铟镓氮发射极欧姆接触层的rtd二极管及制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n+GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN势垒层，InGaN隔离层，n+InGaN发射极欧姆接触层，圆形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，增大峰值电流，提高输出功率；二极管的制作方法中，生长InGaN后没有高温工艺，没有In析出，减小器件漏电。
【专利说明】
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD 二极管及制作方法
技术领域
[0001]本发明属于电子技术领域，更进一步涉及微电子器件技术领域中的一种铟镓氮InGaN发射极欧姆接触层的共振隧穿二极管RTD(Resonant Tunneling D1de)及制作方法。本发明可以作为高频、大功率器件，应用在微波和高速数字电路领域。
【背景技术】
[0002]宽带隙半导体GaN材料的共振隧穿二极管RTD是一种靠量子共振隧穿效应工作的新型纳米器件，具有双稳态、自锁特性和明显的负阻特性。共振隧穿二极管RTD本征电容很小，所以它具有很高的速度和工作频率。相较其他纳米器件，它的发展更快更成熟，已经进入应用阶段。随着器件设计和工艺的不断发展，共振隧穿二极管RTD构成的振荡器频率已达太赫兹范围，成为太赫兹器件源的重要选择。
[0003]近年来，以GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料，因其较大的禁带宽度、高热导率、高电子饱和速率等特性，受到人们广泛关注。而基于GaN材料制成的共振隧穿二极管则继承了GaN材料的优点，具有高工作频率、大功率、耐高温等特性。
[0004]天津大学在其申请的专利文件“发射区In组分渐变集电区高In过渡层的RTD”(公开号CN 104733545 A，申请号201510084845.8，申请日2015.02.17)中公开了一种发射区In组分渐变集电区高In过渡层的共振隧穿二极管RTD。该方法是以AlAs/InGaAs/AlAs结构的共振隧穿二极管为基础，发射区In组分渐变，集电区的In组分很高。该方法存在的不足之处是，由于AlAs/InGaAs界面处的二维电子气浓度不高，迀移率也不高，工作频率和输出功率都无法满足太赫兹器件的输出要求。
[0005]西安电子科技大学在其专利申请文件“具有双InGaN子量子讲的共振隧穿二极管及其制作方法”(公开号CN 104465913 A，申请号201410696211.3，申请日2014.11.26)中公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法。该方法是以InAlN/GaN/InAlN结构的共振隧穿二极管为基础，在第一 GaN主量子阱层和第二 GaN主量子阱层之间插入第一 InGaN子量子阱层，在第二 InAlN势皇层和第二 GaN隔离层之间插入第二 InGaN子量子阱层。该方法存在的不足之处是，由于第二 GaN隔离层和第二 InGaN子量子阱层之间存在负极化电荷，会发生电子的耗尽，从而减小峰值电流，降低输出功率;在InGaN上生长GaN需要高温工艺，可能发生In析出，漏电大。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于针对铟镓氮InGaN发射极欧姆接触层的共振隧穿二极管RTD，采用GaN材料的共振隧穿二极管RTD的峰值电流小、输出功率低的缺点，提出一种InGaN发射极欧姆接触层的共振隧穿二极管RTD，增大峰值电流，提高器件功率。
[0007]为了实现上述目的，本发明的具体思路是:发射极欧姆接触层使用InGaN材料，则不存在GaN/InGaN界面，负极化电荷也不存在，增大峰值电流，提高输出功率。且InGaN发射极欧姆接触层位于半导体材料的顶层，生长InGaN材料后没有高温工艺过程，不存在In析出，减小了漏电。
[0008]本发明的铟镓氮InGaN发射极欧姆接触层的共振隧穿二极管RTD，包括:位于衬底上方的GaN外延层，位于GaN外延层上方位置的n+GaN集电极欧姆接触层，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方中央位置的第一 GaN隔离层，第一 InAlN势皇层、GaN主量子阱层、第二 InAlN势皇层、InGaN隔离层、圆形电极依次从下至上竖直分布在第一 GaN隔离层上方，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一 GaN隔离层接触的环形电极，位于n+GaN集电极欧姆接触层上方的钝化层。n+InGaN发射极欧姆接触层位于InGaN隔离层和圆形电极之间，发射极欧姆接触层的材料是InGaN。
[0009]本发明的RTD二极管制作方法，包括如下步骤:
[0010](I)在GaN自支撑衬底上外延GaN层:
[0011]采用分子束外延MBE方法，在衬底(I)上生长GaN外延层(2);
[0012](2)生长n+GaN集电极欧姆接触层:
[0013]采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层(2)上生长n+GaN集电极欧姆接触层(3);n+GaN集电极欧姆接触层⑶的厚度为80?120nm，掺杂浓度为IxlO19?lxlO'nf3;
[0014](3)生长第一 GaN隔离层:
[0015]采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层(3)上生长第一GaN隔离层(4);第一GaN隔离层(4)的厚度为2?6nm;
[0016](4)生长 InAIN/GaN/InAIN 双势皇结构:
[0017](4a)采用分子束外延MBE方法，在第一GaN隔离层(4)上生长第一InAIN势皇层(5);第一InAIN势皇层(5)的厚度为0.8?I.2nm，In的组分为16%?18% ；
[0018](4b)采用分子束外延MBE方法，在第一 InAIN势皇层(5)上生长GaN主量子阱层(6);GaN主量子阱层(6)的厚度为0.8?1.2nm;
[0019](4c)采用分子束外延MBE方法，在GaN主量子阱层(6)上生长第二InAIN势皇层(7);第二 InAIN势皇层(7)的厚度为0.8?1.2nm，In的组分为16%?18%;
[0020](5)生长InGaN隔离层:
[0021]采用分子束外延MBE方法，在第二InAIN势皇层(7)上生长InGaN隔离层(8) ,InGaN隔离层(8)的厚度为2?6nm，In的组分为3%?7% ;
[0022](6)生长n+InGaN发射极欧姆接触层:
[0023]采用分子束外延細E方法，在InGaN隔离层(8)上生长n+InGaN发射极欧姆接触层(9)，n+InGaN发射极欧姆接触层(9)的厚度为80?120nm，In的组分为3%?7%，掺杂浓度为IxlO19 ?IxlO20Cnf3;
[0024](7)形成小圆形台面:
[0025]在n+InGaN发射极欧姆接触层(9)上光刻形成直径为5?ΙΟμπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层(3)，形成小圆形台面；
[0026](8)淀积AlN钝化层:
