专利名称：电流控制电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及具备电流检测电路且进行按照检测电流的控制的电流控制电路，涉及例如使用于搭载有给二次电池充电的充电控制电路的充电控制用IC(半导体集成电路)而有效的技术。
背景技术：
在二次电池的充电单元中，使用了搭载有充电控制电路的IC，该充电控制电路通过由被设置在被输入来自AC适配器等一次电源的直流电压的输入端子和连接有二次电池的输出端子之间的MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管；以下称为MOS晶体管)构成的电流控制用晶体管控制充电电流。一直以来，在这种充电控制用IC中，进行的是检测出充电时流过电流控制用晶体管的电流，并进行控制以使充电电流稳定。另外，作为这样的恒流控制模式中的充电电流的检测方式，已知有将电流控制用晶体管和电流检测用的检测电阻串联连接，根据电阻中的电压下降量来检测电流的方式。该方式虽然可较高精度地检测电流，但流过检测电阻的电流较大，因此，存在检测电阻中的功率损失大，功率利用系数降低之类的问题。于是，已经提出了如下的方式与电流控制用晶体管并联地设置比其尺寸小的晶体管，施加和所述电流控制用晶体管相同的栅电压，而在电流反射镜电路中生成与充电电流成比例缩小的电流，使这一电流流过检测电阻，根据电阻中的电压下降量来检测电流。该方式中，由于流过检测电阻的电流小，故可提高电力效率，虽然有这样的优点，但由于负荷的变动等，电流检测用晶体管的偏置(bias)条件与电流控制用晶体管不同，由此，不能流动正确地成比例缩小的电流，因此，检测精度下降。因此，如图6所示，已经提出了如下发明，S卩、与电流反射镜电流检测用晶体管Q2 串联地设置偏置控制用晶体管Q3，该电流检测用晶体管Q2与电流控制用晶体管Ql电流反射镜连接，并且设置如下的差动放大器AMP1，该差动放大器AMPl将上述电流控制用晶体管 Ql和电流检测用晶体管Q2的各漏极电压作为输入、且输出端子与偏置控制用的晶体管Q3 的栅极端子连接，通过该差动放大器的虚拟短路作用使电流检测用晶体管Q2的偏置条件与电流控制用晶体管Ql的偏置条件相同，由此，使电流检测精度提高(专利文献1)。专利文献1 (日本)特开2009-294981号公报在专利文献1所记载的充电控制电路在一次电源为AC适配器这样的电压、电流比较稳定的电源的情况下，没有特别限制。但是，在作为一次电源来使用如太阳能电池这样的电压、电流变动的电源的情况下，发现如下所述的问题。即，第一，在日射量少且充电电流极少时，一次电源20和二次电池30之间的电压差即电流控制用晶体管Ql的源漏极之间的电压差Vql变得非常小，因差动放大器AMPl的偏置电压等的影响而不能正确地检测充电电流。第二，当扩大可控制的充电电流范围时，在高充电电流时电流-电压转换用的电阻Rp 中的检测电压会变得过高，如图7(B)的P3区间那样，检测电压Vrl被固定在输入电压Vin， 无法进行电流控制。
发明内容
本发明是着眼于如上所述的问题而设立的，其目的在于，在用电流反射镜方式检测流过电流控制用MOS晶体管的电流而控制充电电流的电流控制电路中，即使在扩大了可控制的充电电流范围的情况下，也能正确地进行电流控制。