一种浪涌抑制斩波降压电路的制作方法
【专利摘要】一种浪涌抑制斩波降压电路，涉及调压器【技术领域】，包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路；当输入电压出现波动时，本实用新型通过控制4个IGBT的导通时间来控制补偿变压器T1的原边电压，改变补偿变压器T1副边电压ΔU的电压值，实现输出电压稳定在所需的电压值。IGBT1和IGBT2的导通或者截止工作状态相同，IGBT3和IGBT4导通或者截止的工作状态相同；且IGBT1和IGBT2导通的情况下，IGBT3和IGBT4截止；IGBT1和IGBT2截止的情况下，IGBT3和IGBT4导通，而且本实用新型通过MOS管型浪涌抑制器对MOS管型斩波降压电路提供电路保护，提高了整个调压装置的使用寿命。
【专利说明】一种浪涌抑制斩波降压电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及调压器【技术领域】，具体为一种浪涌抑制斩波降压电路。
【背景技术】
[0002]大部分用电设备都需要在一个指定的电压下正常工作，但是在一些电压偏高的场合，就需要对现有电压进行降压处理，目前市场上最简单的降压方式采用调压器实现降压，它主要采用碳刷在变压器上调节，这种降压方式的不足之处是碳刷长期工作时，存在一定的机械磨损，需要定期维护，且存在一定的机械故障率；还有采用继电器切换方式，这种方式的不足之处是输出电压不连续，精度不高，不能达到高精度稳压输出的目的，同时也存在继电器触点磨损的情况。特别是在一些易燃易爆的场合，如加油站等，有触点的调节方式，容易打火引发火灾，存在一定的人身财产安全隐患，而且，在交流输入电源接通瞬间，滤波电路中滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，即产生浪涌电流，浪涌电流不仅缩短了滤波电容的寿命，同时也对降压电路乃至整个降压装置都有较大冲击，造成毁灭性的损伤。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制斩波降压电路，以解决【背景技术】中的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]一种浪涌抑制斩波降压电路，包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻Rl和电阻R2，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4 ;电阻Rl和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连；第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容Cl和电容C2，第二分压支路连接一 P沟道型MOS管Ql ；M0S管Ql的栅极连接电阻Rl和电阻R2的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在MOS管Ql的源极与漏极之间设有电阻R5，电阻R5还与所述的电容支路连接，所述的斩波降压电路包括一个补偿变压器Tl、4个IGBT模块、电感LI和电容C3，输入电压火线L接补偿变压器Tl副边的一端，补偿变压器Tl副边的另一端接模块IGBTl的集电极和所述MOS管Ql的漏极，模块IGBTl和IGBT2的发射极相向串联，IGBT2的集电极输出接电感LI和IGBT4的集电极，电感LI的另一端接补偿变压器Tl原边的一端和电容C3的一端，补偿变压器Tl原边的另一端和Cl的另一端均接零线N，IGBT4和IGBT3的发射极相向串联，IGBT3的集电极接零线N。
[0006]进一步的，所述的MOS管Ql为P沟道型MOS管。
[0007]综上所述，当输入电压出现波动时，本实用新型通过控制4个IGBT的导通时间来控制补偿变压器Tl的原边电压，改变补偿变压器Tl副边电压AU的电压值，实现输出电压稳定在所需的电压值。IGBTl和IGBT2的导通或者截止工作状态相同，IGBT3和IGBT4导通或者截止的工作状态相同；且IGBTl和IGBT2导通的情况下，IGBT3和IGBT4截止；IGBT1和IGBT2截止的情况下，IGBT3和IGBT4导通，而且本实用新型通过MOS管型浪涌抑制器对MOS管型斩波降压电路提供电路保护，提高了整个调压装置的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0010]如图1所示的一种浪涌抑制斩波降压电路，包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路；所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻Rl和电阻R2，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4 ;电阻Rl和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连(即电阻R3与电阻Rl并联，电阻R4与电阻R2并联)；第二分压支路还包括与电阻Rl、电阻R3并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容Cl和电容C2，第二分压支路连接一 P沟道型MOS管Ql ；M0S管Ql的栅极连接电阻Rl和电阻R2的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在MOS管Ql的源极与漏极之间设有电阻R5，电阻R5还与所述的电容支路连接，所述的MOS管Ql为P沟道型MOS管；
[0011]MOS管Ql的正常导通驱动电压一般在12V左右，从而选择电阻Rl和电阻R2比值，使交流输入电源在工作范围内波动的情况下，在电阻R2上的分压能驱动MOS管Ql导通，上述电阻Rl、电阻R2、电阻R3和电阻R4，以及电容Cl和电容C2的取值影响电源电路启动至MOS管Ql的导通时间，OS晶体管Ql的导通时间越长，可以更好地抑制启动浪涌电流。
[0012]所述的斩波降压电路包括一个补偿变压器Tl、4个IGBT模块、电感LI和电容C3，输入电压火线L接补偿变压器Tl副边的一端，补偿变压器Tl副边的另一端接模块IGBTl的集电极和所述MOS管Ql的漏极，模块IGBTl和IGBT2的发射极相向串联，IGBT2的集电极输出接电感LI和IGBT4的集电极，电感LI的另一端接补偿变压器Tl原边的一端和电容C3的一端，补偿变压器Tl原边的另一端和Cl的另一端均接零线N，IGBT4和IGBT3的发射极相向串联，IGBT3的集电极接零线N。
[0013]斩波降压电路的工作原理为:当输入电压偏高较大时，控制IGBTl和IGBT2的导通时间增加、IGBT3和IGBT4的截止时间增加，补偿变压器Tl补偿工作的时间增加，实现较大的反向补偿电压；当输入电压偏高较小时，控制IGBTl和IGBT2的导通时间减少、IGBT3和IGBT4的截止时间减少，补偿变压器Tl补偿工作的时间减少，实现较小的反向补偿电压；当输入电压正常时，控制IGBTl和IGBT2的截止、IGBT3和IGBT4的导通，补偿变压器Tl不补偿电压，直接输出电压。
[0014]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种浪涌抑制斩波降压电路，其特征在于，包括与交流源连接的103管型浪涌抑制器和与103管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路；所述的103管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线I与零线~之间的第一分压支路和第二分压支路，该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻町和电阻以，该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻…和电阻财；电阻81和电阻82的公共端与电阻尺3和电阻财的公共端相连；第二分压支路还包括与电阻町、电阻…并联的电容支路，该电容支路包括串接的电容和电容02，第二分压支路连接一 ？沟道型103管；108管01的栅极连接电阻町和电阻以的公共端，源极连接交流输入电源的火线；在103管的源极与漏极之间设有电阻奶，电阻阳还与所述的电容支路连接，所述的斩波降压电路包括一个补偿变压器11、4个叩81模块、电感11和电容03，输入电压火线I接补偿变压器II副边的一端，补偿变压器II副边的另一端接模块16811的集电极和所述103管的漏极，模块1(^811和％812的发射极相向串联，％812的集电极输出接电感11和％814的集电极，电感11的另一端接补偿变压器II原边的一端和电容03的一端，补偿变压器II原边的另一端和的另一端均接零线1168X4和叩813的发射极相向串联，168X3的集电极接零线
2.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制斩波降压电路，其特征在于:所述的103管为？沟道型103管。
【文档编号】H02M1/32GK204119043SQ201420560078
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】吴昌飞 申请人:吴昌飞