专利名称：用于电感性耦合的同步整流器和控制器的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及交流电流整流。更特别地，本发明涉及电感性耦合的电 能的同步整流。
背景技术：
近来人们越来越关注电池供电的移动装置中的功率控制。大部分电池供 电的移动装置使用电压调节器，其既可限制又能调节提供给装置中的不同电
子电路的功率。电池供电的移动装置的实例包括，个人数据助理(PDAs)、 蜂窝电话、用于电子邮件和文本消息的便携式消息接发装置、数字照相机、 个人音乐播放装置等。
各种电路布置也已经被完成，以用于对电池进行充电，或者为便携式装 置供电。例如，电池供电的移动装置中的线圈可以被用于通过感应的方式产 生正弦信号，然后该正弦信号经过全波整流器整流以产生直流(DC)电压。然 后，该DC电压净皮滤波和调压，例如，通过孑氐压差(dropout) (LDO)电压调 节器来生成调节后的5伏的电源，用于对装置中的电子电路供电。
传统的全波桥式整流器利用结型二极管。每个结型二极管具有大约0.7V 的正向偏置电压降。因此，对于全波桥式整流器，相对于输入电压引起的电 压降可能高达1.4伏。在LDO电压调节器两端也可能出现450毫伏的电压 降。这些电压降通常都会产生不希望有的热量。
发明内容
简言之，本发明一般涉及电感性耦合的电能的同步整流。电感性耦合的 电能可以使用FET (场效应管)来进行整流，以使整流器的电压降最小化， 这使得功率损耗最小化。在相当低的电压(诸如大约2.5到4.5伏)下将相 当大的功率耦合到装置(诸如，电池充电器或其他能量储存装置)相当短的 时间(诸如小于一个小时)的情况下，在这种应用中，功率损耗是一项非常 重要的考虑因素。FET的体二极管可以;波用于为自举电路和控制FET的控制逻辑供电。
在一些实施例中，描述了同步开关电路，其包括电感器、同步整流器、 能量储存装置和控制电路。电感器被布置成响应于接收到的变化的电磁场， 产生交流电压。同步整流器包括第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压 侧开关，同步整流器对交流电压进行整流以产生直流电压。能量储存装置被 布置成用于存储来自直流电压的能量。控制电路被布置成响应于交流电压信 号的状态而控制第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压侧开关。
在另一些示例性同步开关电路中，当交流电压信号的状态为正向过零
(positive-going zero crossing)时，第一低压侧开关和第一高压侧开关被激 活,并且当交流电压信号的状态为负向过零(negative-going zero crossing ) 时，第二低压侧开关和第二高压侧开关被激活。在另外一些示例性同步开关 电路中，当具有所产生的交流电压第一极的电压水平大于能量储存装置的功 率端子的电压时，第一高压侧开关被激活，当具有所产生的交流电压第二极 的电压水平大于能量储存装置的功率端子的电压时，第二高压侧开关被激 活。在另外的一些示例性同步开关电路中，控制电路包括用于锁定电压补偿 的锁存器，其具有所产生的交流电压的第一极和能量储存装置的功率端子的 电压。
在另一实施例中， 一些同步开关电路进一步包括调节器，其用于连接到 能量装置的功率节点，从而调节器为控制电路供电。在其他的示例性同步开 关电路中，调节器为低压差电压调节器。在所描述的同步开关电路的另一些 实例中，调节器为降压-升压切换式调节器。在另一些示例性同步开关电路 中，第一和第二低压侧开关为NMOS晶体管，并且第一和第二高压侧开关 为PMOS晶体管，其中NMOS晶体管包括用于执行低压侧整流的体PN结， PMOS晶体管包括用于执行高压侧整流的PN结，从而NMOS和PMOS晶 体管的整流提供了到能量装置的功率节点的功率。在另外一些示例性同步开 关电路中，第一和第二低压侧开关以及第一和第二高压侧开关为NMOS晶 体管，其中第一和第二高压侧开关与基底隔离，且该基底是与第一和第二低 压侧开关共用的基底；其中NMOS晶体管包括用于执行整流的体PN结，从 而NMOS和PMOS晶体管的整流提供了到能量装置的功率节点的功率。在 另一些示例性同步开关电路中，第一和第二低压侧开关以及第一和第二高压 侧开关为NMOS晶体管，其中第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压侧开关的背栅连接到共同的基底，其中第一和第二高压侧晶体管包括体PN 结，其跨接于每个高压侧晶体管的源极和漏极，其中PN结对交流电压执行 整流，以提供到能量装置的功率节点的功率。