为了完成上述目的，本发明的电流控制电路具备并联形式的第一及第二电流控制用MOS晶体管，其被连接于电压输入端子和输出端子之间，控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；并联形式的第一以及第二电流控制用MOS晶体管，其连接在电压输入端子和输出端子之间、并控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；电流检测电路，其具有第一以及第二电流检测用MOS晶体管、和分别连接有与所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管串联连接的第一以及第二电流-电压转换单元的端子，该第一以及第二电流检测用MOS晶体管的源极端子分别与所述第一以及第二电流控制用MOS晶体管的源极端子连接、且具有比这些晶体管小的尺寸、栅极端子上被施加相同的栅电压；以及栅电压控制电路，其根据通过所述电流检测电路检测出的电流值来控制所述电流控制用MOS晶体管的栅电压，该电流控制电路能够得到所述栅电压控制电路的输出被施加在所述第一电流控制用MOS晶体管以及第一电流检测用MOS晶体管的控制端子的第一控制状态、或所述栅电压控制电路的输出被施加在所述第二电流控制用MOS晶体管以及第二电流检测用MOS晶体管的控制端子的第二控制状态。根据上述单元，通过用电流反射镜方式检测流过电流控制用MOS晶体管的电流， 能够减少电流-电压转换单元(检测电阻)中的电力损失，并且通过设定为第一电流-电压转换单元和第二电流-电压转换单元的电流检测范围不同，即使在扩大可控制的充电电流范围的情况下，也能够进行正确的电流控制。另外，理想的是，具备第一切换电路，其能够将通过所述第一以及第二电流-电压转换单元转换后的电压选择性地供给给所述栅电压控制电路；第二切换电路，其能够将所述栅电压控制电路的输出选择性地供给给所述第一电流控制用MOS晶体管以及第一电流检测用MOS晶体管的控制端子、或所述第二电流控制用 MOS晶体管以及第二电流检测用MOS晶体管的控制端子；以及切换控制电路，其将通过所述第一以及第二电流-电压转换单元转换后的电压作为输入，生成所述第一以及第二切换电路的切换控制信号。这样，通过设置第一切换电路和第二切换电路，能够使栅电压控制电路在第一控制状态和第二控制状态下均能工作，能够抑制电路规模的增大。另外，理想的是，在所述第一及第二电流检测用MOS晶体管和所述第一及第二电流-电压转换单元之间，分别设有可进行接通、断开切换的第一及第二开关单元，向所述第一电流检测用MOS晶体管的控制端子供给了所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元为接通状态，且所述第二开关单元成为断开状态，向所述第二电流检测用MOS晶体管的控制端子供给所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元为断开状态，且所述第二开关单元成为接通状态。如上所述，通过在第一及第二电流检测用MOS晶体管和第一及第二电流-电压转换单元之间，分别设置可进行接通、断开切换的第一及第二开关单元，在使一电流检测系统工作期间，在另一电流检测系统中不会流过检测用电流，能够防止无用的电流流过。另外，理想的是，所述电流检测电路如下构成，即、具备第一以及第二运算放大电路，其将所述第一及第二电流控制用MOS晶体管的漏极电压和所述第一及第二电流检测用MOS晶体管的漏极电压作为输入，第一以及第二偏置状态控制用晶体管，其被连接在所述第一以及第二电流检测用 MOS晶体管、和与接地点连接的所述第一以及第二电流-电压转换单元之间，通过所述第一以及第二运算放大电路的输出分别被施加在所述第一以及第二偏置状态控制用晶体管的控制端子上，所述第一以及第二电流控制用MOS晶体管和所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管的漏电压分别为同电位。由此，电流控制用MOS晶体管和电流检测用MOS晶体管的偏置条件变得相同，可流过高精度的电流比的电流，提高了电流检测精度。另外，理想的是具备监视被输入到所述电压输入端子的电压的电压监视单元，其中，在所述电压监视单元检测到被输入所述电压输入端子的电压成为预定电压以下的情况下，生成用于使包含所述电流检测电路及所述栅电压控制电路的内部电路动作的电源电压的内部调节器、或者使所述电流检测电路以及使所述栅电压控制电路中流过动作电流的电流源成为断开状态。