一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统的制作方法

文档序号:7393488阅读:265来源:国知局
一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:由变压器T,整流滤波电路,与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路,与双闭环控制电路相连的微调电路,与变压器T副边相连的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的稳压电路,与稳压电路输出端相连的运算放大电路,以及与运算放大电路输出端相连的输出电路组成;双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连;所述的线性驱动电路由驱动芯片U2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,正极与变压器T副边电感线圈L3的同名端相连、负极经电阻R16后与驱动芯片U2的IN1管脚相连接的极性电容C10等组成。本发明采用线性驱动电路,使调速系统更稳定。
【专利说明】一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统

【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域,具体是指一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统。

【背景技术】
[0002]目前,在许多生产活动中都已经使用机械化,由于机械加工和运行的要求,使电动机经常处于启动、制动、反转的过渡过程中,因此启动和制动过程中的时间在很大程度上决定了机械的生产效率。为了缩短这一部分的时间,目前均使用比例积分调节器的转速负反馈单闭环调速系统来实现。但是现有的调速系统其动、静态性能不是很好,稳定性不高,容易受到电网的干扰,从而对机械的转速产生影响。


【发明内容】

[0003]本发明的目的在于克服目前生产机械用的调速系统稳定性不高,对机械的转速产生影响的缺陷,提供一种动、静态性能良好,稳定性高的基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,由变压器T,整流滤波电路,与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路,与双闭环控制电路相连的微调电路,与变压器T副边相连的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的稳压电路,与稳压电路输出端相连的运算放大电路,以及与运算放大电路输出端相连的输出电路组成;双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连;
[0005]所述的线性驱动电路由驱动芯片U2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,正极与变压器T副边电感线圈L3的同名端相连、负极经电阻R16后与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C10,一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的基极相连接的电阻Rl7,正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C12,正极与驱动芯片U2的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C11,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R20,一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R19,N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6,正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K,一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R21后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R22,P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R21和电阻R22的连接点相连接的二极管D7组成;所述驱动芯片U2的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接,三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接,三极管VT3的集电极接地,二极管D7的N极与稳压电路相连接。
