝的氢氧化物、镁的氢氧化物、碱性镁碳化物、白云石、硫酸钙、钾钛酸盐、硫酸钡、亚硫酸钙、滑石、瓷土、云母、石棉、玻璃纤维、玻璃片、玻璃球、钙硅酸盐、蒙脱土、皂土、石墨、铝粉、硫化钼、硼纤维、碳化硅纤维、聚乙烯纤维、聚丙烯纤维、聚酯纤维、聚胺纤维。
此外，含有环烯烃无规共聚物或该含复合成分的该共聚物形成的基片对保护膜有良好的亲合性，因而记录膜有优良的长期稳定性，同时，能有效地阻止氧化。借助于在一由环烯烃无规共聚物形成的基片形成一记录膜和保护膜而制成的磁光记录体因而有优良的记录灵敏度、经久耐用并长期稳定，而且无翘曲变形、不发生破裂。
虽然基片1的厚度不作具体限制，但可以选用的厚度为0.5～5mm，更可取的是1～2mm。
保护膜2，2a，2b本发明的第一至第四种磁光记录体中使用的保护膜2或2a是化学式为SiNx、ZnS、ZnSe、CdS、Si、AlN等所示的物质的膜，其中以SiNx膜为最佳选择。
以分子式为SiNx的材料形成的保护膜中，优先选用x在0＜x≤4/3的范围内的，优先选用的保护膜的具体例子中包括分子式为Si3N4的氮化硅膜，或包含Si3N4和Si的混合物的膜，从而使x在0＜x≤4/3的范围内。分子式为SiNx的这种保护膜可以通过溅射Si3N4靶形成，或由N2气和Si靶溅射形成。上述的由SiNx组成的这种保护膜2或2a以其折射率不少于2.0为最好。该保护膜2或2a可以使下面要说明的磁光记录膜3防止氧化等，或者作为增强膜以增强磁光记录膜的记录性能，或者这两种功能兼有，此外，分子式为SiNx的材料形成的保护膜在防止破裂方面尤其优越。
在本发明中，保护膜2或2a的厚度为500～2000 ，以大约为800～1500 为最好。
借助形成一具有上述厚度的保护膜可以获得具有良好C/N比的磁光记录体。
在本发明的第三和第四种磁光记录体中，保护膜2b形成于下文中将要说明的磁光记录膜3上。
使用一类类似于保护膜2a的一种膜作为保护膜2b。
如上述的保护膜2b的厚度为100～1000 ，最好在150～500 之间。
在本发明中，通过形成厚度在上述范围内的保护膜，常常可以获得具有较高C/N比和较宽记录功率范围的光磁记录体。
磁光记录膜3磁光记录膜3包括ⅰ)至少从3d族过渡金属中所选的一种金属元素与ⅲ)至少从稀土元素中选取的一种元素;或者包括ⅰ)至少从3d族过渡金属中选取的一种金属元素，ⅱ)至少从抗蚀性金属中选取的一种元素，ⅲ)至少从稀土元素中选取的一种元素。
上述的磁光记录膜中，较可取的是包括ⅰ)至少从3d族过渡金属中选取的一种元素，ⅱ)至少从抗蚀性金属中选取的一种元素，ⅲ)至少从稀土元素中选取的一种元素。
可用来作为3d族过渡金属元素(ⅰ)是Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn，其中更可取的是Fe或Co，或二者。
该3d族过渡金属在磁光记录膜3中的含量为20～90(原子)%，较可取的是30～80(原子)%，最好是35～80(原子)%。
借助于在磁光记录膜中加入抗蚀金属元素(ⅱ)，可获得所述记录膜的强抗氧化性能。可用的抗蚀性金属元素为Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、及Nb。其中较可取的是Pt、Pd、Ti，最好是Pt、Pd或它们二者。
在磁光记录膜中，抗蚀性金属元素的含量不大于30%(原子)，可取的为5～20(原子)%，较好的是10～25(原子)%，最好为10～20(原子)%。
所述的可包括于磁光记录膜中的稀土元素(ⅲ)为Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu，其中尤为可取的是Gd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。
从上述稀土元素中选取的至少一种元素在本发明所述的磁光记录膜中的含量为5～50(原子)%。
在本发明中，所希望的磁光记录膜有以下成分。
ⅰ)3d族过渡金属本发明所用的磁光记录膜应含有Fe或Co，或含有它们二者作为3d族过渡金属(ⅰ)，在记录膜中Fe与/或Co的含量至少为40(原子)%，但不大于80(原子)%，较可取的是至少为40(原子)%，但小于70(原子)%，最好为40～59(原子)%。
