具有高叠合强度的半导体承盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种定位装置，特别是涉及一种具有高叠合强度的半导体承盘。
【背景技术】
[0002]随着半导体装置的封装自动化越趋完整，于封装过程中载运半导体的承盘(俗称Tray盘)的重要性也越趋提高，而半导体承盘的乘载稳定性可谓选择半导体承盘的关键要素，半导体承盘的乘载稳定性越高就能相对确保半导体在整个封装制程过程中的合格率，因此半导体承盘的乘载稳定性将成为攸关产品合格率和制造成本的关键要素，此外，半导体承载在运送时经常会层叠设置以便于运送，因而如何确保半导体承盘叠合后的稳定性及强度亦为另一关键要素。
[0003]而如图1所示为一种常见的半导体承盘10，该半导体承盘的一面成形容槽11以容置定位半导体，且该容槽11的周缘则成形定位单元12，该半导体承盘10的另面则成形叠合定位单元13以配合该定位单元12叠合定位，其中，该定位单元12包含复数凸块121，而该周缘由四侧边衔接构成方形，各该凸块121分别成形于该容槽11周缘的各该侧边的中央位置，而该叠合定位单元13同样包含复数配合凸块131，各配合凸块131的位置位于该凸块121的两侧，据此，当半导体承盘10层叠设置时，每一凸块131的两侧受到配合凸块131的抵制而产生限位的效果；
[0004]然而，小型化、薄型化是半导体技术的趋势，由此可知该半导体承盘10的每一容槽11尺寸已越趋微小化，如此也导致该定位单元12的尺寸越趋缩小，而在有限空间里又必须确保每一凸块121的两侧分别受到配合凸块131的抵制，由此可见配合凸块131的尺寸将更小于凸块121的尺寸，而在尺寸越趋微小的状况下，各配合凸块131的结构强度也相应降低，如此，当半导体承盘10层叠设置时，由于各配合凸块131支撑于两个该半导体承盘10之间，当配合凸块131的强度不足时将有断裂、毁损的可能，进而降低半导体承盘10间的叠合稳定性，如此也将不利于后续的搬运或移动，因而有待改善的必要。有鉴于此，本发明人潜心研究并更深入构思，历经多次研发试作后，终于创作出一种具有高叠合强度的半导体承盘。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种具有高叠合强度的半导体承盘，其主要目的是改善一般半导体承盘叠合稳定性不佳、叠合后的定位结构强度不足的缺陷。
[0006]为达前述目的，本实用新型提供的具有高叠合强度的半导体承盘，包含:
[0007]基底部，所述基底部的相对两面分别成形凸垣，该凸垣由复数侧边衔接所构成，且该凸垣凸出于该基底部以围绕构成容槽，该容槽供以容置半导体；
[0008]定位单元，包含对应该侧边数量的凸块，该凸块成形于该凸垣的各侧边上，且该凸块的中央位置与该侧边的中央位置不重合;以及
[0009]加强定位单元，包含对应该凸块数量的配合凸块，该配合凸块成形于该凸垣的各侧边上，且该配合凸块的中央位置与该侧边的中央位置不重合，且该基底部成形两容槽的两面的连线定义为轴向，各配合凸块与各凸块于轴向上的位置不同；当两个该半导体承盘层叠设置时，其中一个该半导体承盘的加强定位单元的配合凸块抵靠于具有凸块的凸垣的侧边上，透过配合凸块与凸块的牵制达成定位。
[0010]本实用新型主要通过将各凸块与配合凸块设置于凸垣的非中央位置上，且更配置凸块与配合凸块于轴向上的位置不同，据此使凸块与配合凸块能产生牵制以形成定位，在不需缩小凸块或配合凸块体积的状况下就能维持定位效果，据此提高凸块或配合凸块的结构强度，提高整体结构强度及乘载稳定性。
【附图说明】
[0011 ]图1为一般半导体承盘的叠合示意图。
[0012]图2为一般半导体承盘叠合状态的剖视图。
[0013]图3为本实用新型的具有高叠合强度的半导体承盘的立体外观示意图。
[0014]图4为本实用新型的具有高叠合强度的半导体承盘叠合状态的侧视图。
[0015]图5为本实用新型的具有高叠合强度的半导体承盘叠合状态的剖视图。
[0016]附图中符号标记说明:
[0017]10为半导体承盘;11为容槽；12为定位单元;121为凸块；13为叠合定位单元;131为配合凸块;20为基底部;21为凸垣;211为侧边;22为容槽;30为定位单元;31为凸块;40为加强定位单元;41为配合凸块;X为轴向；L为长边段;S为短边段。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]本实用新型提供一种具有高叠合强度的半导体承盘，请配合参阅图3至图5所示，主要包含:
[0020]基底部20，所述基底部20的相对两面分别成形凸垣21，凸垣21凸出于基底部20以围绕构成容槽22，容槽22供以容置半导体，而本实施例的凸垣21为方形轮廓型态；凸垣21由复数侧边211衔接所构成，本实施例的凸垣21由四个侧边211衔接构成方形轮廓；
[0021]定位单元30，包含对应该侧边211数量的凸块31，凸块31成形于凸垣21的各侧边211上，且凸块31的中央位置与侧边211的中央位置不重合，据此使各凸块31位于各侧边211的非中央位置上，本实用新型的中央位置定义为侧边211两端之间的中点位置、凸块31两端之间的中点位置;此外，由于各凸块31位于各侧边211的非中央位置上，据此，各侧边211又能以各凸块31的位置将该侧边21划分为长边段L以及短边段S;以及
