专利名称：一种防射频干扰的手机电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及通信设备领域，尤其涉及一种手机电池。
背景技术：
目前，在大部分手机上使用的是锂电池，其内部包括保护电路和作为供电 源的电芯电路。保护电路主要由保护芯片、场效应管及一些阻容器件构成。保 护电路的作用是在检测到电压或者电流不正常时使电池无输出，及时切断电池 和手机电路板所形成的回路，以避免不正常的电压或者电流对手机电路造成损害。
现有的手机电池电路原理如图1所示，电池的保护电路一般由第一场效应
管V1、第二场效应管V2和一个保护芯片外加一些阻容元件构成。保护芯片检测 电池电压和回i 各电流，并控制两个场效应管的栅极，两个场效应管在电路中起 开关作用，分别控制着充电回路与放电回路的导通与关断，通过两个场效应管 与保护芯片的共同作用，从而实现过充电保护、过放电保护、过电流保护与短 路保护的功能。在手机处于正常工作状态时，保护芯片的保护充电管脚CO与保 护芯片的保护放电管脚DO都输出高电压，两个场效应管都处于导通状态，电池 可以自由i也进4亍充电和》文电。
过压保护是指在电池放电过程中，当保护芯片检测到电池电压低于欠压限 值或者高于过压限值时，保护芯片的保护放电管脚DO将由高电压转变为零电压， 使第一场效应管V1由导通转为关断，从而切断了放电回路，使电池无法再对负 载即手机电路进行放电，起到过放电保护作用。此时由于第一场效应管V1自带 的与其并联的第一二极管VD1存在，电池可以通过该二极管进行充电。欠压限值与过压限值由保护芯片决定，不同的保护芯片设有不同的值。
过流保护是指电池对负载即手机电路正常放电的过程中，放电电流在经过 串联的两个场效应管时，由于场效应管存在导通阻抗，会在两个场效应管两端 产生一个电压，该电压值l^IxRx2， I是放电回路中的电流，电阻R为每个场 效应管的导通阻抗，保护芯片对该电压值进行检测，若负载因某种原因导致异
常，使放电回路电流增大，当电流大到使u大于电压限值时，保护芯片的保护
放电管脚D0将由高电压转变为零电压，使第一场效应管V1由导通转为关断， 从而切断了放电回路，使电流为零，起到过电流保护作用。该电压限值由保护 芯片决定，不同的保护芯片设有不同的值。
保护芯片在启动过压保护或者过流保护状态前，会有十几到一百毫秒左右 的延时，该延时时间由保护芯片决定，不同的保护芯片设有不同的值。射频噪 声干扰会导致整个手机电路产生过流或这过压的情况，这种由射频噪声干扰导 致的过流或者过压持续时间较短，只是影响了电池内部电路或者保护芯片，而 并不会给手机电路带来损坏。射频干扰噪声持续时间如果大于该延时时间，比 如射频干扰噪声持续时间是1秒，即使射频干扰已经结束，当保护芯片在延时 时间结束时再次检测到了过流或者过压时，它也将启动过压保护或者过流保护， 切断了正常的放电回路造成手机掉电，这将使正在通话的手机用户发现手机忽 然掉电，在这种情况下用户需要重新开机，给用户使用带来了麻烦。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是，提供一种防射频干扰的手机电池，使手机 在受到射频干扰噪声时，不会因误判而启动过压保护或者过流保护。
本实用新型采用的技术方案是，所述防射频干扰的手机电池，包括保护电 路和电芯电路，电芯电路包括串联的保险电路和作为供电源的电芯，保护电路 包括保护芯片、第一去耦电容和第二去耦电容，保护芯片的电源管脚和接地管 脚之间接有第一去耦电容，电池正极和电池负才及两端接有第二去耦电容。在保护芯片的电源管脚和接地管脚之间还接有第一滤波电容，电池正极和电池负极 两端还接有第二滤波电容。
为了更好的除射频噪声，增强电路的安全性，作为一种优选的技术方案， 所述第一滤波电容和第二滤波电容最好均采用皮法级的陶瓷电容。
采用上述技术方案，本实用新型至少具有下列优点
本实用新型所述防射频干扰的手机电池，采取主动防御的方法，从被射频 噪声千扰的保护芯片处主动滤除了手机射频频段的噪声，从而在实现电池的防 射频噪声干扰的同时，使保护芯片不会因误判而启动过压保护或者过流保护， 也就不会使手机掉电而切断用户正在进行的通话了。另外，本实用新型的技术 方案中所增加的滤波电容的电容值灵活可调，因此，可适应于不同制式的手机。 在设计实现上，简单易行，同时也没有增加成本。
图1为现有的手机电池电路原理示意图2为本实用新型所述防射频干扰的手机电池电路原理示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定目的所采取的技术手段及功效，以 下结合附图及较佳实施例，对本实用新型提出的所述防射频干扰的手机电池， 详细i兌明如后。
本实用新型所述防射频干扰的手机电池电路原理如图2所示，所述防射频 干扰的手机电池，包括保护电路和电芯电路，电芯电路包括串联的保险电路和 作为供电源的电芯，保险电路选用保险丝或者高分子聚合物正温度热敏电阻 PTC。
