一种小电流高光效hv-led芯片的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种小电流高光效HV?LED芯片，包括单颗芯片，所述单颗芯片之间通过桥接处finger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N?finger，N?finger设置在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N?finger连接处设有P?finger，P?finger设置在单颗芯片一端的中部，P?finger为Y形结构，P?finger与N?finger位置匹配，最外段单颗芯片的远离P?finger的一端设有N?Pad、远离N?finger的一端设有P?Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。本发明提供改变单颗芯片上的P?finger与N?finger的结构与位置，改变在相同外延及芯片制程条件下，本发明芯片发光效率相对旧芯片提升2％左右，有效提高了发光效率。
【专利说明】
-种小电流高光效HV-LED巧片
技术领域
[0001] 本发明设及L邸忍片研发设计领域，具体为一种小电流高光效HV-L邸忍片。
【背景技术】
[0002] HV忍片是由2个及W上的L邸忍片串联为一个整体的忍片，减少了封装串联的焊线 次数，提升了灯具的整体稳定性。但是，高压忍片由于需要两个及W上的Lm)忍片进行PN桥 接，需要综合考虑多个L邸忍片发光面积、finger布局等因素，增加了忍片的设计难度。目前 业内小电流(20-40mA驱动)HV忍片普遍采用PN电极各一条finger(引线），且接近平行的设 计方式，运种设计方式的忍片亮度较好，但电压偏高，整体发光效率较低。
【发明内容】
[0003] 本发明所解决的技术问题在于提供一种小电流高光效HV-L邸忍片，W解决上述背 景技术中的问题。
[0004] 本发明所解决的技术问题采用W下技术方案来实现:一种小电流高光效HV-L邸忍 片，包括单颗忍片，所述单颗忍片之间通过桥接处finger连接，单颗忍片上设有金属电极， 单颗忍片一端设有N-finger，N-finger设置在单颗忍片一端的中部，单颗忍片另一端与另 一单颗忍片上的N-f inger连接处设有P-f inger，P-f inger设置在单颗忍片一端的中部，P- f inger为Y形结构，P-f inger与N-f inger位置匹配，最外段单颗忍片的远离P-f inger的一端 设有N-PacU远离N-finger的一端设有P-PacU调整单颗忍片实际发光面积，使串联的单颗忍 片之间电流密度相同。
[0005] 所述桥接处finger上设有P-Si〇2,桥接处finger宽度为20-30皿，P-Si〇2宽度为60- 70咖。
[0006] 所述金属电极厚度为1.祉m-2.5皿，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
[0007] 与已公开技术相比，本发明存在W下优点：本发明提供改变单颗忍片上的P- finger与N-finger的结构与位置，改变在相同外延及忍片制程条件下，本发明忍片发光效 率相对旧忍片提升2%左右，有效提高了发光效率。
【附图说明】
[000引图1为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明 白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的 实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都 属于本发明保护的范围。
[0010] -种小电流高光效HV-L抓忍片，包括单颗忍片，所述单颗忍片之间通过桥接处 f inger连接，单颗忍片上设有金属电极，单颗忍片一端设有N-f inger，N-f inger设置在单颗 忍片一端的中部，单颗忍片另一端与另一单颗忍片上的N-finger连接处设有P-finger，P- f inger设置在单颗忍片一端的中部，P-f inger为Y形结构，P-f inger与N-f inger位置匹配， 最外段单颗忍片的远离P-finger的一端设有N-化d、远离N-finger的一端设有P-化d，调整 单颗忍片实际发光面积，使串联的单颗忍片之间电流密度相同。
[00川所述桥接处finger上设有P-Si02,桥接处finger宽度为20-30皿，P-Si02宽度为60- 70皿。
[0012] 所述金属电极厚度为1.祉m-2.5皿，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
[0013] 通过发明中提及的方法，在相同外延及忍片制程条件下，本发明忍片发光效率相 对旧忍片提升2%左右，见下表（Wiv/vn为光效相对值进行比较）。
[0014]
[0015] 从上表可W看出两种忍片差异主要体现在Vfl上，其它各项参数相当，因此同样亮 度时重新设计的忍片会有更低的输入功率和发热量。
[0016] 对两种忍片进行常溫1000 h老化测试(测试电流为使用电流1.5倍），老化结果如 下：
[0018] 经过1000 h老化，两种忍片均未见明显衰减，且Vf4有一定提升，而新设计忍片亮度 衰减更少，Vf 4提升也更多。
[0019] W上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术 人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本 发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，运些变 化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及 其等效物界定。
【主权项】
1. 一种小电流高光效HV-LED芯片，包括单颗芯片，其特征在于:所述单颗芯片之间通过 桥接处f inger连接，单颗芯片上设有金属电极，单颗芯片一端设有N-f inger，N-f inger设置 在单颗芯片一端的中部，单颗芯片另一端与另一单颗芯片上的N-finger连接处设有P-finger，P-f inger设置在单颗芯片一端的中部，P-f inger为Y形结构，P-f inger与N-f inger 位置匹配，最外段单颗芯片的远离P-f inger的一端设有N-Pad、远离N-f inger的一端设有P-Pad，调整单颗芯片实际发光面积，使串联的单颗芯片之间电流密度相同。2. 根据权利要求1所述的一种小电流高光效HV-LED芯片，其特征在于：所述桥接处 finger 上设有 P-Si02,桥接处 finger 宽度为 20-30ym，P-Si02 宽度为60-70μπι。3. 根据权利要求1所述的一种小电流高光效HV-LED芯片，其特征在于:所述金属电极厚 度为1.8以111-2.5以111，金属电极采用垂直和反射电极工艺。
【文档编号】H01L33/62GK105977369SQ201610373587
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】吴永军
【申请人】合肥彩虹蓝光科技有限公司