[0027]采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为200?400nm的AlN钝化层(12)，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔；
[0028](9)形成环形电极和圆形电极:
[0029]在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极(10)和圆形电极(11);对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。
[0030]本发明与现有技术相比具有如下优点:
[0031]第一，由于本发明中铟镓氮InGaN发射极欧姆接触层的共振隧穿二极管RTD的发射极欧姆接触层采用InGaN材料，不存在GaN/InGaN界面的负极化电荷，克服了现有技术中峰值电流小，输出功率小的缺点，因而使得本发明具有更高的峰值电流，更大的输出功率的优点。
[0032]第二，由于本发明的共振隧穿二极管RTD的制作方法中，InGaN发射极欧姆接触层位于半导体材料的顶层，因此生长InGaN材料后没有高温工艺过程，克服了现有技术中会发生In析出的缺点，因而使得本发明具有更小漏电的优点。
【附图说明】
[0033]图1是本发明二极管的剖面结构图；
[0034]图2是本发明二极管的俯视图；
[0035]图3是本发明制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0036]下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
[0037]参照图1和图2，本发明是一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管，包括:位于衬底I上方的GaN外延层2，位于GaN外延层2上方位置的n+GaN集电极欧姆接触层3，位于n+GaN集电极欧姆接触层3上方中央位置的第一 GaN隔离层4，第一 InAlN势皇层5、GaN主量子阱层6、第二 InAlN势皇层7、InGaN隔离层8、圆形电极11依次从下至上竖直分布在第一 GaN隔离层4上方，位于n+GaN集电极欧姆接触层3上方且不与第一 GaN隔离层4接触的环形电极10，位于n+GaN集电极欧姆接触层3上方的钝化层其特征在于:n+InGaN发射极欧姆接触层9位于InGaN隔离层8和圆形电极11之间，发射极欧姆接触层的材料是InGaN。
[0038]参照图3，本发明中铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法的具体步骤如下。
[0039]步骤1:在GaN自支撑衬底上外延GaN层。
[0040]采用分子束外延MBE方法，在衬底I上生长GaN外延层2。
[0041 ]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0042]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0043]将衬底I放入超高真空腔体。
[0044]升温镓炉至温度为850°C。
[0045]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0046]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0047]步骤2:生长n+GaN集电极欧姆接触层。
[0048]采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层2上生长n+GaN集电极欧姆接触层3; n+GaN集电极欧姆接触层3的厚度为80?120nm，掺杂浓度为IxlO19?lxlO'nf3。
[0049]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0050]准备源，以高纯的氮、镓和硅分别作为氮源、镓源和硅源。
[0051 ]将以GaN外延层2为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0052]升温镓炉至温度分别为850°C。
[0053]氮源、镓源和硅源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0054]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0055]步骤3:生长第一 GaN隔离层。
[0056]采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层3上生长第一GaN隔离层4;第一 GaN隔离层4的厚度为2?6nm。
[0057]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0058]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0059]将以n+GaN集电极欧姆接触层3为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0060]升温镓炉至温度为850Γ。
[0061 ]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0062]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0063]步骤4:生长InAIN/GaN/InAIN双势皇结构。
[0064]采用分子束外延Mffi方法，在第一GaN隔离层4上生长第一InAIN势皇层5;第一InAIN势皇层5的厚度为0.8?1.2nm，In的组分为16%?18%。
[0065]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0066]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0067]将以第一GaN隔离层4为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0068]升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0069]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0070]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0071]采用分子束外延MBE方法，在第一 InAIN势皇层5上生长GaN主量子阱层6; GaN主量子讲层6的厚度为0.8?1.2nm0
[0072]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0073]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0074]将以第一InAIN势皇层5为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0075]升温镓炉至温度为850Γ。