在一些其他实例中，描述了用于同步整流的方法，该方法包括将功率信
号电感性耦合到第 一和第二输入端；当功率信号的状态为正向过零时激活第 一低压侧开关和第一高压侧开关，并且当交流电压信号为负向过零时激活第 二低压侧开关和第二高压侧开关，从而产生直流电压；在能量储存装置中储
存来自直流电压的能量；和从能量储存装置向控制逻辑提供功率，用于激活 第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压侧开关。
在另外一些示例性方法中，能量储存装置为电容器。在一些其他的实例 中，描述的方法可以进一步包括当第 一输入端的电压水平大于能量储存装置 的功率端的电压时激活第一高压侧开关，当第二输入端的电压水平大于能量 储存装置的功率端的电压时激活第二高压侧开关。在另一些实例中， 一些示 例性方法进一步包括，调节来自能量储存装置的电压，以给控制逻辑提供功 率。在所描述的方法的另一些实例中，第一和第二低压侧开关为NMOS晶 体管，且第一和第二高压侧开关为PMOS晶体管，NMOS晶体管包括用于 执行低压侧整流的体PN结，且PMOS晶体管包括用于执行高压侧整流的 PN结，从而NMOS和PMOS晶体管的整流提供了到能量装置的功率节点的 功率。在所描述的方法的另外的实例中，第一和第二低压侧开关以及第一和 第二高压侧开关为NMOS晶体管，第一和第二高压侧开关与基底隔离，该 基底是与第一和第二低压侧开关共用的基底，且NMOS晶体管包括用于执 行整流的体PN结，从而NMOS和PMOS晶体管的整流提供了到能量装置 的功率节点的功率。在所描述的方法的另外的实例中，第一和第二低压侧开
关以及第一和第二高压侧开关为NMOS晶体管，其中第一和第二高压侧开 关以及第一和第二低压侧开关的背栅耦合到共同的基底，其中第一和第二高 压侧晶体管包括体PN结，其跨接于每个高压侧晶体管的源极和漏极，其中 PN结执行交流电压的整流，以提供到能量装置的功率节点的功率。
在其他的实例中，所描述的同步开关包括用于将功率信号电感性耦合 到第一和第二输入端的装置；当功率信号的状态为正向过零时激活第一低压 侧开关和第一高压侧开关，并当交流电压信号的状态为负向过零时激活第二 低压侧开关和第二高压侧开关的装置，从而产生直流电压；用于存储来自直流电压的能量的装置；和用于从能量储存装置向控制逻辑提供功率以用于激 活第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压侧开关的装置。
在同步开关的另一个实例中，用于存储能量的装置包括电池。在同步开 关另一实例中，第一和第二低压侧开关以及第一和第二高压侧开关的体二极
管被用于整流电感性耦合的功率信号，从而产生用于自举(bootstrapping) 控制逻辑的功率。
求，可以更完整地理解本发明及其改进，下面对附图进行简要说明。
参考以下附图描述了非限制性和非穷举的实施例。
图1是示出用于电感性耦合的电能的同步整流器和控制器的示意图。
图2是示出用于电感性耦合的电能的另一同步整流器和控制器的示意图。
图3是示出用于低压侧整流的NFET晶体管和用于高压侧整流的PFET 晶体管的使用的示意图。
图4是示出用于低压侧开关和高压侧开关的NFET晶体管的使用的示意图。
图5是示出使用单片处理实现的NFET晶体管的使用的示意图，但是这 里的NFET晶体管与P外延基底是不需要隔离的。
图6是示出由同步整流器供电的栅极驱动电路和控制电路的示意图。
具体实施例方式
现将参考附图详细描述不同的实施例，在若干视图中，使用相同的附图 标记表示相同的部件和组件。对不同实施例的参考并不限制本发明的保护范 围，本发明的保护范围仅由所附的权利要求来限定。另外，在说明书中阐释 的任何实例，其目的都不是用于进行限定，而仅是针对本发明主张的许多可 能的实施例中的一些进行解释。