在本发明的磁光记录膜中，所需的Fe与/或Co的含量应使得Co/(Fe+Co)之比值(原子比)至少为0，但不大于0.3，较好为0～0.2，最好为0.01～0.2。
当在磁光记录膜中使用的Fe与/或Co的含量在40～80(原子)%之间时，可以获得这样的优点，即所得到的磁光记录膜具有优良的抗氧化性能，并且有一垂直于膜面的易磁化轴。
当Co加入到磁光记录膜中时，会观察到这种现象(ⅰ)居里点提高(ⅱ)Kerr旋转角(QK)增大，所以，可借助于调节在磁光记录膜中加入的Co的数量来调节记录类敏度。此外，通过加入Co到磁光记录膜中，可增加重放信号的载波电平;从噪声电平与C/N比的观点看，在磁光记录膜中的Co/(Fe+Co)(原子之比率)应至少为0，但不大于0.3，较可取的是0～0.2，最好为0.01～0.2。
上面说明的用于本发明中的磁光记录膜即使在重复进行信息的记录与抹去时也不会改变性能，例如，成分为Pt13Tb38Fe50Co9((原子)%)的磁光记录膜，当记录与抹除信息以及反复100，000次时没有发现C/N比的减少。
ⅱ)抗蚀性金属作为本发明的磁光记录膜的抗蚀性金属(ⅱ)，较可取的是Pt或Pd，或二者兼有，并且磁光记录膜中所需的Pt与/或Pd的含量为5～30(原子)%，较可取的为10～30(原子)%，尤其可取的是10～20(原子)%，最好为11～19(原子)%。
当磁光记录膜中Pt与/或Pd的含量至少为5(原子)%，特别是大于10(原子)%时，可获得这样的优点，即所得到的记录膜在抗氧化性能方面优良，即使该记录膜长期使用也不发生腐蚀并且看不到C/N比变坏。
例如，成分为Pt13Tb28Fe50Co9(原子%)或者Ps12Tb28Fe53Co7(原子%)的本发明的磁光记录膜中，即使将它们放在湿度为85%RH、温度为80℃的环境下保存1000小时，也观察不到C/N比的劣变;与上述磁光记录膜对照，不含Pd或Pt，化学式为Tb25Fe28Co7(原子%)所示的磁光记录膜，将它放在相对湿度为85%RH、温度为80℃的环境中保持1000小时，则观察到C/N比的明显变坏。
当在Pt与/或Pd为上面给定量的磁光记录膜中记录或读取信息时，施加一小的偏磁场即可获得足够高的C/N比。如果用小的编磁场就可获得一足够高的C/N比，就可以使用简化的驱动装置来驱动载承该磁光记录膜的光盘，这是因为用来产生偏磁场的磁体的尺寸减小了，并且磁体发热也减小了;由于用小的偏磁即可获得足够高的C/N比，使得设计一能够重写的用于磁场调制记录的磁体也变得容易了。
ⅲ)稀土元素(RE)在本发明的磁光记录膜中含有稀土元素(RE)，所使用的稀土元素包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho。
上面列举的稀土元素中，较可取的是Nd、Pr、Gd、Tb和Dy，尤为可取为Tb，这些稀土元素可以两种或多种一起使用，在这些元素中Tb的含量至少为50(原子)%。
从要获得一具有垂直于膜面的易磁化轴的磁光记录膜的观点看来，在磁光记录膜中稀土元素应有这样的含量，即若用x表示RE/(RE+Fe+Co)之比(原子比)，x的范围为0.15≤x≤0.45，较好的为0.20≤x≤0.40。
在本发明中，借助于在磁光记录膜中加入少量的不同的其它元素可以改善居里温度、补偿温度、矫顽力Hc、或Kerr旋转角(QR)，或可以减少生产成本。在这种磁光记录膜中所含的这些元素在全部组成的10(原子)%。
在各种情况下可以应用的这些元素列举如下(Ⅰ)除Fe、Co之外的其它3d族元素，具体地说例如Se、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。
上述的这些元素中，优先取Ti、Ni、Cu、Zn。
(Ⅱ)除Pd之外的4d族过渡金属，例如包括Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag和Cd。
上述的这些元素中，优先取Zn和Nb。
(Ⅲ)除Pt之外的5d族过渡金属，例如包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Hg。
上面列举的这些元素中，优先取Ta。
(Ⅳ)属于ⅢB中的元素。