[0006]所述的整流滤波电路包括熔断器FUl,熔断器FU2,二极管桥式整流器U,电容CO ;熔断器FUl和熔断器FU2分别与二极管桥式整流器U的两个输入端相连,电容CO的一端同时与二极管桥式整流器U的一个输出端以及双闭环控制电路相连接、另一端接地;所述的二极管桥式整流器U的另一输出端接地。
[0007]所述的双闭环控制电路由控制芯片Ul,场效应管MOS,一端与电容CO相连、另一端经电位器R5后与控制芯片Ul的VCC管脚相连的电阻R4,N极与电阻R4和电位器R5的连接点相连、P极与变压器T原边电感线圈L2的同名端相连的二极管D1,一端与二极管Dl的N极相连、另一端接地的电容Cl,一端与二极管Dl的N极相连、另一端经电阻R2后接地的电阻Rl,一端与控制芯片Ul的COMP管脚相连、另一端与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接的电容C2,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连、另一端接地的电容C3,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连接、另一端经电容C4后与电容C3相并联电阻R3,一端与控制芯片Ul的⑶管脚相连、另一端与场效应管MOS的栅极相连的电阻R7,一端与场效应管MOS的栅极相连、另一端接地的电阻R8,一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端经电阻RlO后接地的电阻R9,以及一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端接地的电容C5组成;所述场效应管MOS的漏极分别与变压器T原边电感线圈LI的非同名端和电感线圈L2的同名端相连,其源极则与电阻R9和电阻RlO的连接点相连接;控制芯片Ul的VFB管脚与电阻Rl和电阻R2的连接点相连,其RC管脚与电阻R3和电容C4的连接点相连,其GND管脚接地;所述变压器T原边电感线圈L2的非同名端接地。
[0008]所述的微调电路由二极管D2,电容C6,电阻R6组成;二极管D2的N极经电容C6和电阻R6后回到其P极;所述二极管D2的P极同时与电容CO和电阻R4的连接点以及变压器T原边电感线圈LI的同名端相连,其N极则与变压器T原边电感线圈LI的同名端相连;电阻R6和电容C6的连接点与变压器T原边电感线圈LI的非同名端相连。
[0009]所述的稳压电路由稳压二极管D4,电阻R11,电容C7,二极管D3组成;稳压二极管D4的N极经电阻Rl I和电容C7后回到其P极;二极管D3的N极与电阻Rl I和电容C7的连接点相连,其P极则与变压器T副边电感线圈L3的非同名端相连;稳压二极管D4的N极还与输出电路相连,其P极则同时与输出电路以及二极管D7的N极相连接。
[0010]所述的运算放大电路包括运算放大器P1,运算放大器P2,电阻R13,电阻R12,二极管D5,电容C8,电容C9 ;运算放大器Pl的负极顺次经电阻Rl3和二极管D5以及电容C8后接地,其正极与稳压二极管D4的P极相连,输出极则与运算放大器P2的正极相连;所述运算放大器P2的负极与其输出极相连;电阻R12串接在运算放大器Pl的正极和输出极之间;电容C9的一端与运算放大器P2的输出端相连,其另一端则同时与稳压二极管D4的P极和输出电路相连。
[0011]所述的输出电路由三极管VTl,三极管VT2,以及一端与三极管VT2的集电极相连、另一端则经电阻R14后与稳压二极管D4的N极相连的电阻R15组成;所述三极管VT2的基极与稳压二极管D4的N极相连,发射极接地;三极管VTl的基极与稳压二极管D4的P极相连,其集电极与三极管VT2的基极相连,其发射极则与三极管VT2的发射极相连。
[0012]所述的驱动芯片U2为LM387集成芯片。
[0013]本发明较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:
[0014](I)本发明采用线性驱动电路,使调速系统更稳定。
[0015](2)本发明采用双闭环控制电路,通过其作用使系统更稳定,可以抑制电网干扰对电动机转速的影响,使电动机启动、制动、反转更顺畅,提高生产效率。
[0016](3)本发明的双闭环控制电路还可以作为开关电源电路使用,对系统有保护作用,防止因电压过高对系统及电动机造成损害。