由此，能够避免在输入电压变为预定电压以下时，使电流控制电路的动作停止，在电流控制用晶体管的源漏极之间的电压差变得非常小，因差动放大器的偏置电压等的影响，不能正确地检测充电电流并进行电流控制的情形。根据本发明，具有如下效果在用电流反射镜方式进行检测出流过电流控制用 MOS晶体管的电流而控制充电电流的电流控制电路中，具有即使在扩大可控制的充电电流范围的情况下，也能达到进行正确的电流控制。
图1是表示应用本发明的电流控制电路的充电控制用IC及使用该充电控制用IC 的充电单元的一实施方式的电路构成图；图2是表示伴随入射至实施方式的充电控制用IC中的太阳能电池的日射量的变化的充电电流IC的变化、选择器的选择状态和设定为接通状态的晶体管的关系的曲线图；图3是表示现有(图6)的充电控制用IC及本发明的实施方式的充电控制用IC 中的充电电流IC及检测电流Isl的变化、充电电流IC及检测电流Is2的变化、电流检测电压Vrl，Vr2的变化、一次侧和二次侧的电池的电压差vql，Vq2的变化的图表；图4是表示实施方式的充电控制用IC的第一变形例的电路构成图；图5是表示实施方式的充电控制用IC的第二变形例的电路构成图；图6是表示现有的充电控制电路的一例的电路构成图；图7是表示图6的现有的充电控制用IC中的充电电流IC的变化、电流检测电压的变化、一次侧和二次侧的电池的电压差的变化的曲线图。
符号说明10充电控制用IC11栅电压控制电路12电流检测电路14，15 选择器16切换控制电路17比较器(电压监视单元)18内部调节器20 一次电源(太阳能电池)30 二次电池Ql 1，Ql2电流控制用MOS晶体管
Q21，Q22电流检测用MOS晶体管Q31，Q32偏置状态控制用晶体管Rpl, Rp2电流-电压转换单元(电流检测用电阻)
具体实施例方式下面，基于附图对本发明的最佳实施方式进行说明。图1表示应用本发明的电流控制电路的二次电池的充电控制用IC的一实施方式及使用充电控制用IC的充电单元的概略构成。如图1所示，该实施方式的充电单元具备例如太阳能电池这样的一次电源20、和通过由该一次电源20输入的直流电压Vin对如锂离子电池这样的二次电池30进行充电的充电控制用IC10。充电控制用IClO具备输入了来自一次电源20的直流电压Vin的电压输入端子 VIN、作为连接有充电对像的二次电池30的输出端子的蓄电池端子BAT、由被设在所述电压输入端子VIN和蓄电池端子BAT之间的P沟道MOSFET构成的并联形式的电流控制用MOS 晶体管Q11，Q12、生成Q11，Q12的栅极控制电压的栅电压控制电路11、用电流反射镜方式检测电流控制用MOS晶体管Qll，Q12的电流的电流检测电路12。晶体管Qll和Q12尺寸分别不同。另外，电流检测电路12具备构成电流控制用MOS晶体管Qll和电流反射镜电路的电流检测用MOS晶体管Q21及构成电流控制用MOS晶体管Q12和电流反射镜电路的电流检测用MOS晶体管Q22、与电流检测用MOS晶体管Q21，Q22分别串联连接的偏置状态控制用 MOS晶体管Q31，Q32、输出与检测电流对应的电压的误差放大器AMP1，AMP2。偏置状态控制用MOS晶体管Q31，Q32的漏极端子，分别与在芯片外部连接有电流检测用电阻Rpl，Rp2的外部端子P1，P2连接，通过电阻Rpl，Rp2将流过晶体管Q21，Q22的电流转换成电压。另外， 严格来讲，电阻Rpl，Rp2也构成电流检测电路12的一部分。电流检测用MOS晶体管Q21，栅极宽度具有上述电流控制用MOS晶体管Qll的1/ N大小(尺寸)，源极端子与上述电压输入端子VIN连接，与Qll相同的电压被施加在控制端子(栅极端子)上，因此，Qll流过漏极电流的1/N大小的电流。