具体可采用的是B、Al、Ga、In和Tl。
上面列举的这些元素中，优先使用B、Al、Ga。
(Ⅴ)属于ⅣB组中的元素具体可用的元素是C、Si、Ge、Sn、Pb。
上面列举的这些元素中，优先使用Si、Ge、Sn、Pb。
(Ⅵ)属于ⅤB组中的元素可用的元素是N、P、As、Sb、Bi。
上面列举的这些元素中，优先使用Sb。
(Ⅶ)属于ⅥB组中的元素可用的元素具体为S、Se、Te和Po上面列举的这些元素中，优先使用Te。
借助于宽角度X射线折射或类似的方式，可以证实具有上面给定成分的磁光记录膜是一种具有垂直于膜面的易磁化轴的非晶套膜，它的Kerr磁滞环在大多数情况下呈予希望的方形，且它能垂直磁化和进行磁光记录。
在本说明书中，所述的Kerr磁滞环呈所希望的方形这种说法在于强调这样的事实，即在最大外磁场中，在饱和磁化时的Kerr旋转角(QR1)与在O磁场中，在剩磁情况下的Kerr旋转角(QR2)之比QR1/QR2大于0.8。
这种磁光记录膜3的厚度为100～600 ，较可取的是100～400 ，特别可取的是150～300 。
铝合金膜4在本发明的第一种磁光记录体10a中，铝合金膜4形成在上述磁光记录膜3上。
在本发明的第二种磁光记录体10b中，下面将要说明的镍膜5形成在上述的磁光记录膜3之上，铝合金膜4形成在Ni合金膜上。
在本发明的第三种磁光记录体10C中，上的保护膜2b形成在上述的磁光记录膜中，Al合金膜4形成在保护膜2b上。
在本发明的第四种磁光记录体10d中，上述的保护膜2b形成在上述的磁光记录膜3上，下文中将要说明的Ni合金膜5形成在保护膜2b上，Al合金膜4形成在Ni合金膜上。
Al合金膜4包括Al和除Al之外的至少一种其它的元素。
这些Al合金膜的具体例子列举如下
Al-Cr合金(Cr含量0.1～10(原子)%)Al-Cu合金(Cu含量0.1～10(原子)%)Al-Mn合金(Mn含量0.1～10(原子)%)Al-Hf合金(Hf含量0.1～10(原子)%)Al-Nb合金(Nb含量0.1～10(原子)%)Al-B合金(B含量0.1～10(原子)%)Al-Ti合金(Ti含量0.1～10(原子)%)Al-Ti-Nb合金(Ti0.1～5(原子)%、Nb0.1～5(原子)%)Al-Ti-Hf合金(Ti0.1～5(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Cr-Hf合金(Cr0.1～5(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Cr-Ti合金(Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～10(原子)%)Al-Cr-Zr合金(Cr0.1～5(原子)%、Zr0.1～10(原子)%)Al-Ti-Nb合金(Ti0.1～5(原子)%、Nb0.1～5(原子)%)Al-Ni合金(Ni0.1～10(原子)%)Al-Mg合金(Mg0.1～10(原子)%)Al-Mg-Ti合金(Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%)Al-Mg-Cr合金(Mg0.1～10(原子)%、Cr0.1～10(原子)%)Al-Mg-Zr合金(Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Se合金(Se0.1～10(原子)%)Al-Zr合金(Zr0.1～10(原子)%)Al-Ta合金(Ta0.1～10(原子)%)
Al-Ta-Hf合金(Ta0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Si合金(Si0.1～10(原子)%)Al-Ag合金(Ag0.1～10(原子)%)Al-Pd合金(Pd0.1～10(原子)%)Al-Pt合金(Pt0.1～10(原子)%)上面列举的这些Al合金中，以下这些是特别可取的，因为它们有优良的抗蚀性，且对含这些Al合金之一构成的金属膜的磁光记录体来说，对线速度的依赖性小含Hf0.1～10(原子)%的Al合金，含Ni0.1～10(原子)%的Al合金，含Ti0.5～5(原子)%、Hf0.5～5(原子)%，所述Ti和Hf的总含