[0076]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0077]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0078]采用分子束外延Mffi方法，在GaN主量子阱层6上生长第二InAIN势皇层7;第二InAIN势皇层7的厚度为0.8?1.2nm，In的组分为16%?18%。
[0079]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0080]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0081 ]将以GaN主量子阱层6为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0082]升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0083]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0084]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0085]步骤5:生长InGaN隔离层。
[0086]采用分子束外延MBE方法，在第二 InAIN势皇层7上生长InGaN隔离层8 ,InGaN隔离层8的厚度为2?6nm，In的组分为3%?7%。
[0087]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0088]准备源，以高纯的氮、镓和铟分别作为氮源、镓源和铟源。
[0089]将以第二InAIN势皇层7为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0090]升温铟炉和镓炉至温度分别为585 Γ和850 Γ。
[0091]氮源、镓源和铟源从喷射炉中喷出，在0.030?0.075范围内控制铟源、镓源的流量比，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0092 ]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0093]步骤6:生长n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0094]采用分子束外延MBE方法，在InGaN隔离层8上生长n+InGaN发射极欧姆接触层9，n+InGaN发射极欧姆接触层9的厚度为80?120nm，In的组分为3%?7%，掺杂浓度为IxlO19?IxlO20Cnf30
[0095]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0096]准备源，以高纯的氮、镓、铟和硅分别作为氮源、镓源、铟源和硅源。
[0097]将以InGaN隔离层8为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0098]升温铟炉和镓炉至温度分别为585 °C和850 °C。
[0099]氮源、镓源、铟源和硅源从喷射炉中喷出，在0.030?0.075范围内控制铟源、镓源的流量比，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0100]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0101]步骤7:形成小圆形台面。
[0?02]在n+InGaN发射极欧姆接触层9上光刻形成直径为5?ΙΟμπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层3，形成小圆形台面。
[0103]步骤8:淀积AlN钝化层。
[0104]采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为200?400nm的AlN钝化层12，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔。
[0105]等离子体增强原子层电极PEALD方法的具体步骤如下。
[0106]准备源，以三甲基铝为铝源，NH3等离子体为氮源。
[0107]将刻蚀完小圆台面的衬底温度升至350°C，反应室压力为I托。
[0108]采用脉冲分时输运方式，将源通入反应室，在12.1s的循环时间内，前0.1s通入三甲基铝，载气为N2，之后8s通入NH3等离子体，载气为Ar，最后4s通入N2来清洁反应室。
[0109]三甲基铝和NH3等离子体在刻蚀完小圆台面的衬底上反应生成AlN层。
[0110]步骤9:形成环形电极和圆形电极。
[0111]在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极1和圆形电极11;对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。
[0112]下面通过改变GaN外延层的厚度、n+GaN集电极欧姆接触层的厚度和掺杂浓度、GaN隔离层的厚度、InAIN势皇层的厚度、GaN主量子阱层的厚度、InGaN隔离层厚度和组分、n+InGaN发射极欧姆接触层的厚度和掺杂浓度、小圆台面的半径、AlN钝化层厚度获得不同性能的二极管的三种实施例，对本发明的制作方法做进一步的描述。
[0113]实施例1:制作厚度为80nm，In组分为3%，掺杂浓度为IxlO19的n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0114]步骤1:在GaN自支撑衬底上外延GaN层。
[0115]采用分子束外延MBE方法，在衬底I上生长GaN外延层2。
[0116]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0117]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0118]将衬底I放入超高真空腔体。
[0119]升温镓炉至温度为850°C。
[0120]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0121]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0122]步骤2:生长n+GaN集电极欧姆接触层。
[0123]采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层2上生长n+GaN集电极欧姆接触层3; n+GaN集电极欧姆接触层3的厚度为80nm，掺杂浓度为lX1019cm—3。
[0124]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0125]准备源，以高纯的氮、镓和硅分别作为氮源、镓源和硅源。
[0126]将以GaN外延层2为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0127]升温镓炉至温度分别为850°C。