保护电路包括保护芯片、第一场效应管V1、第二场效应管V2、第一去耦电 容C1、第二去耦电容C2和两个二极管，保护芯片的保护放电管脚DO连接到第一场效应管VI的栅极，保护芯片的保护充电管脚CO连接到第二场效应管V2的 栅极，电芯的负极与第一场效应管VI的源极相连，第一场效应管VI的漏极与 第二场效应管V2的漏极相连，第二场效应管V2的源极连接到电池负极，保护 芯片的电源管脚VCC和接地管脚GND之间接有第一去耦电容Cl，电源管脚VCC 连接到电池正极，接地管脚GND连接到电芯负极，第一、二场效应管的源极和 漏极之间均接有一个正向的二极管，电池正极和电池负极两端接有第二去耦电 容C2。在保护芯片的电源管脚和接地管脚之间还接有第一滤波电容C3，电池正 极和电池负极两端还接有第二滤波电容C4。
由于射频干扰噪声 一般都是通过保护芯片的电源管脚或电池正极进入电 池，从而影响保护芯片使其产生误判断和误动作，故该改进电路在保护芯片的
电源和地之间以及电池4lr出的电源和地之间增加两个皮法才及的滤波电容，即第
一滤波电容C3和第二滤波电容C4，用于主动滤除手机射频频段的噪声。需要说 明的是，虽然在现有的手机电池保护电路里，保护芯片的电源和地之间以及电 池输出的电源和地之间都会有两个微法级的电容，即图1中的第一去耦电容C1 和第二去耦电容C2。但这两个微法级的电容是用于去耦的，无法起到滤除射频 干扰噪声的作用。由于手机存在许多不同的制式，在实际的电池设计中，应根 据实际需要选择不同的皮法级的电容值以滤除不同波段的射频干扰噪声，如12 皮法的滤波电容能滤除DCS1800频段的射频干扰噪声，36皮法的滤波电容能滤 除GSM900频段的射频干扰噪声，22皮法的滤波电容能同时滤除DCS1800和 GSM900频段的射频干扰噪声，GSM900和DCS1800就是我们平常讲的双频网络， 它们都是GSM标准。两个系统功能相同，主要是频率不同，GSM9 00工作在90OMHZ ， DCS1800工作在180固HZ。其它的频l殳如CDMA (Code Division Multiple Access, 码分多址)、WIFI (Wireless Fidelity,无线保真)等都可冲艮据其频段及实际 情况设置皮法级的滤波电容值。
作为一种优选实施例，第一滤波电容C3和第二滤波电容C4为皮法级的陶 瓷电容，这是因为陶瓷电容具有低等效串联电阻、等效串联电感，此外，陶瓷电容的故障特性表现为断路，即使这两个电容被击穿损坏，也不会对整个电池 造成影响。
本实用新型对手机电池的保护电路进行了优化，采取主动防御的方法，从 被射频噪声干扰的保护芯片处主动滤除了手机射频频段的噪声，从而在实现电 池的防射频噪声千扰的同时，使保护芯片不会因误判而启动过压保护或者过流 保护，也就不会使手机掉电而切断用户正在进行的通话了。另外，本实用新型 的技术方案中所增加的滤波电容的电容值灵活可调，因此，可适应于不同制式 的手机。在设计实现上，简单易行，同时也没有增加成本。
通过具体实施方式
的说明，可对本实用新型为达成预定目的所采取的技术 手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图示仅是提供参考与说明之 用，并非用来对本实用新型加以限制。
权利要求1、一种防射频干扰的手机电池，包括保护电路和电芯电路，电芯电路包括串联的保险电路和作为供电源的电芯，保护电路包括保护芯片、第一去耦电容和第二去耦电容，保护芯片的电源管脚和接地管脚之间接有第一去耦电容，电池正极和电池负极两端接有第二去耦电容，其特征在于，在保护芯片的电源管脚和接地管脚之间还接有第一滤波电容，电池正极和电池负极两端还接有第二滤波电容。
2、 根据权利要求1所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述第一 滤波电容和第二滤波电容均是皮法级的电容。
3、 根据权利要求1或2所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述 保险电路选用保险丝或者高分子聚合物正温度热敏电阻PTC。
4、 根据权利要求3所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述第一 滤波电容和第二滤波电容均是陶瓷电容。
5、 根据权利要求4所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述第一 滤波电容和第二滤波电容的电容值均是12皮法。
6、 根据权利要求4所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述第一 滤波电容和第二滤波电容的电容值均是22皮法。
7、 根据权利要求4所述的防射频干扰的手机电池，其特征在于，所述第一 滤波电容和第二滤波电容的电容值均是36皮法。
专利摘要本实用新型公开了一种防射频干扰的手机电池，包括保护电路和电芯电路，电芯电路包括串联的保险电路和作为供电源的电芯，保护电路包括保护芯片、第一去耦电容和第二去耦电容，保护芯片的电源管脚和接地管脚之间接有第一去耦电容和皮法级的第一滤波电容，电池正极和电池负极两端接有第二去耦电容和皮法级的第二滤波电容。本实用新型所述防射频噪声干扰的手机电池，采取主动防御的方法，从被射频噪声干扰的保护芯片处主动滤除了手机射频频段的噪声，从而在实现电池的防射频噪声干扰的同时，使保护芯片不会因误判而启动过压保护或者过流保护。
文档编号H02H7/18GK201278461SQ200820136469
公开日2009年7月22日 申请日期2008年9月23日 优先权日2008年9月23日
发明者炜 罗, 雪 袁 申请人:中兴通讯股份有限公司