量为1～5.5(原子)%的Al合金，含Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～9.5(原子)%，Cr和Ti的总含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～9.5(原子)%，Hf0.1～9.5(原子)%且Cr、Ti、Hf的总含量不大于10(原子)%和Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Cr0.1～10(原子)%，且Mg和Cr的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Hf0.1～9.5(原子)%，Cr和Hf的总含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%，Mg和Hf的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Zr0.1～9.5(原子)%，且Cr和Zr的总含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Ta0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%且Ta和Hf的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Ti0.5～5(原子)%，Ni0.5～5(原子)%、Ti和Ni的总含量不大于1～5.5(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%、Mg和Ti的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%，Ti0.1～10(原子)%，且Mg、Hf、Ti的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%、Cr含量不大于10(原子)%，且Mg、Hf、Cr的总含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%、Cr不大于10(原子)%，且Mg、Ti、Cr的总含量不大于15(原子)%的Al合金;以及含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%Cr含量不大于10(原子)%，且Mg、Hf、Ti、Cr的总含量不大于15(原子)%的Al合金。
除去构成上述Al合金的金属以外，Al合金膜还可含有一种、两种或多种其它的金属元素;这些金属元素包括Ti、Ta、Cr、Si、Cu、W、Zr、Mn、Mg及V。这些可含的金属元素的量一般不大于5(原子)%。最好不大于2(原子)%。(已经含有上面列举的金属元素的Al合金膜不再含有所述按上面确定含量范围的Al合金膜中已被包含的金属元素，例如，当构成Al合金膜的Al合金是Al-Tl合金或Al-Tl-Hf合金时，上面所列举的这些金属元素中，Tl再不应包含在这一铝合金中了。)本发明中使用的Al合金膜4要求的厚度为100～5000 ，可取的是500～3000 ，最好为700～2000 。
本发明使用的Al合金膜4作为好的导热层，磁光记录体中由于有了这种Al合金膜，在记录膜中被记录的凹处的中心部分可防止由记录光束引起的过热，因此可以认为，所用的记录功率对线速度的依赖性变小了。
本发明的Al合金膜有良好的抗蚀性能，因此磁光记录体有这样的特点，即长期使用后它们表现出对线速度几乎没有依赖性，并且Al合金膜表现出对记录层有良好的保护作用。
镍合金膜5在本发明的第一种磁光记录体10a中，镍合金膜5形成于上述的Al合金膜4之上。
在本发明的第二种磁光记录体10b中，Ni合金膜5形成在上述的磁光记录膜3上，上述的Al合金膜4形成在Ni合金膜5之上。
在本发明的第三种磁光记录体10C上，Ni合金膜形成在上述的Al合金膜4之上。
在本发明的第四种磁光记录体10d上，上述的保护膜2b形成在上述的磁光记录膜3上，Ni合金膜5形成在保护膜2b之上，上述的Al合金膜4形成在Ni合金膜5之上。
