一种亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及激光设备领域，尤其涉及一种亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置。
【背景技术】
[0002]近年来，随着激光技术在国内外的快速发展，激光技术的应用也越来越普遍，例如切割、标刻、探测等实际应用，而且近年来国内激光器行业也已经成为了国内一股新兴产业，激光器由电路跟光路两部分组成，通过对电路的调节以实现对光功率的控制，应用中可根据不同的需求进行不同的电路光路匹配，现有技术中，由于MOPA激光器的脉冲较宽，峰值功率不够，所以在具体的打黑应用中不能够实现快速打黑，若将脉宽缩小，则放大后的信号失真严重，难以实现目标要求。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种既能达到放大要求又能避免失真的亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。
[0005]一种亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置，其包括有依次电性连接的种子源脉冲产生电路、种子源放大电路和激光器，所述种子源脉冲产生电路用于输出预设脉宽和预设频率的纳秒级脉冲信号，所述种子源放大电路包括有第一放大器和第二放大器，所述第一放大器和第二放大器依次电性连接而形成两级放大电路，藉由该两级放大电路将所述纳秒级脉冲信号放大后传输至激光器。
[0006]优选地，所述种子源脉冲产生电路包括有EPM570芯片及其外围电路，所述EPM570芯片内烧录有程序代码，且通过该程序代码而令EPM570芯片输出预设脉宽和预设频率的纳秒级脉冲信号。
[0007]优选地，所述EPM570芯片的外围电路包括有时钟芯片和晶振，所述时钟芯片的型号是 DS1023。
[0008]优选地，所述纳秒级脉冲信号的脉宽为1.5ns?40ns，所述纳秒级脉冲信号的频率为 45kHz ?100kHz。
[0009]优选地，所述第一放大器和第二放大器的芯片型号均为ths3202。
[0010]优选地，所述第一放大器和第二放大器之间的线路上设有一 PNP管，所述PNP管的发射极连接于第一放大器的输出端，所述PNP管的基极连接于第二放大器的输入端，所述PNP管的集电极悬空。
[0011]优选地，所述种子源放大电路还包括有一场效应管，所述场效应管的栅极连接第二放大器的输出端，所述所述场效应管的漏极和源极分别连接激光器和地。
[0012]优选地，所述激光器是1064激光器。
[0013]本发明公开的亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置中，种子源脉冲产生电路输出的纳秒级脉冲信号作为种子源信号，该种子源信号先经过第一放大器进行一级跟随，以保证对种子源的缓冲、隔离以及后续放大的带载能力，使得放大倍数能达到预期的参数，接下来就是种子源的放大，也就是利用第二放大器进行二级放大，使得种子源脉冲幅值变大、信号变强、更利于驱动，使得激光器的种子源功率得以放大，既满足了放大要求，又避免了信号失真。
【附图说明】
[0014]图1为本发明实施例提供的亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置的电路框图。
[0015]图2为本发明实施例提供的种子源脉冲产生电路的原理图。
[0016]图3为本发明实施例提供的种子源放大电路的原理图。
[0017]图4为本发明实施例提供的温控电路的原理图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0019]本发明公开了一种亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置，结合图1至图3所示，其包括有依次电性连接的种子源脉冲产生电路1、种子源放大电路2和激光器3，所述种子源脉冲产生电路I用于输出预设脉宽和预设频率的纳秒级脉冲信号，所述种子源放大电路2包括有第一放大器U7和第二放大器U6，所述第一放大器U7和第二放大器U6依次电性连接而形成两级放大电路，藉由该两级放大电路将所述纳秒级脉冲信号放大后传输至激光器3。
[0020]上述亚纳秒级窄脉宽脉冲光纤激光装置中，种子源脉冲产生电路I输出的纳秒级脉冲信号作为种子源信号，该种子源信号先经过第一放大器U7进行一级跟随，以保证对种子源的缓冲、隔离以及后续放大的带载能力，使得放大倍数能达到预期的参数，接下来就是种子源的放大，也就是利用第二放大器U6进行二级放大，使得种子源脉冲幅值变大、信号变强、更利于驱动，使得激光器的种子源功率得以放大，既满足了放大要求，又避免了信号失真。
[0021]作为一种优选方式，所述激光器3是1064激光器，但是这仅是本发明的一个较佳的实施例，并不用于限制本发明，在本发明的其他实施例中，所述激光器3还可以是其他型号。
[0022]关于种子源脉冲产生电路I的具体结构，如图2所示，所述种子源脉冲产生电路I包括有EPM570芯片U3及其外围电路，所述EPM570芯片U3内烧录有程序代码，且通过该程序代码而令EPM570芯片U3输出预设脉宽和预设频率的纳秒级脉冲信号。
[0023]进一步地，所述EPM570芯片U3的外围电路包括有时钟芯片U5和晶振Y1，所述时钟芯片U5的型号是DS1023。
[0024]作为一种优选方式，所述纳秒级脉冲信号的脉宽为1.5ns?40ns，所述纳秒级脉冲信号的频率为45kHz?100kHz。
[0025]其中，种子源电信号是由IC EPM570以及DS1023来产生，具体则是由EPM570内部所写的程序代码，再加上时钟芯片DS1023来实现的。
[0026]关于种子源放大电路2的具体结构，如图3所示，所述第一放大器U7和第二放大器U6的芯片型号均为ths3202，本发明充分利用ths3202、低噪声、响应速度快等优点，结合其外围电路形成理想的负反馈放大电路。
[0027]进一步地，所述第一放大器U7和第二放大器U6之间的线路上设有一 PNP管Ql，所述PNP管Ql的发射极连接于第一放大器U7的输出端，所述PNP管Ql的基极连接于第二放大器U6的输入端，所述PNP管Ql的集电极悬空。该PNP管Ql用来隔离种子源一级放大与二级放大，以防种子源经过二级放大之后影响一级跟随，避免影响种子源的脉冲形状以及放大倍数。
[0028]进一步地，所述种子源放大电路2还包括有一场效应管Q2，所述场效应管Q2的栅极连接第二放大器U6的输出端，所述所述场效应管Q2的漏极和源极分别连接激光器3和地，该场效应管Q2有较强的驱动能力，并且更适合用于对信号进行保护。
[0029]进一步地，对于种子源放大电路2而言