另外，在电流检测用MOS 晶体管Q22中，栅极宽度具有上述电流控制用MOS晶体管Q12的1/N大小(尺寸)，源极端子与所述电压输入端子VlN连接，与Q12相同的电压被施加在控制端子(栅极端子)上，因此，Q12流过漏极电流的1/N大小的电流。尺寸比N能够设定为例如数100 数1000左右的值，由此，能够使流过电流检测用MOS晶体管Q21、Q22的电流非常小，能够降低电流检测用电阻(Rpl，Rp2)中的损失。误差放大器AMPl将电流控制用MOS晶体管Ql 1的漏极电压和电流检测用MOS晶体管Q21的漏极电压作为输入，将与其电势差对应的电压施加在偏置状态控制用MOS晶体管Q31的栅极端子上，使Q21的偏置状态即源漏极间的电压与Qll的源漏极间的电压相同， 由此在Q21中流过与Qll的漏极电流更加正确地成比例的电流。另外，误差放大器AMP2将电流控制用MOS晶体管Q12的漏极电压和电流检测用 MOS晶体管Q22的漏极电压作为输入，将与其电位差对应的电压施加在偏置状态控制用MOS 晶体管Q32的栅极端子上，使Q22的偏置状态即源漏极间的电压与Q12的源漏极间的电压相同，由此在Q22中流过与Q12的漏极电流更加正确地成比例的电流。在该实施方式的充电控制用IClO中，将晶体管Qll，Q12的尺寸设定为Qll > Q12， 另一方面，将连接于外部端子P1，P2上的电阻Rpl，Rp2的电阻值设定为Rpl < Rp2。另外， 充电电流较大时，经由电流检测用MOS晶体管Q21在电阻Rpl中流过电流，充电电流较小时，经由电流检测用MOS晶体管Q22在电阻Rp2中流过电流。由此，充电电流较大时，在电阻Rpl中流动的电流转换为电压时，电压不会变得过高，充电电流较小时，在电阻Rp2中流动的电流转换为电压时，电压不会变得过低。而且，充电控制用IClO具备误差放大器AMP3和栅电压控制用晶体管Q4，该误差放大器AMP3输出与由电阻Rpl或Rp2进行电流-电压转换后的电压和参照电压Vref3的电位差相对应的电压，该栅电压控制用晶体管Q4连接在电流控制用MOS晶体管Q11，Q12的栅极端子和接地点之间。通过误差放大器AMP3的输出电压被施加在栅电压控制用晶体管Q4 的栅极端子上，根据检测电流值来控制电流控制用MOS晶体管Q11，Q12的栅电压。即，由误差放大器AMP3和晶体管Q4构成栅电压控制电路11。在电流控制用MOS晶体管Qll，Q12的栅极端子和输入端子之间，连接有高电阻值的电阻Rcl，Rc2，晶体管Q4的漏电流流过Rcl，Rc2而转换为电压，该电压被施加在Ql 1，Q12 的栅极端子上，因此，被控制成与误差放大器AMP3的输出电压相对应的电流流过电流控制用MOS晶体管Q11，Q12。另外，在充电控制用IClO中，设有用于向误差放大器AMP3选择性地供给由电阻 Rpl，Rp2转换后的电流检测电压Vsl或Vs2的选择器14、用于向电流控制用MOS晶体管Qll 及电流检测用晶体管Q21的栅极端子或电流控制用MOS晶体管Q12及电流检测用晶体管 Q22的栅极端子选择性地供给误差放大器AMP3的输出电压的选择器15、监视通过电阻Rpl， Rp2转换后的电压Vrl，Vr2并生成上述选择器14及15的切换控制信号Sl的切换控制电路16。切换控制电路16可以由将通过电阻Rpl，Rp2转换后的电压与预定的参照电压进行比较的两个比较器、和基于这些比较器的输出而生成切换控制信号Si的逻辑电路构成。下面，使用图2及图3对基于上述切换控制信号Sl的选择器14及15的切换控制动作进行说明。图2表示假定入射至太阳能电池00)的日射量随时间的变化而增加，之后减少时