Ni合金膜含有Ni和除Ni之外的至少一种元素。
这种Ni合金膜具体列举如下Ni-Cr合金(30～99(原子)%Ni、1～70(原子)%Cr;最好为70～95(原子)%Ni、5～30(原子)%Cr);
Ni-Si合金(Ni85(原子)%、Si10(原子)%、Cu3(原子)%、Al2(原子)%);
Ni-Cu合金(Ni63(原子)%、Cu29-30(原子)%、Fe0.9～2(原子)%、Si0.1～4(原子)%、Al0～2.75(原子)%);
Ni-Mo-Fe合金(Ni60～65(原子)%、Mo25～30(原子)%、Fe5(原子)%);
Ni-Mo-Fe-Cr合金(Ni55～60(原子)%、Mo15～20(原子)%、Fe6(原子)%、Cr12-16(原子)%、W5(原子)%);
Ni-Mo-Fe-Cr-Cu合金(Ni60(原子)%、Mo5(原子)%、Fe8(原子)%、Cr21(原子)%、Cu3(原子)%、Si1(原子)%、Mn1(原子)%、W1(原子)%，或者Ni44-47(原子)%、Mo5.5-7.5(原子)%、Cr21～23(原子)%、Cu0.15(原子)%、Si1(原子)%、Mn1～2(原子)%、Co2.5(原子)%、W1(原子)%、Nb1.7～2.5(原子)%以及余量的Fe)。
在这些可用于Ni合金膜5的Ni合金中，优取的是Ni-Cr合金。
这种Ni合金膜5的厚度为200～5000
，较好的是300～3000
，最可取的约为500～2000
。
具有上述Ni合金膜5的本发明的磁光记录体具有优良的机械性能例如小的翘曲变形。
在本发明的磁光记录体中，在上述的Al合金膜4与Ni合金膜5之间，可提供一保护膜，可以使用与上述保护膜2b、2a相类似的保护膜。
在本发明中，在最外层上，即Ni合金膜或Al合金膜上，可以提供一外涂层。一种紫外线聚合树脂例如丙烯酰基型紫外线聚合树脂就可用作外涂层物质，形成的外涂层厚度一般为1～100μm。在基片与保护膜2相对的另一侧也可以有一面涂层。
通过在基片上形成保护膜、磁光记录膜、Al合金膜和Ni合金膜，来制成本发明所述的磁光记录体，上述膜的形成可采取真空蒸发淀积、溅射或电子束蒸发淀积形成。
本发明的磁光记录体具有优良的机械性能，例如小的翘曲变形，记录功率对线速度的依赖性小，记录功率范围宽、优良的抹一读一写循环性能，还具有优良的抗氧化性和记录灵敏度。
下面将参照实施例来说明本发明，不过需强调的是本发明并不局限于这些例子。
实施例1用溅射方法在由乙烯与四环[4、4、0.12，5、17，10]-3-十二烯(结构式为
，下面简略为TCD-3)的非晶态共聚物形成的基片上顺序形成了厚度为1100
Si3N4保护膜、厚度为300
Pt10Tb28Fe60Co2的磁光记录膜;所述共聚物中乙烯的含量为59(原子)%，是用13C-NMR分析测得的，TCD-3的含量为41(原子)%，特性粘度[η]为0.42dl/g，是在135℃的萘烷中测得的，软化温度为154℃。使用Al-Ti-Hf复合靶用溅射方法在记录膜上形成了厚度为2000
的Al合金膜即Al-Ti-Hf，所述Al合金中，Al为97(原子)%，Ti为1(原子)%，Hf为2(原子)%。使用Ni-Cr复合靶用溅射方法在Al合金膜上形成了厚度为500
的Ni-Cr合金膜，所得到的Ni合金膜中Ni为90(原子)%、Cr为10(原子)%。
这样获得的磁光记录体被置于温度为70℃、相对湿度为85%的环境中达48小时，与膜形成前的基片相比，未观察到磁光记录体的翘曲变形。
此外，该磁光记录体显示出的最佳记录功率在线速度为5.7m/sec时为4.1mw，在线速度为11.3m/sec时为6.5mw。
“功率范围”这一术语指的是记录功率的范围，在这个范围内可获得不小于C/Nmax-3dB的C/N比值。上述磁光记录体的功率范围在频率为3.7MHz、效率因子为33.3%，线速度为5.7m/sec时为3.6mw，C/N为47.7dB。
此外，在本发明的说明书中，最佳记录功率指的是当写入信号具有1MHz的频率、效率因子为50%时，使得重放信号的二次谐波为最小的记录功率。当线速度之间的最佳记录功率之差小时，说明最佳记录功率对线速度的依赖性较小。