[0022]加强定位单元40，包含对应凸块31数量的配合凸块41，配合凸块41成形于凸垣21的各侧边211上，且配合凸块41的中央位置与侧边211的中央位置不重合，据此使各配合凸块41位于各侧边211的非中央位置上，且该基底部20成形两容槽22的两面的连线定义为轴向X，各配合凸块41与各凸块41于轴向X上的位置不同；当两个该半导体承盘层叠设置时，其中一个半导体承盘的加强定位单元40可配合另一半导体承盘的定位单元30形成定位，而本实施例的加强定位单元40与定位单元30相定位的模式是加强定位单元40的配合凸块41抵靠于具有凸块31的凸垣2的侧边211上，透过配合凸块41与凸块31的牵制达成定位;且本实施例的配合凸块41抵靠于具有凸块31的凸垣21的侧边211的长边段L上;此外，本实施例的每一个侧边211上的凸块31与配合凸块41是位于相对容槽22的位置上。
[0023]以上为本实用新型具有高叠合强度的半导体承盘的结构组态及特征，本实用新型主要通过将各凸块31与配合凸块41设置于凸垣21的非中央位置上，且更配置凸块31与配合凸块41于轴向X上的位置不同，据此使凸块31与配合凸块41能产生牵制以形成定位；
[0024]而另外值得说明的是，由于本实用新型的配合凸块41抵靠于具有凸块31的凸垣21的侧边211的长边段L上，据此使得配合凸块41与凸块31之间产生位移方位的限制，而能降低层置的两半导体承盘间的滑移可能性，提尚置合后的稳定性；
[0025]再者，由于本实用新型的每一个侧边211上的凸块31与配合凸块41是位于相对容槽22的位置上，亦即，当容槽22内容置半导体，且两半导体承盘层叠配置时，凸块31与配合凸块41将会包覆于容槽22的周边，而能完全避免容置于容槽22内的半导体脱出，进而提高乘载半导体的稳定性及产品合格率；
[0026]而更加值得说明的是，由于本实用新型的半导体承盘于层叠时的定位效果是凭靠凸垣21的每一侧边211上的凸块31与配合凸块41，每一个侧边211上仅需设置单一个凸块31或单一个配合凸块41，因此能尽可能地保持每一个凸块31或每一个配合凸块41的尺寸，维持每一个凸块31或每一个配合凸块41的结构强度，避免两半导体承盘层叠时损坏凸块31或配合凸块41，提高两半导体承盘的叠合强度;且达成上述效果的前提是通过本实用新型的配合凸块41抵靠于长边段L的配置，使得本实用新型的凸块31与配合凸块41间具有牵制效果，而不需于凸块31两侧皆设置配合凸块41就能达成定位效果，进而辅佐搭配达成上述目的。
[0027]综上所述，上述各实施例及附图仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，皆应包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种具有高叠合强度的半导体承盘，其特征在于，包含: 基底部，所述基底部的相对两面分别成形凸垣，所述凸垣由复数侧边衔接所构成，且所述凸垣凸出于所述基底部以围绕构成容槽，所述容槽供以容置半导体； 定位单元，包含对应所述侧边数量的凸块，所述凸块成形于所述凸垣的各所述侧边上，且所述凸块的中央位置与所述侧边的中央位置不重合;以及 加强定位单元，包含对应所述凸块数量的配合凸块，所述配合凸块成形于所述凸垣的各所述侧边上，且所述配合凸块的中央位置与所述侧边的中央位置不重合，且所述基底部成形两容槽的两面的连线定义为轴向，各所述配合凸块与各所述凸块于轴向上的位置不同；当两个所述半导体承盘层叠设置时，其中一个所述半导体承盘的加强定位单元的配合凸块抵靠于具有凸块的凸垣的侧边上通过配合凸块与凸块的牵制达成定位。2.根据权利要求1所述的具有高叠合强度的半导体承盘，其特征在于，所述基底部的凸垣由四个侧边衔接构成方形轮廓。3.根据权利要求1所述的具有高叠合强度的半导体承盘，其特征在于，所述侧边两端之间的中点位置、所述凸块两端之间的中点位置定义为中央位置。4.根据权利要求1所述的具有高叠合强度的半导体承盘，其特征在于，各所述侧边以各所述凸块的位置将所述侧边划分为长边段以及短边段，所述配合凸块抵靠于具有凸块的凸垣的侧边的长边段上。5.根据权利要求1所述的具有高叠合强度的半导体承盘，其特征在于，当两个所述半导体承盘层叠设置时，每一个所述侧边上的凸块与配合凸块位于相对容槽的位置上。
【专利摘要】本实用新型提供一种具有高叠合强度的半导体承盘，主要于基底部的相对两面分别设置容槽以容置半导体，而容槽由凸垣围绕构成，半导体承盘两面的凸垣上分别设置凸块及配合凸块，当两半导体承盘叠置时，透过凸块及配合凸块的牵制形成定位，且通过该凸块与配合凸块设置于凸垣的非中央位置上，且更配置凸块与配合凸块于轴向上的位置不同，据此使凸块与配合凸块能产生牵制以形成定位，在不需缩小凸块或配合凸块体积的状况下就能维持定位效果，据此提高凸块或配合凸块的结构强度，提高整体结构强度及乘载稳定性。
【IPC分类】H01L21/673
【公开号】CN205319134
【申请号】CN201521046571
【发明人】罗郁南
【申请人】晨州塑胶工业股份有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月16日