8的充电电流IC的变化、选择器14，15的选择状态和设定为接通状态的晶体管的关系。在充电电流IC低于预定电流Ir的期间B内，选择器14，15被切换控制成选择了图1中的b端子，向误差放大器AMP3供给通过电阻Rp转换后的电流检测电压Vr2，晶体管 Q4的漏极电压被施加在Q12，Q22的栅极端子，将尺寸小的电流控制用MOS晶体管Q12及电流检测电流用MOS晶体管Q22设定为接通状态。由此，来自输入端子IN的电流通过Q12流动至蓄电池端子BAT，给二次电池30充电，并且流过电阻值高的电阻Rp2，即使电流值稍有减小，在外部端子P2上也会产生比电流检测用放大器AMP1，AMP2的偏置量还高的电压，且向误差放大器AMP3供给。其结果是，即使在充电电流小的状态下，也可进行电流检测电路12的高精度的电流控制。另一方面，在充电电流IC比预定恒流Ir还高的期间A内，选择器14，15被切换控制成选择图1中的a端子，向误差放大器AMP3供给通过电阻Rpl转换后的电流检测电压 Vsl,晶体管Q4的漏极电压被施加在Q11，Q21的栅极端子，将尺寸大的电流控制用MOS晶体管Qll及电流检测电流用MOS晶体管Q21设定为接通状态。由此，来自输入端子VIN的电流通过Qll向蓄电池端子BAT流动，二次电池30被充电，并且流过电阻值低的电阻Rpl，即使电流值较大，在外部端子Pl上也会产生比较低的电压，而供给给误差放大器AMP3。结果，即使在充电电流较大的状态下，也不会电流检测电压Vrl变成大于输入电压Vin而被固定在Vin，也可以贯穿较宽的电流范围进行电流检测电路12的高精度的电流控制。具体而言，如在图3(C)用实线表示的那样，通过电阻Rp2转换后的检测电压Vr2 变得比现有的检测电压VrO(虚线)还高，如在图3(C)中用虚线表示的那样，通过电阻Rpl 转换后的检测电压Vrl变得比现有的检测电压VrO (虚线)还低，因此存在充电可控范围与以前相比向充电电流小的区域及充电电流大的区域两者扩展的优点。图4中表示有上述实施方式的充电控制用IClO的变形例。如图4所示，该变形例在偏置状态控制用MOS晶体管Q31，Q32和连接有电流检测用电阻Rpl，Rp2的外部端子Pl， P2之间设置接通/断开开关SW1，SW2，根据来自切换控制电路16的控制信号S2及其反转信号，互补性地进行接通/断开。具体而言，进行控制以使在选择器14，15根据来自切换控制电路16的控制信号Sl 选择a端子时，开关SWl设定为接通状态、开关SW2设定为断开状态；在选择器14，15选择 b端子时，开关SW2设定为接通状态、开关SWl设定为断开状态的方式进行控制。由此，在不使用的一侧的电流检测用电阻Rpl，Rp2中不会流过无效的电流。另外，在该变形例的充电控制用IClO中设有监视输入电压Vin的比较器(电压监视单元)17，当输入电压Vin变为预定电压(相当于图3的充电可控范围的下限的电压)以下时，使IC内部的生成电源电压的内部调节器18的动作停止。由此，在输入电压Vin降低至相当于充电可控范围的下限的电压以下的情况下，防止流过充电电流，能够避免IC在充电可控范围外动作。另外，在图4的变形例中，当输入电压Vin变为预定电压以下时，使内部调节器18 的动作停止，但也可以是使上述电流检测电路及上述栅电压控制电路中流过动作电流的电流源(放大器的电流源等)被设定为断开状态。在图5中，表示上述实施方式的充电控制用IClO的第二变形例。
在第二变形例中，代替将电流控制用MOS晶体管Q11，Q12的尺寸设为Qll > Q12， 将Q11+Q12的尺寸设定为与图1的晶体管Qll的尺寸相同，并且在Qll的栅极端子和晶体管Q4之间设置接通/断开开关SW3，当选择器14，15选择a端子时，将开关SW3控制为接通状态，当选择器14，15选择b端子时，将开关SW3控制为接通状态。S卩，在该变形例中，进行如下控制，S卩、充电电流较多时，电流控制用MOS晶体管 Qll和Q12两者被设定为接通状态，充电电流较少时，只有电流控制用MOS晶体管Q12被设定为接通状态。