高压启动电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种高压启动电路，包括启动电容、检测及控制电路、充电开关器件、偏置电路。所述检测及控制电路检测所述启动电容的电压，在所述电压低于一个电压阈值时，控制所述偏置电路给所述充电开关器件提供偏置电压，以使得充电开关器件导通，进而使得电源通过充电开关器件给所述启动电容充电，否则，控制所述偏置电路不给所述充电开关器件提供偏置电压，以使得充电开关器件关断，进而使得电源停止给所述启动电容充电。本发明由于无需外置电阻，且系统集成度高，在降低启动时间的同时也降低了待机功耗，具有高性能低温漂特性，不但有助于维持启动电路的电流稳定，而且能提高电路的可靠性与稳定性。
【专利说明】高压启动电路
【技术领域】
[0001] 本发明属于集成电路【技术领域】，具体涉及一种电源转换器中使用的具有恒流低温 漂特性的高压启动电路。
【背景技术】
[0002] 众所周知，集成电路的核心组成部分芯片的正常运行对保证电路的整体工作效果 有着重要的作用。随着芯片的广泛应用，人们对芯片的启动要求越来越高，如要求启动时间 快、损耗低和成本低等，而更为重要的是要求芯片启动过程满足一定的稳定性，以保证芯片 的正常启动和稳定运行。
[0003] 目前常见的用高压器件设计电源管理类芯片的启动电路，一般采用外置启动电阻 的方法，实现从高压取电，完成降压和芯片的启动。请参考图1所述的电源管理类芯片的启 动应用电路图，其中，1为整流器，2为滤波器，先将市电整流，再进行滤波，得到直流电平，3 为外置启动电阻，4为启动电容，5为电源管理芯片，所述电源管理芯片5通过启动电阻4从 直流线网取电，为启动电容4充电，当启动电容4电平达到启动电压时，芯片开始工作。由 此可以看出来，启动电阻3上的电流并不能被关断，而这是一路持续消耗的电流，功率由高 压线网的输入电压和启动电阻3共同决定，
【权利要求】
1. 一种高压启动电路，其特征在于，其包括： 启动电容； 检测及控制电路，其检测所述启动电容的电压，并且所述电压高于一个电压阈值时，输 出完成启动控制信号，否则输出非完成启动控制信号； 充电开关器件，其一个连接端与电源端HVDC相连，另一个连接端与所述启动电容相 连，其控制端能够控制所述充电开关器件的导通和关断； 偏置电路，其与电源端HVDC相连接，其给所述充电开关器件的控制端提供偏置电压， 并接收来自所述检测及控制电路的控制信号； 其中，在来自所述检测及控制电路的控制信号为非完成启动控制信号且所述电源端 HVDC与电源连接时，所述偏置电路给所述充电开关器件的控制端提供一个偏置电压以使得 所述充电开关器件导通，此时所述电源通过所述充电开关器件给所述启动电容充电， 在来自所述检测及控制电路的控制信号为完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电 源连接时，所述偏置电路给所述充电开关器件的控制端提供另一个偏置电压以使得所述充 电开关器件关断，此时所述电源不能通过所述充电开关器件给所述启动电容充电。
2. 如权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：其还包括有控制开关管，其一个连 接端作为所述电源端HVDC，另一个连接端与所述偏置电路和所述充电开关器件相连，其控 制端接地，在所述电源连接至所述电源端HVDC时，所述控制开关管导通。
3. 如权利要求2所述的高压启动电路，其特征在于：所述控制开关管为N型结型场效 应晶体管，其栅极接地，漏极接所述电源端HVDC，源极接与所述偏置电路和所述充电开关器 件相连。
4. 如权利要求3所述的高压启动电路，其特征在于：所述充电开关器件为第一 MOS晶 体管，其漏极与所述N型结型场效应晶体管的源极相连，其源极与启动电容的一端相连，其 栅极与所述偏置电路的输出端相连。
5. 如权利要求4所述的高压启动电路，其特征在于：所述偏置电路包括：第一电阻型器 件、第二电阻型器件、第三电阻型器件、第四电阻型器件、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管 和双极型晶体管， 双极型晶体管的集电极通过第一电阻型器件与所述N型结型场效应晶体管的源极相 连，其发射极通过第三电阻型器件接地， 第二MOS晶体管的漏极通过第二电阻型器件与所述N型结型场效应晶体管的源极相 连，其源极通过第四电阻型器件接地，其漏极作为所述偏置电路的输出端与第一 MOS晶体 管的栅极相连，其源极还与双极型晶体管的基极相连， 第三MOS晶体管的漏极与双极型晶体管的集电极相连，其源极接地，其栅极接收自所 述检测及控制电路的控制信号， 在来自所述检测及控制电路的控制信号为非完成启动控制信号且所述电源端HVDC与 电源连接时，第三MOS晶体管截止，第二MOS晶体管和双极型晶体管导通，从而使得第一MOS 晶体管导通； 在来自所述检测及控制电路的控制信号为完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电 源连接时，第三MOS晶体管导通，第二MOS晶体管和双极型晶体管关断，从而使得第一 MOS 晶体管关断。
【文档编号】H02M1/36GK104518654SQ201310466177
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年10月8日 优先权日:2013年10月8日
【发明者】张楠 申请人:无锡华润上华半导体有限公司