一种具有混合磁路的三相电抗器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及三相电抗器技术领域，特别涉及一种具有混合磁路的三相电抗器。
【背景技术】
[0002]在目前市场上应用的三相电抗器的一般用法是:整个磁路都选用硅钢片作为磁芯材料，并在芯柱中加入气隙调整电感量。这种磁芯的优点是结构工艺简单，缺点是芯柱中由于存在较多的气隙，产生很强的漏磁效应，导致磁芯损耗急剧增加。在电力电子应用场合，硅钢片类电抗器普遍存在着损耗大，产品大的缺点。随着大功率高频率并网逆变器在新能源行业的广泛应用，传统的三相电抗器体积、成本、损耗等劣势更为显著，严重制约着电力电子变流器的发展。如何优化三相电抗器成本、体积、效率，是电抗器生产商迫切需要解决的问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对现有三相电抗器所存在的上述技术问题而提供一种具有混合磁路的三相电抗器，其通过对磁路的重新组合，来降低损耗、减少体积和降低成本。
[0004]本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:
[0005]—种具有混合磁路的三相电抗器，包括上、下铁轭和安装在所述上、下铁轭之间的三相芯柱以及安装在所述三相芯柱上的三相线圈，其特征在于，所述上、下铁轭采用硅钢片制成的上、下铁轭，所述三相芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱。
[0006]本实用新型在三相电抗器中铁芯组合中，芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅，由于铁硅磁导率低，含有分布气隙，从而芯柱中的气隙大幅减小甚至可以没有气隙。铁轭采用硅钢片，由于硅钢片磁导率高，可以保证三相电感量的一致性。
[0007]本实用新型的有益效果是:1.芯柱中用铁硅，使得气隙小，漏磁低，高频损耗小，效率高。2.由于铁硅材料损耗低，设计上就可以选择较小的磁芯，从而减少电抗器体积，优化成本。3.三相电感的一致性好。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的一种具有混合磁路的三相电抗器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]参见图1，图中给出的一种具有混合磁路的三相电抗器，包括上、下铁轭100、200和安装在上、下铁轭100、200之间的三相芯柱300、400、500以及安装在三相芯柱300、400、500上的三相线圈310、410、510，上、下铁轭100、200采用硅钢片制成的上、下铁轭，可以确保三相电感的一致性。三相芯柱300、400、500采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱，从而减少芯柱损耗，减少电抗器体积，优化成本。
【主权项】
1.一种具有混合磁路的三相电抗器，包括上、下铁轭和安装在所述上、下铁轭之间的三相芯柱以及安装在所述三相芯柱上的三相线圈，其特征在于，所述上、下铁轭采用硅钢片制成的上、下铁轭，所述三相芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱。
【专利摘要】本实用新型公开的一种具有混合磁路的三相电抗器，包括上、下铁轭和安装在上、下铁轭之间的三相芯柱以及安装在三相芯柱上的三相线圈，其上、下铁轭采用硅钢片制成的上、下铁轭，三相芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱。本实用新型的芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅，由于铁硅磁导率低，含有分布气隙，从而芯柱中的气隙大幅减小甚至可以没有气隙。铁轭采用硅钢片，由于硅钢片磁导率高，可以保证三相电感量的一致性。本实用新型的有益效果是：1.芯柱中用铁硅，使得气隙小，漏磁低，高频损耗小，效率高。2.由于铁硅材料损耗低，设计上就可以选择较小的磁芯，从而减少电抗器体积，优化成本。3.三相电感的一致性好。
【IPC分类】H01F1/147, H01F27/24, H01F27/245
【公开号】CN205230744
【申请号】CN201520789926
【发明人】李宾, 胡维生, 仇亮安, 李福元
【申请人】上海兆启新能源科技有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年10月12日