在说明书和权利要求中，以下术语在本文中至少具有明确关联的含义， 除非上下文清楚地表明是其他情况。以下指出的含义并非用于限定这些术 语，而仅是针对术语的使用提供解释性的实例。"一个(a/an)"和"该(the)"的含义可以既包括单数又包括复数。"在……中(in)"的含义可以包括 "在……里(in)"和"在......上(on)"。术语"连接(connected)"可以表
示直接连接、电磁连接、机械连接、逻辑连接，或者其他两项之间的连接， 而不存在任何电连接、机械连接、逻辑连接或者其他中间连接。术语"耦合" 可表示项目之间的直接连接、项目之间以不构成连接的方式通过一个或者多 个中间媒介、或者通信而形成的间接连接。术语"电路"可表示单个元件或 多个元件、有源或者无源的、独立的或集成的，它们被耦合在一起以提供所 需的功能。术语"信号"可表示至少一个电流、电压、电荷、数据或其他这 才羊可识别的量。
简单地说，本发明一般涉及电感性耦合的电能的同步整流。可以使用 FET (场效应管)来对电感性耦合的电能进行整流，以使整流器的电压降最 小化，这可以使功率损耗最小化。功率损耗以下情况的应用中是一项重要的 考虑因素在相当低的电压(诸如大约2.5到4.5伏)，将相当大的功率耦合 于装置(诸如，电池充电器或其他能量储存装置)相当短的时间(例如小于 一小时)的情况下。FET的体二极管可被用于为自举和控制FET的控制逻 辑供电。
图1为示出用于电感性耦合的电能的同步整流器和控制器的示意图。电 路100接收来自接收线圈L101的能量。接收线圈L101可以是来自电话110 的接收线圈。接收线圈L101的输出电压是正弦的(由于电感性耦合)，因此 整流、峰值检测和滤波典型地是由电路100来执行的(以类似于传统AC电 源的整流和滤波的方式)。
在操作中，过零检测比较器U102被用于检测功率信号"正"和"负" 的过零。响应于过零检测，产生信号以导通合适的低压侧开关。例如，当检 测到正向过零时，比较器U102激活正相位低压侧开关M102。当检测到负 向过零时，比较器U102激活负相位低压侧开关M103。
高压侧开关M 101和M 104能够响应于过零检测比较器U 102以及相位 整流器比较器U 101和U 103的输出。例如，当过零检测比较器U102的输 出指示为正向过零时(例如，信号"相位"被断言(asserted))并且正相位 整流器比较器UIOI指示为信号"plus(正)"大于"Vout，，时，正相位高压 侧开关M104导通。当过零检测比较器U102的输出指示为检测到负过零时 (例如信号"phase2，，，信号"phase"的反相信号，被断言)并且负相位整流器比较器U103指示为信号"minus (负)"大于"Vout"时，负相位高压 侧开关M101导通。这样，比较器被用于比较输出电容器C101与每个相电 压，并且只要相电压较高，比较器就为高。
用于低电压控制电路的功率可以通过使用无源桥式整流器驱动串联调 节器来获得。在另一个实施例中，图1中的同步整流相电压可被用于对另一 串联调节器供电。这两个调节器的输出可以并行地连接以为控制电路供电。 如下面参考图3-6所描述的，整流器FET中固有的体二极管也可以用作无 源桥式整流器。因此，当使用整流器FET的体二极管时，从同步整流器输出 提供的单个LDO可用于对控制电路供电，。
用于NMOS同步整流器FET的驱动电压可以由自举电源获得，诸如， 从电容器提供，其可以为构成电路100的集成电路从外部供电。根据集成电 路的处理技术，可以使用不需要自举电源的PFET。
上面的电路一般用于取代传统的无源二极管桥式整流器，其在导通期间 大约有1.4V的电压降。FET开关两端的电压降是由其导通时的电阻Rds-on 决定的，但是在典型开关大小和500mA负载电流的情况下典型地会降低至 200mV (或者更小)。
输出电压一般取决于充电线圈(充电站)和接收线圈(在电话或其他便 携式装置内)以及负载电流之间的耦合程度。变压器的漏电感(图1中示出 L101为10|iH)两端的开路电压通常下降相当大的量，这可能是实用充电和 接收线圈(如接收线圈LIOI)形成的。