[0128]氮源、镓源和硅源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0129]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0130]步骤3:生长第一 GaN隔离层。
[0131]采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层3上生长第一GaN隔离层4，第一 GaN隔离层4的厚度为2nm。
[0132]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0133]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0134]将以n+GaN集电极欧姆接触层3为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0135]升温镓炉至温度为850°C。
[0136]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0137]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0138]步骤4:生长InAIN/GaN/InAIN双势皇结构。
[0139]采用分子束外延Mffi方法，在第一GaN隔离层4上生长第一InAIN势皇层5;第一InAIN势皇层5的厚度为0.8nm，In的组分为16%。
[0140]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0141]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0142]将以第一GaN隔离层4为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0143]升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0144]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0145]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0146]采用分子束外延MBE方法，在第一 InAIN势皇层5上生长GaN主量子阱层6 ;GaN主量子讲层6的厚度为0.8nm。
[0147]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0148]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0149]将以第一InAIN势皇层5为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0150]升温镓炉至温度为850°C。
[0151 ]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0152]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0153]采用分子束外延Mffi方法，在GaN主量子阱层6上生长第二InAIN势皇层7;第二InAIN势皇层7的厚度为0.8nm，In的组分为16 %。
[0154]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0155]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0156]将以GaN主量子阱层6为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0157]升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0158]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0159]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0160]步骤5:生长InGaN隔离层。
[0161]采用分子束外延MBE方法，在第二 InAIN势皇层7上生长InGaN隔离层8 ,InGaN隔离层8的厚度为2nm，In的组分为3 %。
[0162]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0163]准备源，以高纯的氮、镓和铟分别作为氮源、镓源和铟源。
[0164]将以第二InAIN势皇层7为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0165]升温铟炉和镓炉至温度分别为585°C和850°C。
[0166]氮源、镓源和铟源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.030，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0167]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0168]步骤6:生长n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0169]采用分子束外延MBE方法，在InGaN隔离层8上生长n+InGaN发射极欧姆接触层9，n+InGaN发射极欧姆接触层9的厚度为80nm，In的组分是3%，掺杂浓度为lxl019Cnf3。
[0170]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0171]准备源，以高纯的氮、镓、铟和硅分别作为氮源、镓源、铟源和硅源。
[0172]将以InGaN隔离层8为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0173]升温铟炉和镓炉至温度分别为585°C和850°C。
[0174]氮源、镓源、铟源和硅源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.030，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0175]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0176]步骤7:形成小圆形台面。
[0177]在n+InGaN发射极欧姆接触层9上光刻形成直径为5μπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层3，形成小圆形台面。
[0178]步骤8:淀积AlN钝化层。
[0179]采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为200nm的AlN钝化层12，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔。
[0180]等离子体增强原子层电极PEALD方法的具体步骤如下。
[0181 ] 准备源，以三甲基铝为铝源，NH3等离子体为氮源。