以上对本发明的一实施方式进行了叙述，但本发明不限定于上述实施方式，也可以进行各种变更。例如，在上述实施方式中，虽然是在将电流控制用MOS晶体管Qll和电流检测用MOS晶体管Q21的尺寸比及电流控制用MOS晶体管Q12和电流检测用MOS晶体管 Q22的尺寸比设定为相同(1/N)时进行了说明，但晶体管Qll和Q21的尺寸比与Q12和Q22 的尺寸比也可以不同，只要Qll > Q21，Q12 > Q22即可。另外，在上述实施方式中，虽然说明了分别设置两个并联形式的电流控制用MOS 晶体管和电流检测用MOS晶体管，但也可以并联设置三个以上这些晶体管，在互相不同的电流范围内工作。另外，在上述实施方式中，虽然将电流控制用MOS晶体管Qll和电流检测用MOS晶体管Q21的共同连接侧(输入端子VIN侧)预定为源极端子，将与其相对的一侧规定为漏极端子，但也可以将Qll和Q21的共同连接侧(输入端子VIN侧)看作漏极端子，将与其相对一侧看作源极端子，本发明包含这样规定的情况。另外，在上述实施方式及变形例的电流检测电路12中，虽然作为与偏置状态控制用晶体管Q31，Q32串联连接的电流-电压转换用电阻Rpl，Rp2使用外置电阻，但也可以使用在芯片内形成的片内的电阻元件。另外，电流-电压转换单元不限定于电阻，也可以为使用晶体管等的电路。另外，在上述实施方式中，虽然作为偏置状态控制用晶体管Q31，Q32使用M0SFET， 但也可以使用双极晶体管。另外，在此情况下，使用的双极晶体管可以不是纵向晶体管，而是用CMOS工艺可形成的横向晶体管。虽然在以上的说明中说明了将本发明应用在将太阳能电池作为一次电源而构成充电单元的电流控制电路的例子进行了说明，但本发明不限于此，也能够利用于风力发电机或波力发电机等利用了存在于自然界的力进行发电的单元，即、将发电量变动大的发电机作为一次电源的充电单元的电流控制电路或串联调节器这样的直流电源电路的电流控制电路。
权利要求
1.一种电流控制电路，其特征在于， 具备并联形式的第一以及第二电流控制用MOS晶体管，其连接在电压输入端子和输出端子之间、并控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；电流检测电路，其具有第一以及第二电流检测用MOS晶体管、和分别连接有与所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管串联连接的第一以及第二电流-电压转换单元的端子， 该第一以及第二电流检测用MOS晶体管的源极端子分别与所述第一以及第二电流控制用 MOS晶体管的源极端子连接、且具有比这些晶体管小的尺寸、栅极端子上被施加相同的栅电压；以及栅电压控制电路，其根据通过所述电流检测电路检测出的电流值来控制所述电流控制用MOS晶体管的栅电压，该电流控制电路能够得到所述栅电压控制电路的输出被施加在所述第一电流控制用 MOS晶体管以及第一电流检测用MOS晶体管的控制端子的第一控制状态、或所述栅电压控制电路的输出被施加在所述第二电流控制用MOS晶体管以及第二电流检测用MOS晶体管的控制端子的第二控制状态。
2.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，具备第一切换电路，其能够将通过所述第一以及第二电流-电压转换单元转换后的电压选择性地供给给所述栅电压控制电路；第二切换电路，其能够将所述栅电压控制电路的输出选择性地供给给所述第一电流控制用MOS晶体管以及第一电流检测用MOS晶体管的控制端子、或所述第二电流控制用MOS 晶体管以及第二电流检测用MOS晶体管的控制端子；以及切换控制电路，其将通过所述第一以及第二电流-电压转换单元转换后的电压作为输入，生成所述第一以及第二切换电路的切换控制信号。