"临时，，变压器(其通常包括充电站中的线圈和带有待充电的电池的设 备中的线圈)的漏电感通常比较大。变压器的比较大的漏电感导致整流器的 输出电压响应于负载电流的减小而上升。因为这个原因，使用降压(buck) 切换式调节器而不用线性调节器/LDO，可以在负载小于最大期望值时节省 大量的功率并且避免热量产生。
使用同步整流器以减小负载电流变化时的电压降，并且通过使用降压切 换式调节器(如下所描述的)以使小于最大负载电流时的功率损耗最小化， 比起传统的功率传送系统，以上两者的组合可以产生更高效的功率传送。在 负载电流较轻时，使功率耗散最小化典型地会使效率更高。
降压切换式调节器可由整流电路提供以调节输出电压，使输出电压下降 到适用于电池充电系统的适当的值。在另一个实施例中，降压转换器可以被配置成直接对电池充电，这是通过将该降压转换器设计成响应于电池的充电 状态在恒定电流或恒定电压模式下工作而实现的。
另外，除了电池以外的功率储存装置可以通过电路100来充电。例如，
电容器和燃料电池可以被有效地充电。在相当低的电压(如大约2.5V到 4.5V)下，将相当大的功率耦合到装置相当短的时间(如小于一小时)的情 况下的应用中，可以显著降低功率损耗。
图2是说明用于电感性耦合的电能的另 一个同步整流器和控制器的示意 图。在该实施例中，整流和调节被组合到一个功能中，并且使用整流开关 M201-M204来执行该功能。电路200接收来自接收线圈210的功率，其驱 动功率信号"plus(正)"和"mi薩(负)"。
在操作中，过零检测比较器U202被用于检测功率信号"plus(正)"和 "minus(负)"的过零。响应于检测到功率信号过零，产生信号"phase(相位)" 和"phase2(相位2)，，以使适当的低压侧开关导通。例如，当检测到正向过零 时，比较器U202通过信号"phase"激活正相位低压侧开关M202。当检测 到负向过零时，比较器U202通过信号"phase2，，激活负相位低压侧开关M203。 响应于过零检测比较器U 202以及相位整流器比较器U201和U203的 输出，高压侧开关被启动。例如，当过零检测比较器U202的输出指示检测 到正向过零时(例如信号"phase"被断言)并且负相位整流器比较器U201 指示信号"plus"大于"Vout，，时，正相位高压侧开关M204导通。当过零 检测比较器U202的输出指示检测到负过零时(例如信号"phase2"，信号 "phase"的反相信号，被断言)并且负相位整流器比较器U203指示信号 "minus"大于"Vout，，时，负相位高压侧开关M201导通。因此，比较器被 用于比较输出电容器C201与每个相电压，并且只要相电压为高值，则比较 器将为高值。
比较器U204比较滤波后的输出电压(VOUT)与参考电压(例如，图2 中示为5V)。这样，使用附加条件来使高压侧开关导通。相电压一般保持在 输出电压以上，并且输出电压一般保持在参考电压以下。可以使用诸如A204 和A205的锁存器以防止潜在的"振荡"(诸如，整流器相位开关的频繁的导 通/关断切换)，这不是必须在每个实施方式中都要使用的。
如在电3各100中，通过使调节器直接向电池充电，可以利用电路200来 提供电池充电功能。可通过检测负载电流和关断高压侧开关来实现恒流模式充电，而不是检测输出电压和驱动高压侧开关来控制充电。
图3是说明用于低压侧整流的NFET晶体管和用于高压侧整流的PFET 晶体管的使用的示意图。电路300包括接收线圈L302， NFET晶体管M310 和M320, PFET晶体管M330和M340,以及电容器C304。
电路300可以利用单个P外延式CMOS单片处理或者利用分离的FET 晶体管来制造。在两种实例中，FET的体二极管均可以起到无源整流器的作 用，从而为栅极驱动和控制电路提供功率源。类似地，FET的体二极管可以 被用于防止当FET被关断时可能损坏FET的电压尖刺(spike)。如果使用N 外延式处理，那么一般会采用对PFET的隔离选择(诸如，隔离阱)。
图4是说明用于低压侧切换和高压侧切换(其降低了栅极驱动电流要求 并提高了轻负载电流时的效率)的NFET的使用的示意图。电路400包括接 收线圈L402， NFET晶体管M410、 M420、 M430和M440，以及电容器 C404.