[0182]将刻蚀完小圆台面的衬底温度升至350°C，反应室压力为I托。
[0183]采用脉冲分时输运方式，将源通入反应室，在12.1s的循环时间内，前0.1s通入三甲基铝，载气为N2，之后8s通入NH3等离子体，载气为Ar，最后4s通入N2来清洁反应室。
[0184]三甲基铝和NH3等离子体在刻蚀完小圆台面的衬底上反应生成AlN层。
[0185]步骤9:形成环形电极和圆形电极。
[0186]在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极1和圆形电极11;对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。
[0187]实施例2:制作厚度为10011111，111组分为5%，掺杂浓度为511019的11+11^&~发射极欧姆接触层。
[0188]步骤A:在GaN自支撑衬底上外延GaN层。
[0189]采用分子束外延MBE方法，在衬底I上生长GaN外延层2。
[0190]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0191]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0192]将衬底I放入超高真空腔体。
[0193]升温镓炉至温度为850°C。
[0194]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0195]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0196]步骤B:生长n+GaN集电极欧姆接触层。
[0197]采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层2上生长n+GaN集电极欧姆接触层3; n+GaN集电极欧姆接触层3的厚度为lOOnm，掺杂浓度为5X1019cnf3。
[0198]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0199]准备源，以高纯的氮、镓和硅分别作为氮源、镓源和硅源。
[0200]将以GaN外延层2为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0201 ] 升温镓炉至温度分别为850°C。
[0202]氮源、镓源和硅源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0203]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0204]步骤C:生长第一 GaN隔离层。
[0205]采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层3上生长第一GaN隔离层4，第一 GaN隔离层4的厚度为4nm。
[0206]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0207]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0208]将以n+GaN集电极欧姆接触层3为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0209]升温镓炉至温度为850Γ。
[0210]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0211]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0212]步骤D:生长InAIN/GaN/InAIN双势皇结构。
[0213]采用分子束外延Mffi方法，在第一GaN隔离层4上生长第一InAIN势皇层5;第一InAIN势皇层5的厚度为lnm，In的组分为17%。
[0214]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0215]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0216]将以第一GaN隔离层4为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0217]升温铝炉和铟炉至温度分别为900 °C和585 °C。
[0218]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0219]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0220]采用分子束外延MBE方法，在第一 InAIN势皇层5上生长GaN主量子阱层6; GaN主量子讲层6的厚度为Inm0
[0221 ]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0222]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0223]将以第一InAIN势皇层5为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0224]升温镓炉至温度为850Γ。
[0225]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0226]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0227]采用分子束外延Mffi方法，在GaN主量子阱层6上生长第二InAIN势皇层7;第二InAIN势皇层7的厚度为lnm，In的组分为17%。
[0228]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0229]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0230]将以GaN主量子阱层6为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0231 ] 升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0232]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0233]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0234]步骤E:生长InGaN隔离层。
[0235]采用分子束外延MBE方法，在第二 InAIN势皇层7上生长InGaN隔离层8 ,InGaN隔离层8的厚度为4nm，In的组分是5 %。
[0236]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0237]准备源，以高纯的氮、镓和铟分别作为氮源、镓源和铟源。
[0238]将以第二InAIN势皇层7为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0239]升温铟炉和镓炉至温度分别为585°C和850°C。
