一种34mmIGBT模块的制作方法
【技术领域】
[0001]—种34mmIGBT模块，属于半导体技术领域。
【背景技术】
[0002]34mm的IGBT模块为半导体领域常见规格的IGBT模块，产品广泛应用于焊机，变频器，UPS等领域。在IGBT模块生产时，IGBT芯片是通过焊锡膏焊接在基板上的，在焊接时焊锡膏容易外溢，如果外溢的焊锡膏流到其他元件或接线区时则会造成断路，使IGBT模块失效。为避免焊锡膏外溢出现短路，常规的解决方法是在早期进行基板设计时将各IGBT芯片焊接区之间的距离增大，避免焊锡膏外溢至其他区域。但是将各IGBT芯片焊接区之间的距离增大势必会造成基板的规划不合理，导致基板空间利用率较低，在目前国产IGBT芯片中，相同性能的IGBT芯片与国外芯片相比，尺寸要大出20%。因此在相同尺寸的基板上做出的IGBT芯片在一些高电压、大电流时就不能满足封装要求，因此造成了 IGBT芯片生产工艺的落后。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种利用规划线对基板区域进行合理规划，增大芯片的焊接面积，使基板利用率更高，同时在基板上设置阻焊层，有效避免焊接时焊锡膏外溢至其他区域内的34mmIGBT模块。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:该34mmIGBT模块，包括基板，其特征在于:在基板的上、下两端通过规划线设置有两规划区，在上规划区内设置有用于接线的接线区，在上规划区与下规划区之间设置有中部芯片焊接区，在下规划区内设置有底部芯片焊接区，在上规划区内设置有接线区阻焊层，在下规划区内设置有焊接区阻焊层。
[0005]优选的，所述的上规划区为矩形，位于基板竖向中心线的左侧，接线区位于上规划区的上部，接线区阻焊层横向设置在接线区的下部。
[0006]优选的，所述的下规划区为一横向设置的狭长区域，由左、右两区域连接组成，其中右侧矩形区域竖向的宽度宽于左侧矩形区域的宽度；焊接区阻焊层包括设置在底部芯片焊接区外部的焊接区第一阻焊层和焊接区第二阻焊层。
[0007]优选的，所述的焊接区第二阻焊层竖向设置在底部芯片焊接区的左端面，焊接区第一阻焊层为弯折状，设置在底部芯片焊接区的上端面和右端面处。
[0008]优选的，所述的底部芯片焊接区为矩形，位于基板竖向中心线的右侧。
[0009]优选的，所述的中部芯片焊接区为第一芯片焊接区和第二芯片焊接区，第一芯片焊接区和第二芯片焊接区均为竖向设置的矩形区域，第一芯片焊接区和第二芯片焊接区交错设置。
[0010]优选的，所述的第二芯片焊接区高于第一芯片焊接区，上规划区位于第一芯片焊接区上方。
[0011]与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果是:
[0012]1、由于在基板上的相应位置上设置有阻焊层，因此在进行芯片焊接区域的规划时，可以适当将各区域设计的更为紧凑，因此使得可以更为合理的对基板整个区域进行设计，提高了基板面积的利用率，因此可以在相同面积的基板上排布更多的芯片或功率更大的芯片，在一定程度上减小了整个IGBT模块的体积，提高了 IGBT芯片的生产工艺水平。
[0013]2、本34mmIGBT模块的阻焊层设置思路同样适用于其他规划的34mmIGBT模块以及其他规格的IGBT模块的生产。
【附图说明】
[0014]图1为34mmIGBT模块结构示意图。
[0015]其中:1、基板2、接线区3、接线区阻焊层4、第一芯片焊接区5、第二芯片焊接区6、焊接区第一阻焊层7、底部芯片焊接区8、焊接区第二阻焊层。
【具体实施方式】
[0016]图1是本实用新型的最佳实施例，下面结合附图1对本实用新型做进一步说明。
[0017]如图1所示，一种34mmIGBT模块包括基板1，在基板1的上方通过规划线规划有一矩形区域，该矩形区域位于基板1竖向中心线的左侧，在该矩形区域的上方为接线区2。在基板1的底部通过规划线规划有一横向设置的狭长区域，该狭长区域由左、右两区域连接组成，其中右侧矩形区域的竖向宽度宽于左侧矩形区域的宽度。在左、右两区域的交接处设置有底部芯片焊接区7，底部芯片焊接区7位于基板1竖向中心线的右侧。
[0018]在上述的接线区2的下方横向设置有接线区阻焊层3，在底部芯片焊接区7的左端面上竖向设置有焊接区第二阻焊层8，在底部芯片焊接区7的上端面和右端面设置有弯折状的焊接区第一阻焊层6，通过焊接区第一阻焊层6和焊接区第二阻焊层8以及相对应的基板1的规划线将底部芯片焊接区7包裹在其内。