【专利附图】

【附图说明】
[0017]图1为本发明的整体结构示意图。
[0018]图2为本发明线性驱动电路的结构示意图。

【具体实施方式】
[0019]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示,本发明的基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,由变压器T,整流滤波电路,与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路,与双闭环控制电路相连的微调电路,与变压器T副边相连的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的稳压电路,与稳压电路输出端相连的运算放大电路,以及与运算放大电路输出端相连的输出电路组成;双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连.
[0022]如图2所示,所述的线性驱动电路由驱动芯片U2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,正极与变压器T副边电感线圈L3的同名端相连、负极经电阻R16后与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C10,一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的基极相连接的电阻R17,正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C12,正极与驱动芯片U2的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C11,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R20,一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R19,N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6,正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K,一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R21后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R22,P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R21和电阻R22的连接点相连接的二极管D7组成;所述驱动芯片U2的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接,三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接,三极管VT3的集电极接地,二极管D7的N极与稳压电路相连接。本发明采用线性驱动电路,使调速系统更稳定。为了保证实施效果,所述的驱动芯片U优选为LM387集成芯片,其灵敏度高、并且价格便宜。
[0023]所述的整流滤波电路包括熔断器FUl,熔断器FU2,二极管桥式整流器U,电容CO ;熔断器FUl和熔断器FU2分别与二极管桥式整流器U的两个输入端相连,电容CO的一端同时与二极管桥式整流器U的一个输出端以及双闭环控制电路相连接、另一端接地;所述的二极管桥式整流器U的另一输出端接地。
[0024]所述的双闭环控制电路由控制芯片Ul,场效应管MOS,一端与电容CO相连、另一端经电位器R5后与控制芯片Ul的VCC管脚相连的电阻R4,N极与电阻R4和电位器R5的连接点相连、P极与变压器T原边电感线圈L2的同名端相连的二极管D1,一端与二极管Dl的N极相连、另一端接地的电容Cl,一端与二极管Dl的N极相连、另一端经电阻R2后接地的电阻Rl,一端与控制芯片Ul的COMP管脚相连、另一端与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接的电容C2,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连、另一端接地的电容C3,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连接、另一端经电容C4后与电容C3相并联电阻R3,一端与控制芯片Ul的⑶管脚相连、另一端与场效应管MOS的栅极相连的电阻R7,一端与场效应管MOS的栅极相连、另一端接地的电阻R8,一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端经电阻RlO后接地的电阻R9,以及一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端接地的电容C5组成;所述场效应管MOS的漏极分别与变压器T原边电感线圈LI的非同名端和电感线圈L2的同名端相连,其源极则与电阻R9和电阻RlO的连接点相连接;控制芯片Ul的VFB管脚与电阻Rl和电阻R2的连接点相连,其RC管脚与电阻R3和电容C4的连接点相连,其GND管脚接地;所述变压器T原边电感线圈L2的非同名端接地。
[0025]所述的微调电路由二极管D2,电容C6,电阻R6组成;二极管D2的N极经电容C6和电阻R6后回到其P极;所述二极管D2的P极同时与电容CO和电阻R4的连接点以及变压器T原边电感线圈LI的同名端相连,其N极则与变压器T原边电感线圈LI的同名端相连;电阻R6和电容C6的连接点与变压器T原边电感线圈LI的非同名端相连。
[0026]所述的稳压电路由稳压二极管D4,电阻R11,电容C7,二极管D3组成;稳压二极管D4的N极经电阻Rl I和电容C7后回到其P极;二极管D3的N极与电阻Rl I和电容C7的连接点相连,其P极则与变压器T副边电感线圈L3的非同名端相连;稳压二极管D4的N极还与输出电路相连,其P极则同时与输出电路以及二极管D7的N极相连接。
[0027]所述的运算放大电路包括运算放大器P1,运算放大器P2,电阻R13,电阻R12,二极管D5,电容C8,电容C9 ;运算放大器Pl的负极顺次经电阻Rl3和二极管D5以及电容C8后接地,其正极与稳压二极管D4的P极相连,输出极则与运算放大器P2的正极相连;所述运算放大器P2的负极与其输出极相连;电阻R12串接在运算放大器Pl的正极和输出极之间;电容C9的一端与运算放大器P2的输出端相连,其另一端则同时与稳压二极管D4的P极和输出电路相连。
[0028]所述的输出电路由三极管VTl,三极管VT2,以及一端与三极管VT2的集电极相连、另一端则经电阻R14后与稳压二极管D4的N极相连的电阻R15组成;所述三极管VT2的基极与稳压二极管D4的N极相连,发射极接地;三极管VTl的基极与稳压二极管D4的P极相连,其集电极与三极管VT2的基极相连,其发射极则与三极管VT2的发射极相连。