[0240]氮源、镓源和铟源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.053，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0241]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0242]步骤F:生长n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0243]采用分子束外延MBE方法，在InGaN隔离层8上生长n+InGaN发射极欧姆接触层9，n+InGaN发射极欧姆接触层9的厚度为lOOnm，In的组分是5%，掺杂浓度为5xl019Cm—3。
[0244]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0245]准备源，以高纯的氮、镓、铟和硅分别作为氮源、镓源、铟源和硅源。
[0246]将以InGaN隔离层8为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0247]升温铟炉和镓炉至温度分别为585 °C和850 °C。
[0248]氮源、镓源、铟源和硅源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.053，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0249]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0250]步骤G:形成小圆形台面。
[0251]在n+InGaN发射极欧姆接触层9上光刻形成直径为7μπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层3，形成小圆形台面。
[0252]步骤H:淀积AlN钝化层。
[0253]采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为300nm的AlN钝化层12，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔。
[0254]等离子体增强原子层电极PEALD方法的具体步骤如下。
[0255]准备源，以三甲基铝为铝源，NH3等离子体为氮源。
[0256]将刻蚀完小圆台面的衬底温度升至350°C，反应室压力为I托。
[0257]采用脉冲分时输运方式，将源通入反应室，在12.1 s的循环时间内，前0.1 s通入三甲基铝，载气为N2，之后8s通入NH3等离子体，载气为Ar，最后4s通入N2来清洁反应室。
[0258]三甲基铝和NH3等离子体在刻蚀完小圆台面的衬底上反应生成AlN层。
[0259]步骤1:形成环形电极和圆形电极。
[0260]在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极1和圆形电极11;对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。
[0261]实施例3:制作厚度为120nm，In组分为7%，掺杂浓度为IxlO2t3的n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0262]步骤一:在GaN自支撑衬底上外延GaN层。
[0263]采用分子束外延MBE方法，在衬底I上生长GaN外延层2。
[0264]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0265]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0266]将衬底I放入超高真空腔体。
[0267]升温镓炉至温度为850°C。
[0268]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0269]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0270]步骤二:生长n+GaN集电极欧姆接触层。
[0271]采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层2上生长n+GaN集电极欧姆接触层3; n+GaN集电极欧姆接触层3的厚度为120nm，掺杂浓度为lxl02()Cnf3。
[0272]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0273]准备源，以高纯的氮、镓和硅分别作为氮源、镓源和硅源。
[0274]将以GaN外延层2为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0275]升温镓炉至温度分别为850Γ。
[0276]氮源、镓源和硅源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0277]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0278]步骤三:生长第一GaN隔离层。
[0279]采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层3上生长第一GaN隔离层4，第一 GaN隔离层4的厚度为6nm。
[0280]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0281 ]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0282]将以n+GaN集电极欧姆接触层3为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0283]升温镓炉至温度为850Γ。
[0284]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0285]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0286]步骤四:生长InAIN/GaN/InAIN双势皇结构。
[0287]采用分子束外延Mffi方法，在第一GaN隔离层4上生长第一InAIN势皇层5;第一InAIN势皇层5的厚度为I.2nm，In的组分为18%。
[0288]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0289]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0290]将以第一GaN隔离层4为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0291 ] 升温铝炉和铟炉至温度分别为900°C和585°C。
[0292]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0293]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0294]采用分子束外延MBE方法，在第一 InAIN势皇层5上生长GaN主量子阱层6; GaN主量子讲层6的厚度为1.2nm。