电路400可以利用单片处理来制造，以节省芯片面积(例如，通过减少 隔离选择)。电路300可以利用单片处理或利用分离的功率FET来制造。如 上面关于电路300所描述的，电路400的FET的体二极管构成无源电桥，其 为栅极驱动和控制电路提供电源。电路400可以利用用于高压侧FET的自举 驱动电路来实施。高压侧FET M430和M440 —4殳与基底(取决于所使用的 处理)隔离。
图5是说明利用单片处理来实施NFET的使用的示意图，但是这里不需 要NFET与P外延式基底的隔离。电路500包括接收线圈L502, NFET晶体 管M510、 M520、 M530和M540,以及电容器C504。
在电路500中，高压侧NFET的背栅(backgate )为基底自身。高压侧 NFET的无源二极管与高压侧FET的源/漏结并联地耦合，以便为栅极驱动 和控制电路提供电源，并且还可防止在FET被关断时可能损坏FET的电压 尖刺。
图6是说明由同步整流器供电的栅极驱动电路和控制电路的示意图。电 路600包括接收线圈L602、NFET晶体管M610和M620、PFET晶体管M630 和M640、 LDO X610、比较器X620和X630、控制电路X640和电容器C604。
电路600包括LDOX610,其耦合在整流器(其包括四个体二极管，图 中示为FETM610、 M620、 M630和M640 )输出与控制电路X640之间。因为同步整流器的输出一般随着负载电流的增加而上升，LDO被用于保持足 够低的电压供给以保护低压控制电路。在许多的，如果不是全部，同步整流
器的实施方案中，^C控制的LDO输出电压的全摆幅可以-波施加于^^压侧 NFET栅极。
在控制电^各的l俞出端与高压侧整流FET M630和M640的4册4及之间可以 使用电平移动电路。通常使用电平移动电路是因为栅极驱动摆幅一般必须大 于LDO的输出电压。例如，在PFET高压侧FET的情况下，4册极驱动摆幅 可高至整流器输出电压，并且在NFET高压侧FET的情况下，；断极驱动摆幅 可以高至自举电压。
尽管本文已经借助于示例性实施例描述了本发明，但是在不脱离本发明 的精神和范围的情况下，还可以对本文所描述的结构和方法作出改变。例如， 可以改变各种元件的位置和/和尺寸。单个元件和元件的排列可以被替换，这 在现有技术中是已知的。由于在不脱离本发明的精神和保护范围的情况下可 以作出许多本发明的实施例，因此本发明除了所附的权利要求外不受其他限 制。
权利要求
1. 一种同步开关电路，包括电感器，其用于响应于接收到的变化的电磁场产生交流电压；同步整流器，其包括第一和第二高压侧开关以及第一和第二低压侧开关，该同步整流器对所述交流电压进行整流，以产生直流电压；能量储存装置，其用于存储来自所述直流电压的能量；和控制电路，其响应于交流电压信号的状态，控制所述第一和第二高压侧开关以及所述第一和第二低压侧开关。
2. 如权利要求1所述的电路，其中在所述交流电压信号的状态为正 向过零时，激活所述第一低压侧开关和所述第一高压侧开关，并且其中在所 述交流电压信号的状态为负向过零时，激活所述第二低压侧开关和所述第二 高压侧开关。
3. 如权利要求2所述的电路，其中在具有所产生的交流电压的第一 极的电压水平大于所述能量储存装置的功率端子的电压时，激活所述第一高 压侧开关，并且其中在具有所产生的交流电压的第二极的电压水平大于所述 能量储存装置的功率端子的电压时，激活所述第二高压侧开关。
4. 如权利要求3所述的电路，其中所述控制电路包括锁存器，其用 于锁定具有所产生的交流电压的第一极的电压与所述能量储存装置的功率 端子的电压的比较结果。
5. 如权利要求1所述的电路，进一步包括调节器，其耦合于所述能 量装置的功率节点，从而所述调节器为所述控制电路提供功率。
6. 如权利要求5所述的电路，其中所述调节器为低压差电压调节器。
7. 如权利要求5所述的电路，其中所述调节器为降压-升压切换式调节器。
8. 如权利要求5所述的电路，其中所述第一和第二低压侧开关为 NMOS晶体管，并且所述第一和第二高压侧开关为PMOS晶体管，其中该 NMOS晶体管包括用于执行低压侧整流的体PN结，该PMOS晶体管包括用 于执行高压侧整流的PN结，从而该NMOS和PMOS晶体管的整流为所述 能量装置的功率节点提供功率。
