一种提高电流扩散的led芯片的制作方法
【专利摘要】一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
【专利说明】
一种提高电流扩散的LED芯片
技术领域
[0001]本实用新型涉及LED的生产技术领域。
【背景技术】
[0002 ]如附图1所示，在现有LED芯片结构中设置有:1.P电极;2.透明导电扩散层;4.透明导电欧姆接触层;5.P型层;6.发光层;7.N型层;8.基板;9、N电极。
[0003]由于P-GaN电导率较差，为改善P-GaN电流扩展效果，通常在P-GaN之上采用透明导电扩展层，诸如ΙΤ0、Ζη0膜层等，其既要起到透明及电流扩散的作用，同时，也需要和P型层形成欧姆接触。
[0004]但采用此种结构，存在一个问题，由于透明导电层电导率有限，距离P电极比较远的区域，电流扩展不易，进而导致发光不均匀，远离P电极区域，亮度偏暗，而接近P电极区域，亮度偏亮，进而影响发光效率。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型目的是提出一种能解决当前透明导电层结构电流扩展不均匀问题的能提高电流扩散的LED芯片。
[0006]本实用新型包括基板，在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。
[0007]本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
【附图说明】
[0008]图1为传统LED的一种结构示意图。
[0009]图2为本实用新型的一种结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]—、制作工艺:
[0011]1、在一基板的同一侧，依次外延生长形成N型层7、发光层6、P型层5、透明导电欧姆接触层4、透明导电Barr i er层3和透明导电扩散层2。形成透明导电Barr i er层3的材料可以包括11'0、2110、2抑2等。
[0012]2、通过光刻、刻蚀的方式，自透明导电扩散层2下向刻蚀掉部分导电扩散层2、电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层3、透明导电欧姆接触层4、P型层5、发光层6，直至暴露出N型层7。
[0013]3、在暴露出的N型层7上制作N电极9，在透明导电扩散层2上制作P电极I。
[0014]4、制作保护层。
[0015]二、产品结构特点:
[0016]如图2所示，在基板8的同一侧依次设置N型层7、发光层6、P型层5、透明导电欧姆接触层4、透明导电Barrier层3和透明导电扩散层2，
[0017]在暴露出的N型层7上制作有N电极9，在透明导电扩散层2上制作有P电极I。
[0018]三、产品性能特点:
[0019]透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层、透明导电扩散层和保护层，四者之间形成透射膜系管系，能改善LED芯片电流扩展均匀性，进而改善发光效率。
【主权项】
1.一种提高电流扩散的LED芯片，包括基板，在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。
【文档编号】H01L33/14GK205645860SQ201620282727
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】刘英策, 陈凯轩, 李俊贤, 张永, 陈亮, 魏振东, 邬新根, 周弘毅, 吴奇隆, 蔡立鹤, 黄新茂
【申请人】厦门乾照光电股份有限公司