实施例2用溅射方法在与例1使用的基片类似的基片上顺序地形成厚度为1000 Si3N4保护膜，厚度为300 Pt10Tb28Fe60Co2(原子)%磁光记录膜;使用Ni-Cr复合靶用溅射方法在上述磁光记录膜上形成厚度为500 的Ni-Cr合金膜，这样得到的Ni合金膜中N为90(原子)%，Cr为10(原子)%;使用Al-Ti-Hf复合靶用溅射方法在上述Ni合金膜上再形成厚度为1000 的Al-Ti-Hf合金膜，这样获得的Al合金膜中Al为97(原子)%，Ti为1(原子)%，Hf为2(原子)%。
这样获得的磁光记录体放置于温度为70℃，相对湿度为85%的环境中达48小时，与膜形成前的基片比较未观察到任何翘曲变形。
此外，该磁光记录体显示出的最佳记录功率在线速度为5.7m/sec时为4.6mw，线速度为11.3m/sec时为6.8mw。
该磁光记录体在频率为3.7mHz、效率因子为33.3%、线速度为5.7m/sec条件下显示出的功率范围(Pm)为3.3mw，C/N为47.5dB。
实施例3用溅射方法在与例1所用基片类似的基片上顺序溅射形成厚度为1100 Sis3N4保护膜，厚度为300 Pt10Tb28Fe60Co2[(原子)%组成的磁光记录膜、厚度为250 Si3N4保护膜;使用Al-Ti-Hf复合靶用溅射法在上述保护膜上再形成厚度为2000 的Al-Ti-Hf合金膜，为此获得的Al合金膜中Al为97(原子)%，Ti为1(原子)%，Hf为2(原子)%;使用Ni-Cr复合靶用溅射方法在上述Al合金膜上形成厚度为1000 的Ni-Cr合金膜，为此获得的Ni合金膜中Ni为90(原子)%，Cr为10(原子)%。
这样获得的磁光记录体放置于温度为70℃、相对湿度为85%的环境中达48小时，与膜形成前的基片相比较未观察到任何翘曲变形。
此外，当频率和效率因子分别为1mHz和50%时，磁光记录体显示出的最佳记录功率在线速度为5.7m/sec时为4.3mw，线速度11.3m/sec时为6.0mw。
在频率为3.7mHz、效率因子33.3%，线速度为5.7m/sec时，磁光记录体显示出的功率范围(Pm)为4.5mw，C/N为48dB。
权利要求
1.一种磁光记录体，其特征在于一保护膜，一磁光记录膜，一铝合金膜和一镍合金膜按上述次序依次形成在一基片上。
2.一种磁光记录体，其特征在于一保护膜、一磁光记录膜、一镍合金膜和一铝合金膜按所述次序依次形成在一个基片上。
3.一种磁光记录体，其特征在于一保护膜、一磁光记录膜、一保护膜、一铝合金膜和一镍合金膜按所述次序依次形成在一基片上。
4.一种磁光记录体，其特征在于一保护膜、一磁光记录膜、一保护膜，一镍合金膜和一铝合金膜按所述次序依次形成在一基片上。
5.根据权利要求1，2，3或4所述的磁光记录体，其中的基片包括用式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯和环烯烃的共聚物
此处n为0或1，m为0或一正整数，k为0或1，R1-R18、R9和R6分别是氢元素、卤族元素、烃基团，R16-R18可以连接在一起，形成有一个双键的单环或多环，R16与R16或R17与R18一起可形成一亚烷基。
此处r是0或至少为1的整数，s和t是0、1或2，R1～R16分别是从氢、卤元素、链烃基、芳香烃基、烷氧基中选取的一个原子或一和基团，R5(或R6)与R9(或R7)可通过1至3个碳原子的烯属烃基连接在一起，或不通过任何基团直接连在一起。
6.根据权利要求1、2、3或4所述的磁光记录体，其中基片包括由式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯和环烯烃的环烯烃无规共聚物[A]，所述无规共聚物的软化温度(TMA)不小于70℃，在135℃萘烷中测得特性粘度[η]为0.05～10dl/g。
此处n为0或1，m是0或一正整数，k为0或1，R1～R18、Ra和Rb分别是氢原子、卤素原子或烃基团，R15～R18可以连在一起，形成有一个双键的单环或多环，R15和R16或R17和R18可连在一起形成一亚烷基。
此处r是0或至少为1的整数，s和t是0、1或2，R1～R15分别是从氢原子、卤族原子、链烃基、芳香烃基、烷氧基中选取的一个原子或基团，R6(或R6)与R9(或R7)可通过1～3个碳原子的烯属烃基连在一起，或不通过任何基团直接连在一起。