[0295]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0296]准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源。
[0297]将以第一InAIN势皇层5为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0298]升温镓炉至温度为850Γ。
[0299]氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W。
[0300]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。
[0301 ] 采用分子束外延Mffi方法，在GaN主量子阱层6上生长第二InAIN势皇层7 ;第二InAIN势皇层7的厚度为I.2nm，In的组分为18%。
[0302]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0303]准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源。
[0304]将以GaN主量子阱层6为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0305]升温铝炉和铟炉至温度分别为900Γ和585Γ。
[0306]氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0307]由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。
[0308]步骤五:生长InGaN隔离层。
[0309]采用分子束外延MBE方法，在第二 InAIN势皇层7上生长生长InGaN隔离层8 ,InGaN隔离层8的厚度为6nm，In的组分是7 %。
[0310]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0311]准备源，以高纯的氮、镓和铟分别作为氮源、镓源和铟源。
[0312]将以第二InAIN势皇层7为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0313]升温铟炉和镓炉至温度分别为585°C和850°C。
[0314]氮源、镓源和铟源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.075，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0315]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0316]步骤六:生长n+InGaN发射极欧姆接触层。
[0317]采用分子束外延MBE方法，在InGaN隔离层8上生长n+InGaN发射极欧姆接触层9，n+InGaN发射极欧姆接触层9的厚度为120nm，In的组分是7%，掺杂浓度为lxlO'm—3。
[0318]分子束外延MBE方法的具体步骤如下。
[0319]准备源，以高纯的氮、镓、铟和硅分别作为氮源、镓源、铟源和硅源。
[0320]将以InGaN隔离层8为表面一层的衬底放入超高真空腔体。
[0321 ] 升温铟炉和镓炉至温度分别为585°C和850°C。
[0322]氮源、镓源、铟源和硅源从喷射炉中喷出，控制铟源、镓源的流量比为0.075，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W。
[0323]不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。
[0324]步骤七:形成小圆形台面。
[0325]在n+InGaN发射极欧姆接触层9上光刻形成直径为ΙΟμπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层3，形成小圆形台面。
[0326]步骤八:淀积AlN钝化层。
[0327]采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为400nm的AlN钝化层12，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔。
[0328]等离子体增强原子层电极PEALD方法的具体步骤如下。
[0329]准备源，以三甲基铝为铝源，NH3等离子体为氮源。
[0330]将刻蚀完小圆台面的衬底温度升至350°C，反应室压力为I托。
[0331]采用脉冲分时输运方式，将源通入反应室，在12.1 s的循环时间内，前0.1 s通入三甲基铝，载气为N2，之后8s通入NH3等离子体，载气为Ar，最后4s通入N2来清洁反应室。
[0332]三甲基铝和NH3等离子体在刻蚀完小圆台面的衬底上反应生成AlN层。
[0333]步骤九:形成环形电极和圆形电极。
[0334]在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极1和圆形电极11;对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。
【主权项】
1.一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD 二极管，包括:位于衬底(I)上方的GaN外延层(2)，位于GaN外延层(2)上方位置的n+GaN集电极欧姆接触层(3)，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方中央位置的第一 GaN隔离层(4)，第一 InAlN势皇层(5)、GaN主量子阱层(6)、第二InAlN势皇层(7)、InGaN隔离层(8)、圆形电极(11)依次从下至上竖直分布在第一GaN隔离层(4)上方，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方且不与第一 GaN隔离层(4)接触的环形电极(10)，位于n+GaN集电极欧姆接触层(3)上方的钝化层(12);其特征在于:所述的n+InGaN发射极欧姆接触层(9)位于InGaN隔离层(8)和圆形电极(11)之间，发射极欧姆接触层的材料是InGaN。2.