一种逆变器用低感母排装置的制作方法

文档序号:7484325阅读:448来源:国知局
专利名称:一种逆变器用低感母排装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种逆变器用低感母排装置,属逆变器辅助件类。
在中、大容量IGBT逆变器的工程设计中,合理排布母线、降低分布电感对于保护IGBT元件免遭受瞬态过压击穿非常重要。因此,寻求小于100nH低感母排的结构设计及制作方法已经成为IGBT逆变器主要电路设计的关键技术之一。现有的各种低感母排(Busbar)虽然能满足IGBT逆变器主电路结构设计的基本要求,但也存在以下不足1、一些低感母排由于结构设计过于简陋,因此仅能满足低压场合的使用,但当母排间工作电压高于1500VDC时,则很难保障逆变器能长时间可靠工作。2、另一类低感母排虽然在设计上紧凑合理,外形也较美观,但制作这些低感母排的方法往往比较复杂,不仅需要特别的加工模具,而且在高压扬合使用时为保证它安装到IGBT元件上能确保C、E两极间有足够长的爬电距离,往往不得不对低感母排的设计作大的改变,甚至降低低感母排的结构设计的基本原则使正、负母排两者形状和面积相差较大。从而造成低感母排的分布电感增加,但因此而增加主电路设计的难度。
本实用新型的目的旨在提供一种新的低感母排设计结构,克服现有低感母排存在的上述缺陷,不仅结构紧凑,外观美观而且制作也方便。
上述目的由下述技术方案来实现这种逆变器用低感母排装置由正铜排(2)、负铜排(3)、导电铜柱(5)及中间绝缘层(1)和外层绝缘层(4)组成,其特征在于A、所述的该母排由具有定位作用的导电铜柱(5)将依序搁置的外层绝缘层(4)、正铜排(2)、中间绝缘层(1)、负铜排(3)及外层绝缘层(4)叠置而成一多层叠置体。B、所述导电铜柱(5)及母排之间增设着绝缘塞块(6);在相邻两层之间设有起粘接作用的半固化片(7)。C、所述的外层绝缘层(4)上位于IGBT的C、E两极区间的板体上设有凹槽(8)。所述的凹槽(8)数量以2-5个为宜,其宽度≤2mm。
根据以上方案设计的这种低感母排,其优点是结构紧凑,简单。而且有效地增加了低感母排的爬电距离,因而使其能适应逆变器1500VDC以上工作电压。
以下结构附图进一步描述本实用新型,并给出实施例。


图1为本实用新型结构示意图;附图2为附图1中的AA向剖示图。
图中1-中间绝缘层,2-正铜排,3-负铜排,4-外层绝缘层,5-导电铜柱,6-绝缘塞块,7-半固化片,8-凹槽。
上述这种低感母排,其正负母排2mm以下的电解铜板或铝板制成,中间绝缘层由1.5mm以下的环氧板FR4或挠性基材(如LPET-FR)等绝缘材料组成,外层绝缘层由2mm以下的环氧板FR4组成;低感母排与IGBT元件之间的电连接均通过铆接在正、负母排上的导电铜柱进行;在每相邻两层之间叠放着起粘结作用的半固化片(7);并同时又在母排与导电铜柱之间增设有绝缘塞块(6)。同时,更主要的一点,为了增加低感母排安装到IGBT元件上以后,C、E两极间的爬电距离在外层绝缘板(层)上位于IGBT的两极区间内铣出一定数量的小凹槽(8),这种小凹槽一般可有2-5个,槽宽通常不大于2mm。
上述的这种低感母排装置,由于在结构上采取以上几项措施使这叠片状母排装置通过增设的绝缘塞块,半固化片所具的有流胶的特性,使塞块与所要填充的母排充分粘接成一体,从而有效的解决了母排的均流要求与爬电距离要匹配的矛盾。更由于在母排C、E两极间的外层绝缘层(4)上增设的若干小型凹槽(8),使C、E两极间的爬电距离得到相应的扩展,因而使该实用新型发明更适用于工作压力大于1500VDC的场合使用。
权利要求1.一种逆变器用低感母排装置由正铜排(2)、负铜排(3)、导电铜柱(5)及中间绝缘层(1)和外层绝缘层(4)组成,其特征在于A、所述的该母排由具有定位作用的导电铜柱(5)将依序叠置的外层绝缘层(4)、正铜排(2)、中间绝缘层(1)、负铜排(3)及外层绝缘层(4)叠置而成一多层叠置体;并且在导电铜柱(5)及母排之间增设着绝缘塞块(6);B、在相邻两层之间设有起粘接作用的半固化片(7);C、所述的外层绝缘层(4)上位于IGBT的C、E两极区间的板体上设有凹槽(8)。
2.根据权利要求1所术的一种逆变器用低感母排装置,其特征在于所述的小凹槽(8)数量以2-5个为宜,其宽度≤2mm。
专利摘要一种由具有定位作用的导电铜柱将依序叠置的外层绝缘层、正铜排、中间绝缘层、负铜排及外层绝缘层叠置而成一多层叠置体的逆变器用低感母排装置,在导电铜柱及母排之间增设着绝缘塞块;在相邻两层之间设有起粘接作用的半固化片;在绝缘层上位于IGBT两极区间的板体上设有增大爬电距离的凹槽。该低感母排具结构简单紧凑,符合EN50155的要求,适用于工作电压1500VDC以上的工作环境场合。
文档编号H02M1/00GK2450812SQ00225840
公开日2001年9月26日 申请日期2000年10月26日 优先权日2000年10月26日
发明者李小红, 忻力, 荣智林, 陈燕平, 翁星方 申请人:铁道部株洲电力机车研究所
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