7.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中所述基片包括由通式[Ⅰ]和[Ⅱ]表示的乙烯和环烯烃的环烯烃无规共聚物[A]，所述无规共聚物具有不小于70℃二软化温度，在135℃萘粘中测得其特性粘度为0.05～10dl/g，以及由通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯与环烯烃的环烯烃无规共聚物[B]，所述共聚物的软化温度低于70℃，在135℃萘烷中测得特征粘度[η]为0.05～10dl/g。所述环烯烃无规共聚物[A]与环烯烃无规共聚物[B]的重量比[A]/[B]为100/0.1～100/10;
此处n为0或1，m为0或一正整数，k为0或1，R1-R18、R9和Rb分别是氢原子、卤素原子或烃基团，R15～R18可以连在一起形成有一个双键的单环或多环，R15和R16或R17和R18连在一起可形成一亚烷基;
此处r是0或至少为1的整数，s和t是0、1或2，R1～R15分别是从氢原子、卤素原子、链烃基、芳香烃基、烷氧基中选取的一个原子或基团，R5(或R6)与R9(或R7)可通过1～3个碳原子的烯属烃基连在一起，或不通过任何基团直接连在一起。
8.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中的保护膜由从SiNx(0＜x≤4/3)、Zns、ZnSe、Cds、Si、AlN中选取的一种物质形成。
9.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中的保护膜由SiNx(0＜X≤4/3)形成。
10.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中磁光记录膜包括ⅰ)从3d族过渡金属中选取的至少一种金属元素以及ⅲ)从稀土元素中选取的至少一种元素。
11.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中磁光记录膜包括ⅰ)从3d族过渡金属中选取的至少一种金属元素，ⅱ)从抗蚀性金属中选取的至少一种金属元素以及ⅲ)从稀土元素中选取的至少一种元素。
12.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中铝合金膜是包括铝以及从Cr、Cu、Mn、Hf、Ni、B、Ti、Ni、Mg、Se、Zr、Ta、Si、Ag、Pd、Pt中选取的至少一种元素形成的合金构成。
13.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其中镍合金膜是包括镍以及从Cr、Si、Cu、Mo、Fe中选取的至少一种元素形成的合金构成。
14.根据权利要求1或3的磁光记录体，其特征在于有一外涂层形成在镍合金膜之上。
15.根据权利要求2或4的磁光记录体，其特征在于有一外涂层形成在铝合金膜之上。
16.根据权利要求1、2、3或4的磁光记录体，其特征在于有一外涂层形成在基片与保护膜相对侧的另一侧上。
17.根据权利要求1或2的磁光记录体，其中基片厚度为0.5～5mm，保护膜厚度为500～22000
、磁光记录膜厚度为100～600 、铝合金膜厚度为100～5000 ，镍合金膜厚度为200～5000 。
18.根据权利要求3或4的磁光记录体，其中基片厚度为0.5～5mm，形成在基片上的保护膜厚度为500～2000 ，磁光记录膜的厚度为100～600 ，形成在磁光记录膜上的保护膜厚度为100～1000 ，铝合金膜厚度为100～5000 ，镍合金膜厚度为200～5000 。
全文摘要
本发明的磁光记录体包括一个基片、一个保护膜、一个磁光记录膜、一个铝合金膜和一个镍合金膜。这种磁光记录体具有优良的机械性能例如翘曲变形小，记录功率对线速度的依赖性小、记录功率范围宽、优良的株－读－写循环性能以及优良的抗氧化性能和记录灵敏度。
文档编号H01F10/12GK1056944SQ9110349
公开日1991年12月11日 申请日期1991年4月24日 优先权日1990年4月24日
发明者进藤清孝, 大久保敦, 水本邦彦 申请人:三井石油化学工业株式会社