具有高出光量的led芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED芯片制造技术领域，尤其涉及一种具有高出光量的LED芯片。
【背景技术】
[0002]LED芯片是LED灯的核心部件，主要功能是将电能转化为光能，目前传统LED芯片具体的结构如图1所示，其由上至下依次包括透明导电层1、第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6等，该结构中各层都采用导电材料制作，该种LED芯片用衬底6连接负电极11，在透明导电层I上采用打线的方式连接正电极10。
[0003]制作该种LED芯片时因所使用的衬底6为可导电之半导体结构，上述结构制成垂直式芯片虽然是最为直接合理的作法，但无法克服因电极遮蔽造成的出光量下降等问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种可有效提高出光率、避免电极遮蔽的具有高出光量的LED芯片。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:提供一种具有高出光量的LED芯片，包括包括正电极、负电极、由上至下依次设置的透明导电层、第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底，所述透明导电层包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极，所述第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底上沿竖直方向设置有通道，所述通道的内壁面与正电极的外壁面之间有间隙，所述正电极插接在通道内并穿过所述通道，所述负电极设置在衬底下部。
[0006]进一步地，所述通道由设置在第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底的通孔组成。
[0007]进一步地，所述间隙内填充有绝缘材料。
[0008]进一步地，所述衬底的底部还设置有绝缘层，所述正电极及负电极穿过所述绝缘层O
[0009]进一步地，所述绝缘层与正电极之间的缝隙内填充有封口胶。
[0010]本实用新型的有益效果在于:本实用新型LED芯片设置正电极及负电极，该正电极向上连接透明导电层，负电极设置在衬底上并与衬底电连接，加电后该LED芯片的中的正电极、各层状结构及负电极形成回路，保证了 LED芯片稳定发光。本实用新型不用进行打线处理，由于电极设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。
【附图说明】
[0011]图1为现有技术中LED芯片的结构剖视图；
[0012]图2为本实用新型实施例的具有高出光量的LED芯片的结构剖视图。
[0013]标号说明:
[0014]1、透明导电层；2、第一透光层；3、发光层；4、第二透光层；5、反射层；6、衬底；7、绝缘材料；8、封口胶；9、绝缘层；10、正电极；11、负电极。
【具体实施方式】
[0015]为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0016]本实用新型最关键的构思在于:本实用新型包括正电极10及负电极11，该正电极10向上连接透明导电层1，负电极11设置在衬底6上并与衬底6电连接，由于电极设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。
[0017]请参阅图2，本实施例具有高出光量的LED芯片，包括正电极10、负电极11、由上至下依次设置的透明导电层1、第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6，所述透明导电层I包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极10，所述第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6上沿竖直方向设置有通道，所述通道的内壁面与正电极10的外壁面之间有间隙，所述正电极10插接在通道内并穿过所述通道，所述负电极11设置在衬底6下部。
[0018]从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于:本实用新型LED芯片设置正电极10及负电极11，该正电极10向上连接透明导电层1，负电极11设置在衬底6上并与衬底6电连接，加电后该LED芯片的中的正电极10、各层状结构及负电极11形成回路，保证了 LED芯片稳定发光。本实用新型不用进行打线处理，由于电极设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。
[0019]进一步地，所述通道由设置在第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6的通孔组成。
[0020]由上述描述可知，第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6为叠加放置，在各层上开设通孔因此各通孔会组成通道，再将正电极10穿插进该通道内，使得正电极10从衬底6的底部伸出。
[0021]进一步地，所述间隙内填充有绝缘材料7。
[0022]由上述描述可知，该绝缘材料7是为防止正电极10与发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6的直接电连接，防止形成短路。
[0023]进一步地，所述衬底6的底部还设置有绝缘层9，所述正电极10及负电极11穿过所述绝缘层9。
[0024]由上述描述可知，该绝缘层9主要是考虑到该LED芯片封装问题，在封装时只保留正电极10及负电极11与封装基板的连通是必要的。
[0025]进一步地，所述绝缘层9与正电极10之间的缝隙内填充有封口胶8。
[0026]由上述描述可知，封口胶8对正电极10与通道的配合起到了加固作用，使得正电极10在通道内不会与绝缘材料7之间反正晃动而影响效果。
[0027]请参照图2，本实用新型的实施例一为:本实施例具有高出光量的LED芯片，包括正电极10、负电极11、由上至下依次设置的透明导电层1、第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6，所述透明导电层I包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极10，所述第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6上沿竖直方向设置有通道，所述通道由设置在第一透光层2、发光层3、第二透光层4、反射层5及衬底6的通孔组成，所述通道的内壁面与正电极10的外壁面之间有间隙，所述间隙内填充有绝缘材料7，所述正电极10插接在通道内并穿过所述通道，所述衬底6的底部还设置有绝缘层9，所述正电极10及负电极11穿过所述绝缘层9，所述绝缘层9与正电极10之间的缝隙内填充有封口胶8。
[0028]综上所述，本实用新型提供的具有高出光量的LED芯片，保证了 LED芯片稳定发光，同时不用进行打线处理，由于电极设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。
[0029]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种具有高出光量的LED芯片，包括正电极、负电极、由上至下依次设置的透明导电层、第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底，其特征在于，所述透明导电层包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极，所述第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底上沿竖直方向设置有通道，所述通道的内壁面与正电极的外壁面之间有间隙，所述正电极插接在通道内并穿过所述通道，所述负电极设置在衬底下部。2.根据权利要求1所述的具有高出光量的LED芯片，其特征在于，所述通道由设置在第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底的通孔组成。3.根据权利要求1所述的具有高出光量的LED芯片，其特征在于，所述间隙内填充有绝缘材料。4.根据权利要求1所述的具有高出光量的LED芯片，其特征在于，所述衬底的底部还设置有绝缘层，所述正电极及负电极穿过所述绝缘层。5.根据权利要求4所述的具有高出光量的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层与正电极之间的缝隙内填充有封口胶。
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有高出光量的LED芯片，包括正电极、负电极、由上至下依次设置的透明导电层、第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底，透明导电层包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的正电极，第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底上沿竖直方向设置有通道，通道的内壁面与正电极的外壁面之间有间隙，正电极插接在通道内并穿过通道，负电极设置在衬底下部。本实用新型不用进行打线处理，由于电极设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。
【IPC分类】H01L33/38
【公开号】CN204614806
【申请号】CN201520219538
【发明人】刘兴华
【申请人】厦门市晶田电子有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年4月13日