—种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，包括如下步骤: (1)在GaN自支撑衬底上外延GaN层: 采用分子束外延MBE方法，在衬底(I)上生长GaN外延层(2); (2)生长n+GaN集电极欧姆接触层: 采用分子束外延MBE方法，在GaN外延层(2)上生长n+GaN集电极欧姆接触层(3);n+GaN集电极欧姆接触层⑶的厚度为80?120nm，掺杂浓度为IxlO19?lxlO'nf3; (3)生长第一GaN隔离层: 采用分子束外延MBE方法，在n+GaN集电极欧姆接触层(3)上生长第一 GaN隔离层(4);第一 GaN隔离层(4)的厚度为2?6nm; (4)生长InAIN/GaN/InAIN双势皇结构: (4a)采用分子束外延MBE方法，在第一 GaN隔离层(4)上生长第一 InAIN势皇层(5);第一InAIN势皇层(5)的厚度为0.8?1.2nm，In的组分为16%?18% ； (4b)采用分子束外延MBE方法，在第一InAIN势皇层(5)上生长GaN主量子阱层(6) ;GaN主量子阱层(6)的厚度为0.8?1.2nm; (4c)采用分子束外延MBE方法，在GaN主量子阱层(6)上生长第二 InAIN势皇层(7);第二InAIN势皇层(7)的厚度为0.8?1.2nm，In的组分为16%?18% ； (5)生长InGaN隔尚层: 采用分子束外延MBE方法，在第二InAIN势皇层(7)上生长InGaN隔离层(8) ,InGaN隔离层(8)的厚度为2?6nm，In的组分为3%?7% ； (6)生长n+InGaN发射极欧姆接触层: 采用分子束外延MBE方法，在InGaN隔离层(8)上生长n+InGaN发射极欧姆接触层(9)，n+InGaN发射极欧姆接触层(9)的厚度为80?120nm，In的组分为3%?7%，掺杂浓度为IxlO19?lxl020cm—3 ； (7)形成小圆形台面: 在n+InGaN发射极欧姆接触层(9)上光刻形成直径为5?ΙΟμπι的小圆形掩膜图形，采用反应离子刻蚀RIE方法，使用BC13/C12刻蚀气体源，刻蚀深度至n+GaN集电极欧姆接触层(3)，形成小圆形台面； (8)淀积AlN钝化层: 采用等离子体增强原子层电极PEALD方法在器件正面淀积厚度为200?400nm的AlN钝化层(12)，并采用反应离子刻蚀RIE方法，利用CF4气体刻蚀形成开孔； (9)形成环形电极和圆形电极: 在整个器件表面采用真空电子束蒸发设备依次蒸发Ti/Al/Ni/Au多层金属，厚度分别为30nm/120nm/50nm/160nm，经过金属剥离形成环形电极(1)和圆形电极(11);对整个器件进行快速热退火处理，退火条件为7000C，30秒钟，氮气气氛，形成GaN欧姆接触。3.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，其特征在于，步骤(1)、步骤(3)、步骤(4b)中所述分子束外延MBE方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以高纯的氮和镓分别作为氮源和镓源； 第2步，将以衬底(I)或者n+GaN集电极欧姆接触层(3)或者第一 InAIN势皇层(5)为表面一层的衬底放入超高真空腔体； 第3步，升温镓炉至温度为850 0C ； 第4步，氮源、镓源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W; 第5步，不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。4.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，其特征在于，步骤(2)中所述分子束外延MBE方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以高纯的氮、镓和硅分别作为氮源、镓源和硅源； 第2步，将以GaN外延层(2)为表面一层的衬底放入超高真空腔体； 第3步，升温镓炉至温度分别为850°C ; 第4步，氮源、镓源和硅源从喷射炉中喷出，控制氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率为400W，反射功率为5W ； 第5步，不同源喷射出的分子流在衬底上生长出GaN层。5.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，其特征在于，步骤(4a)、步骤(4c)中所述分子束外延MBE方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以高纯的氮、铝和铟分别作为氮源、铝源和铟源； 第2步，将以第一 GaN隔离层(4)或者GaN主量子阱层(6)为表面一层的衬底放入超高真空腔体； 第3步，升温铝炉和铟炉至温度分别为9000C和5850C ； 第4步，氮源、铝源和铟源从喷射炉中喷出，控制氮气流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W; 第5步，由不同源喷射出的分子在衬底上生长出InAlN层。6.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，其特征在于，步骤(5)中所述分子束外延MBE方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以高纯的氮、镓和铟分别作为氮源、镓源和铟源； 第2步，将以第二 InAIN势皇层(7)为表面一层的衬底放入超高真空腔体； 第3步，升温铟炉和镓炉至温度分别为585 0C和850 V ； 第4步，氮源、镓源和铟源从喷射炉中喷出，在0.030?0.075范围内控制铟源、镓源的流量比，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W; 第5步，不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。7.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管制作方法，其特征在于，步骤(6)中所述的分子束外延MBE方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以高纯的氮、镓、铟和硅分别作为氮源、镓源、铟源和硅源； 第2步，将以InGaN隔离层(8)为表面一层的衬底放入超高真空腔体； 第3步，升温铟炉和镓炉至温度分别为585 0C和850 V ； 第4步，氮源、镓源、铟源和硅源从喷射炉中喷出，在0.030?0.075范围内控制铟源、镓源的流量比，氮气的流量为1.6mL/min，等离子体输入功率均为400W，反射功率均为5W; 第5步，不同源喷射出的分子流在衬底上生长出InGaN层。8.根据权利要求2所述的铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD 二极管制作方法，其特征在于，步骤(8)中所述的等离子体增强原子层电极PEALD方法的具体步骤如下: 第I步，准备源，以三甲基铝为铝源，NH3等离子体为氮源； 第2步，将刻蚀完小圆台面的衬底温度升至350 °C，反应室压力为I托； 第3步，采用脉冲分时输运方式，将源通入反应室，在12.1s的循环时间内，前0.1s通入三甲基铝，载气为N2，之后8s通入NH3等离子体，载气为Ar，最后4s通入N2来清洁反应室； 第4步，三甲基铝和NH3等离子体在刻蚀完小圆台面的衬底上反应生成AlN层。
【文档编号】H01L21/329GK106057915SQ201610643966
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月8日 公开号201610643966.6, CN 106057915 A, CN 106057915A, CN 201610643966, CN-A-106057915, CN106057915 A, CN106057915A, CN201610643966, CN201610643966.6
【发明人】张进成, 黄金金, 于婷, 陆芹, 郝跃, 薛军帅, 杨林安, 林志宇
【申请人】西安电子科技大学