[0029]如上所述,便可以很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:由变压器T,整流滤波电路,与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路,与双闭环控制电路相连的微调电路,与变压器T副边相连的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的稳压电路,与稳压电路输出端相连的运算放大电路,以及与运算放大电路输出端相连的输出电路组成;双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连; 所述的线性驱动电路由驱动芯片U2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,正极与变压器T副边电感线圈L3的同名端相连、负极经电阻R16后与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C10,一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的基极相连接的电阻R17,正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C12,正极与驱动芯片U2的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C11,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R20,一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R19,N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6,正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K,一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R21后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R22,P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R21和电阻R22的连接点相连接的二极管D7组成;所述驱动芯片U2的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接,三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接,三极管VT3的集电极接地,二极管D7的N极与稳压电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的整流滤波电路包括熔断器FUl,熔断器FU2,二极管桥式整流器U,电容CO ;熔断器FUl和熔断器FU2分别与二极管桥式整流器U的两个输入端相连,电容CO的一端同时与二极管桥式整流器U的一个输出端以及双闭环控制电路相连接、另一端接地;所述的二极管桥式整流器U的另一输出端接地。
3.根据权利要求2所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的双闭环控制电路由控制芯片Ul,场效应管M0S,一端与电容CO相连、另一端经电位器R5后与控制芯片Ul的VCC管脚相连的电阻R4,N极与电阻R4和电位器R5的连接点相连、P极与变压器T原边电感线圈L2的同名端相连的二极管D1,一端与二极管Dl的N极相连、另一端接地的电容Cl,一端与二极管Dl的N极相连、另一端经电阻R2后接地的电阻R1,一端与控制芯片Ul的COMP管脚相连、另一端与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接的电容C2,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连、另一端接地的电容C3,一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连接、另一端经电容C4后与电容C3相并联电阻R3,一端与控制芯片Ul的⑶管脚相连、另一端与场效应管MOS的栅极相连的电阻R7,一端与场效应管MOS的栅极相连、另一端接地的电阻R8,一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端经电阻RlO后接地的电阻R9,以及一端与控制芯片Ul的IS管脚相连、另一端接地的电容C5组成;所述场效应管MOS的漏极分别与变压器T原边电感线圈LI的非同名端和电感线圈L2的同名端相连,其源极则与电阻R9和电阻RlO的连接点相连接;控制芯片Ul的VFB管脚与电阻Rl和电阻R2的连接点相连,其RC管脚与电阻R3和电容C4的连接点相连,其GND管脚接地;所述变压器T原边电感线圈L2的非同名端接地。
4.根据权利要求3所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的微调电路由二极管D2,电容C6,电阻R6组成;二极管D2的N极经电容C6和电阻R6后回到其P极;所述二极管D2的P极同时与电容CO和电阻R4的连接点以及变压器T原边电感线圈LI的同名端相连,其N极则与变压器T原边电感线圈LI的同名端相连;电阻R6和电容C6的连接点与变压器T原边电感线圈LI的非同名端相连。
5.根据权利要求4所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的稳压电路由稳压二极管D4,电阻R11,电容C7,二极管D3组成;稳压二极管D4的N极经电阻Rll和电容C7后回到其P极;二极管D3的N极与电阻Rll和电容C7的连接点相连,其P极则与变压器T副边电感线圈L3的非同名端相连;稳压二极管D4的N极还与输出电路相连,其P极则同时与输出电路以及二极管D7的N极相连接。
6.根据权利要求5所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的运算放大电路包括运算放大器P1,运算放大器P2,电阻R13,电阻R12,二极管D5,电容C8,电容C9 ;运算放大器Pl的负极顺次经电阻Rl3和二极管D5以及电容C8后接地,其正极与稳压二极管D4的P极相连,输出极则与运算放大器P2的正极相连;所述运算放大器P2的负极与其输出极相连;电阻R12串接在运算放大器Pl的正极和输出极之间;电容C9的一端与运算放大器P2的输出端相连,其另一端则同时与稳压二极管D4的P极和输出电路相连。
7.根据权利要求6所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的输出电路由三极管VT1,三极管VT2,以及一端与三极管VT2的集电极相连、另一端则经电阻R14后与稳压二极管D4的N极相连的电阻R15组成;所述三极管VT2的基极与稳压二极管D4的N极相连,发射极接地;三极管VTl的基极与稳压二极管D4的P极相连,其集电极与三极管VT2的基极相连,其发射极则与三极管VT2的发射极相连。
8.根据权利要求1?7任一项所述的一种基于线性驱动的双闭环控制直流调速系统,其特征在于:所述的驱动芯片U2为LM387集成芯片。
【文档编号】H02P7/00GK104467569SQ201410715298
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月29日 优先权日:2014年11月29日
【发明者】谢彬, 何梅 申请人:成都思茂科技有限公司
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