9. 如权利要求5所述的电路，其中所述第一和第二低压侧开关以及 所述第一和第二高压侧开关为NMOS晶体管，其中所述第一和第二高压侧 开关与基底隔离，该基底是与所述第一和第二低压侧开关共用的基底，其中 所述NMOS晶体管包括用于执行整流的体PN结，从而该NMOS和PMOS 晶体管的整流为所述能量装置的功率节点提供功率。
10. 如权利要求5所述的电路，其中所述第一和第二低压侧开关以及 所述第一和第二高压侧开关为NMOS晶体管，其中所述第一和第二高压侧 开关以及所述第一和第二低压侧开关的背栅耦合于共用的基底，其中所述第 一和第二高压侧晶体管包括体PN结，该体PN结跨接于每个高压侧晶体管的源极和漏极，其中该体PN结执行交流电压的整流，来为所述能量装置的 功率节点提供功率。
11. 一种用于同步整流的方法，包括将功率信号电感性耦合于第 一 和第二输入端子；在所述功率信号的状态为正向过零时，激活第一低压侧开关和第一高压 侧开关，并在所述交流电压信号的状态为负向过零时，激活第二低压侧开关 和第二高压侧开关，从而产生直流电压；在能量储存装置中存储来自所述直流电压的能量；和 将来自所述能量储存装置的功率提供给控制逻辑，以激活所述第一和第 二高压侧开关以及所述第一和第二低压侧开关。
12. 如权利要求11所述的方法，其中所述能量储存装置为电容器。
13. 如权利要求11所述的方法，进一步包括当所述第一输入端子的电压水平大于所述能量储存装置的功率端子的电压时，激活所述第一高压侧开 关，并且当所述第二输入端子的电压水平大于所述能量储存装置的功率端子 的电压时，激活所述第二高压侧开关。
14. 如权利要求11所述的方法，进一步包括调节来自所述能量储存装 置的电压，来向所述控制逻辑提供功率。
15. 如权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二低压侧开关为NMOS晶体管，所述第一和第二高压侧开关为PMOS晶体管，其中该NMOS 晶体管包括用于执行低压侧整流的体PN结，该PMOS晶体管包括用于执行 高压侧整流的PN结，从而该NMOS和PMOS晶体管的整流为所述能量装 置的功率节点提供功率。
16. 如权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二低压侧开关以及 所述第一和第二高压侧开关为NMOS晶体管，其中所述第一和第二高压侧 开关与基底隔离，该基底是与所述第一和第二低压侧开关共用的基底，其中 该NMOS晶体管包括用于执行整流的体PN结，从而该NMOS和PMOS晶 体管的整流为所述能量装置的功率节点提供功率。
17. 如权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二低压侧开关以及 所述第一和第二高压侧开关为NMOS晶体管，其中所述第一和第二高压侧 开关以及所述第一和第二低压侧开关的背栅耦合于共用的基底，其中所述第 一和第二高压侧晶体管包括体PN结，该体PN结跨接于每个高压侧晶体管 的源极和漏极，其中该体PN结执行交流电压的整流，来向所述能量装置的 功率节点提供功率。
18. —种同步开关，包括用于将功率信号电感性耦合于第 一和第二输入端子的装置；用于在所述功率信号的状态为正向过零时，激活第一低压侧开关和第一高压侧开关，并在交流电压信号的状态为负向过零时，激活第二低压侧开关和第二高压侧开关，从而产生直流电压的装置；用于存储来自所述直流电压的能量的装置；和用于将来自能量储存装置的功率提供给控制逻辑，以激活所述第一和第 二高压侧开关以及所述第一和第二低压侧开关的装置。
19. 如权利要求18所述的同步开关，其中所述用于存储能量的装置包 括电池。
20. 如权利要求18所述的同步开关，其中所述第一和第二低压侧开关 以及所述第一和第二高压侧开关的体二极管被用于整流电感性耦合的功率 信号，从而产生用于自举所述控制逻辑的功率。
全文摘要
同步整流器被布置成使用FET(场效应管)对电感性耦合的电能进行整流，以使整流器的电压降最小化，这可以使功率损耗最小化。在相当低的电压(诸如，约2.5到4.5伏)将相当大的功率耦合到装置(诸如，电池充电器或其他能量储存装置)相当短的时间(诸如，小于一小时)的情况的应用中，功率损耗是一项重要的考虑因素。FET的体二极管可被用来为自举和控制FET的控制逻辑供电。
文档编号H02M7/217GK101436831SQ200810171458
公开日2009年5月20日 申请日期2008年7月14日 优先权日2007年7月13日
发明者乔纳森·R·奈特 申请人:美国国家半导体公司