热释电传感器制作工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种热释电传感器制作工艺。
【背景技术】
[0002]关于热释电传感器的制作，现有工艺是将红外晶体灵敏元薄片，通过精细研磨减薄至20?30 μ，然后再利用腐蚀的方法，将晶片减薄至10 μ左右(相当于头发丝的1/8)，取出后在显微镜下，放入特制的镀膜模具中，正反面镀膜，再镀金黑，这样要反复打开真空室，反复移动10 μ的晶片，反复对准镀膜模具；这一繁杂的过程造成晶片的成品率大幅度降低、光敏面的有效面积不能保证，以致影响到电参数。
[0003]10 μ的晶片在镀好上下电极和金黑之后，再用胶粘在特定的陶瓷衬底上，这一工艺过程难度很大，且装配精度不高。
【发明内容】
[0004]针对上述问题，本发明的目的在于提供一种热释电传感器制作工艺，以解决现有技术中的问题，提高传感器的成品率和内在质量。
[0005]为了实现上述目的，本发明的技术方案如下:
热释电传感器制作工艺，其特征在于，包括以下步骤:
Α、将红外晶体灵敏元薄片加工至20?30 μ厚度；
Β、选用中部开有孔的高绝缘衬底，通过胶将灵敏元薄片与高绝缘衬底的一面粘贴；
C、胶固化后，通过腐蚀的方式，将灵敏元薄片的与高绝缘衬底的中部孔相对应部分的厚度减薄至10 μ左右，使灵敏元薄片形成中部薄，两端厚的结构；再将整体洗净、晾干；
D、将整体放入上下分别开设有孔的以便于双面镀膜的模具中，并固定；
Ε、在镀膜机内，通过模具的孔分别镀上、下电极；
F、取出后，在模具的一面盖上开有孔的黑金掩膜版，且黑金掩膜版的开孔位置与所述模具面的孔一致；再通过镀膜机金黑层。
[0006]在步骤Α中，将红外晶体灵敏元薄片通过精细研磨减薄至20?30 μ，再经抛光、洗净。
[0007]在步骤D中，所述模具包括上电极掩膜版、一体限厚框和下电极掩膜版，上、下电极掩膜版的中部分别开设所述孔。
[0008]在步骤D中，模具的上、下孔尺寸小于高绝缘衬底的孔尺寸。
[0009]在步骤F中，黑金掩膜版贴在上电极掩膜版上。
[0010]本发明的有益效果是:灵敏元薄片与高绝缘衬底粘贴为一整体，放入镀膜模具后，灵敏元薄片不用做任何翻动，全是在一个定位模具中执行工艺，所以不存在翻动损坏和电极错位问题，最大限度减少芯片的翻动，自然成品率就会提高。本发明是在有衬底的芯片上做电极引线，操作方便。
[0011]本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
【附图说明】
[0012]图1: 20~30 μ厚的灵敏兀薄片的不意图。
[0013]图2:高绝缘陶瓷衬底的示意图。
[0014]图3:灵敏元薄片粘在高绝缘陶瓷衬底上。
[0015]图4:灵敏元薄片腐蚀后的示意图。
[0016]图5 旲具的不意图。
[0017]图6:电极镀膜总装图。
[0018]图7:黑金掩膜版放在模具上的示意图。
[0019]图8:引上下电极不意图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本发明。
[0021]参见图1，使用原工艺精心制作的LATGS晶体经抛光、洗净的5mm*2.8mm*20~30 μ
待用灵敏元薄片1。因为此时芯片有一定厚度，强度也较高，进行工艺操作和使用模具对中都非常方便，不易损坏。
[0022]参见图2，选用中部开有孔的高绝缘陶瓷衬底2，将高绝缘陶瓷衬底正面涂上少许胶，将灵敏元薄片1轻轻目测对准放在高绝缘陶瓷衬底2涂胶的一面，轻压。由于此晶体是水溶性的，所以非常怕潮，要求放置在十分干燥处，使胶慢慢固化。形成图3所示的样子。