[0019]在上述的基板1下端狭长区域的左、右两矩形区域的上方交错设置有第一芯片焊接区4和第二芯片焊接区5，其中第二芯片焊接区5的高度高于第一芯片焊接区4的高度。在第一芯片焊接区4、第二芯片焊接区5以及底部芯片焊接区7内可通过焊锡膏分别焊接相对应尺寸的芯片。
[0020]在本34mmIGBT模块实际生产时，通过焊锡膏在两块第一芯片焊接区4以及第二芯片焊接区6内分别焊接有规格不同的IGBT芯片，在将IGBT焊接完成之后利用现有的键合工艺将各IGBT芯片通过导线进行键合，然后将各信号端子、功率端子自接线区2处引出，最终完成点胶、盖壳体以及灌胶成型等工艺步骤完成本34mmIGBT模块的制造。
[0021]如上所述，由于在基板1上的相应位置上设置有阻焊层，因此在进行芯片焊接区域的规划时，可以适当将各区域设计的更为紧凑，因此使得可以更为合理的对基板整个区域进行设计，提高了基板面积的利用率，因此可以在相同面积的基板上排布更多的芯片或功率更大的芯片，在一定程度上减小了整个IGBT模块的体积，提高了 IGBT芯片的生产工艺水平。
[0022]本34mmIGBT模块的阻焊层设置思路同样适用于其他规划的34mmIGBT模块以及其他规格的IGBT模块的生产。在本34mmIGBT模块中，关于各方位的叙述均为将基板竖起时各部分的相对位置进行的描述。
[0023]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
【主权项】
1.一种34mmIGBT模块，包括基板(1)，其特征在于:在基板(1)的上、下两端通过规划线设置有两规划区，在上规划区内设置有用于接线的接线区(2)，在上规划区与下规划区之间设置有中部芯片焊接区，在下规划区内设置有底部芯片焊接区(7)，在上规划区内设置有接线区阻焊层(3 )，在下规划区内设置有焊接区阻焊层。2.根据权利要求1所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的上规划区为矩形，位于基板(1)竖向中心线的左侧，接线区(2 )位于上规划区的上部，接线区阻焊层(3 )横向设置在接线区(2)的下部。3.根据权利要求1所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的下规划区为一横向设置的狭长区域，由左、右两区域连接组成，其中右侧矩形区域竖向的宽度宽于左侧矩形区域的宽度；焊接区阻焊层包括设置在底部芯片焊接区(7)外部的焊接区第一阻焊层(6)和焊接区第二阻焊层(8)。4.根据权利要求3所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的焊接区第二阻焊层(8)竖向设置在底部芯片焊接区(7)的左端面，焊接区第一阻焊层(6)为弯折状，设置在底部芯片焊接区(7)的上端面和右端面处。5.根据权利要求3所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的底部芯片焊接区(7)为矩形，位于基板(1)竖向中心线的右侧。6.根据权利要求1所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的中部芯片焊接区为第一芯片焊接区(4)和第二芯片焊接区(5)，第一芯片焊接区(4)和第二芯片焊接区(5)均为竖向设置的矩形区域，第一芯片焊接区(4)和第二芯片焊接区(5)交错设置。7.根据权利要求6所述的34mmIGBT模块，其特征在于:所述的第二芯片焊接区(5)高于第一芯片焊接区(4)，上规划区位于第一芯片焊接区(4)上方。
【专利摘要】一种34mmIGBT模块，属于半导体技术领域。包括基板（1），在基板（1）上设置有多个用于焊接芯片的芯片焊接区以及用于接线的接线区（2），其特征在于：在芯片焊接区外部或芯片焊接区与接线区（2）之间设置有多处阻焊层。由于在基板上的相应位置上设置有阻焊层，因此在进行芯片焊接区域的规划时，可以适当将各区域设计的更为紧凑，因此使得可以更为合理的对基板整个区域进行设计，提高了基板面积的利用率，因此可以在相同面积的基板上排布更多的芯片或功率更大的芯片，在一定程度上减小了整个IGBT模块的体积，提高了IGBT芯片的生产工艺水平。
【IPC分类】H01L23/13, H01L25/07
【公开号】CN205004334
【申请号】CN201520735623
【发明人】李安
【申请人】淄博美林电子有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年9月22日