3.根据权利要求1所述的电流控制电路，其特征在于，在所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管和所述第一以及第二电流-电压转换单元之间分别设有能够进行接通、断开切换的第一以及第二开关单元，在向所述第一电流检测用MOS晶体管的控制端子供给了所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元成为接通状态、且所述第二开关单元成为断开状态，在向所述第二电流检测用MOS晶体管的控制端子供给了所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元成为断开状态、且所述第二开关单元成为接通状态。
4.根据权利要求2所述的电流控制电路，其特征在于，在所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管和所述第一以及第二电流-电压转换单元之间分别设有能够进行接通、断开切换的第一以及第二开关单元，在向所述第一电流检测用MOS晶体管的控制端子供给了所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元成为接通状态、且所述第二开关单元成为断开状态，在向所述第二电流检测用MOS晶体管的控制端子供给了所述栅电压控制电路的输出时，所述第一开关单元成为断开状态、且所述第二开关单元成为接通状态。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的电流控制电路，其特征在于， 所述电流检测电路具备第一以及第二运算放大电路，其将所述第一以及第二电流控制用MOS晶体管的漏电压和所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管的漏电压作为输入；以及第一以及第二偏置状态控制用晶体管，其被连接在所述第一以及第二电流检测用MOS 晶体管、和与接地点连接的所述第一以及第二电流-电压转换单元之间，通过所述第一以及第二运算放大电路的输出分别被施加在所述第一以及第二偏置状态控制用晶体管的控制端子上，所述第一以及第二电流控制用MOS晶体管和所述第一以及第二电流检测用MOS晶体管的漏电压分别为同电位。
6.根据权利要求1 4中任一项所述的电流控制电路，其特征在于，具备监视输入至所述电压输入端子的电压的电压监视单元，在所述电压监视单元检测到输入至所述电压输入端子的电压成为预定电压以下的情况下，生成用于使包含所述电流检测电路以及所述栅电压控制电路的内部电路工作的电源电压的内部调节器、或使所述电流检测电路以及所述栅电压控制电路中流过工作电流的电流源成为断开状态。
7.如权利要求5所述的电流控制电路，其特征在于，具备监视输入至所述电压输入端子的电压的电压监视单元，在所述电压监视单元检测到输入至所述电压输入端子的电压成为预定电压以下的情况下，生成用于使包含所述电流检测电路以及所述栅电压控制电路的内部电路工作的电源电压的内部调节器、或使所述电流检测电路以及所述栅电压控制电路中流过工作电流的电流源成为断开状态。
全文摘要
一种电流控制电路，其用电流反射镜方式检测流过电流控制用MOS晶体管的电流并控制充电电流，即使在扩大可控制的充电电流范围的情况下，也可进行正确的电流控制。该电流控制电路分别设置多组电流控制用MOS晶体管、和具备与该晶体管电流反射镜连接的电流检测用晶体管及与其串联连接的电流-电压转换单元的电流检测系，根据流过电流控制用晶体管的充电电流的大小切换电流检测系而使其动作。
文档编号H02M3/157GK102447287SQ20111037253
公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月30日 优先权日2010年10月1日
发明者吉国雅人, 大原智光 申请人:三美电机株式会社