[0023]在湿度小于60%的环境中，将整个放入预先配好的“腐蚀液中”按原工艺(现有腐蚀工艺)腐蚀、测量，轻拿轻放，将灵敏元薄片的与高绝缘陶瓷衬底的中部孔相对应部分的厚度减薄至10μ左右，形成如(图4)的形状，用金属镊子或特制滤网，将其取出，除去腐蚀液，晾干，待用。
[0024]选用图5所示的模具，包括上电极掩膜版5、一体限厚框和下电极掩膜版6，上、下电极掩膜版的中部分别开设孔。
[0025]将灵敏元薄片和高绝缘陶瓷衬底整体放入图5所示的模具内固紧，形成图6所示的样子。从现在开始，灵敏元薄片就不动了，在下面的工艺中只需翻动模具整体即可。
[0026]在镀膜机内镀膜(上电极9、下电极10)。结束后，取出模具整体。
[0027]在模具上端面盖上开有孔的黑金掩膜版7，且黑金掩膜版的开孔位置与所述模具面的孔一致(如图7所示);移入另一台镀膜机内，镀好金黑层8后，将整个模具取出；拆解后将灵敏元薄片和高绝缘陶瓷衬底整体取出。用引线将上下电极引出(如图8所示)，本工艺宣告结束。
[0028]以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
【主权项】
1.热释电传感器制作工艺，其特征在于，包括以下步骤: A、将红外晶体灵敏元薄片加工至20?30 μ厚度； Β、选用中部开有孔的高绝缘衬底，通过胶将灵敏元薄片与高绝缘衬底的一面粘贴； C、胶固化后，通过腐蚀的方式，将灵敏元薄片的与高绝缘衬底的中部孔相对应部分的厚度减薄至10 μ左右，使灵敏元薄片形成中部薄，两端厚的结构；再将整体洗净、晾干； D、将整体放入上下分别开设有孔的以便于双面镀膜的模具中，并固定； Ε、在镀膜机内，通过模具的孔分别镀上、下电极； F、取出后，在模具的一面盖上开有孔的黑金掩膜版，且黑金掩膜版的开孔位置与所述模具面的孔一致；再通过镀膜机金黑层。2.根据权利要求1所述的热释电传感器制作工艺，其特征在于，在步骤Α中，将红外晶体灵敏元薄片通过精细研磨减薄至20?30 μ，再经抛光、洗净。3.根据权利要求1所述的热释电传感器制作工艺，其特征在于，在步骤D中，所述模具包括上电极掩膜版、一体限厚框和下电极掩膜版，上、下电极掩膜版的中部分别开设所述孔。4.根据权利要求1所述的热释电传感器制作工艺，其特征在于，在步骤D中，模具的上、下孔尺寸小于高绝缘衬底的孔尺寸。5.根据权利要求3所述的热释电传感器制作工艺，其特征在于，在步骤F中，黑金掩膜版贴在上电极掩膜版上。
【专利摘要】本发明公开了一种热释电传感器制作工艺，包括：A、将红外晶体灵敏元薄片加工至20～30μ厚度；B、选用中部开有孔的高绝缘衬底，将灵敏元薄片与高绝缘衬底的一面粘贴；C、通过腐蚀的方式，将灵敏元薄片的与高绝缘衬底的中部孔相对应部分的厚度减薄至10μ左右；D、将整体放入上下分别开设有孔的以便于双面镀膜的模具中；E、在镀膜机内，通过模具的孔分别镀上、下电极；F、取出后，在模具的一面盖上开有孔的黑金掩膜版，再通过镀膜机金黑层。灵敏元薄片与高绝缘衬底粘贴为一整体，放入镀膜模具后，灵敏元薄片不用做任何翻动，全是在一个定位模具中执行工艺，所以不存在翻动损坏和电极错位问题，最大限度减少芯片的翻动，自然成品率就会提高。
【IPC分类】H01L37/02
【公开号】CN105390604
【申请号】CN201510912021
【发明人】王云生
【申请人】上海德凯仪器有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年12月11日