漏电断路器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种漏电断路器，包括断路器ZK和漏电脱扣器，漏电脱扣器包括零序互感器TA和漏电保护专用集成电路IC，零序互感器TA的检测线圈的输出端，经滤波、降压接至漏电保护专用集成电路IC的输入端，断路器ZK的负载端与脱扣线圈M、整流二极管VD3、稳压电路形成第一回路，稳压电路包括限流电阻串R11、R10、R9、第一稳压管VD1，第一稳压管VD1的稳压端接至漏电保护专用集成电路IC的电源端，稳压电路的两端并接一可控硅VT，可控硅VT的触发极连接至漏电保护专用集成电路IC的输出端。可控硅的前端电路摒弃整流桥，代替以单只整流二极管，大大的降低了噪声，且可控硅上的直流输出电压和直流输出电流降为传统电路的一半，电气规格低，温升低，成本也较低。
【专利说明】
漏电断路器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种漏电断路器。
【背景技术】
[0002]传统的漏电断路器通过导通全波整流桥的输出端电路，从而使位于全波整流器的输入端的脱扣线圈得电，驱使脱扣动作，完成漏电保护的功能。这种传统的漏电断路器的缺陷在于:由于全波整流器采用四个整流二极管连接形成整流桥，在整流桥上施加正、反交变的正弦波电压，因此，整流二极管的PN结将产生可叠加的噪声干扰。另外，位于整流桥后端的可控硅将要承受相当的直流输出电压，温升也相应地处于较高的水平。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种结构简单，温升低、可控硅及辅助元件的电气规格较小、成本较低的漏电断路器。
[0004]为实现上述目的，本实用新型采用这样一种漏电断路器，包括断路器ZK和漏电脱扣器，所述的漏电脱扣器包括零序互感器TA和漏电保护专用集成电路1C，所述的零序互感器TA的检测线圈的输出端，经滤波、降压接至所述的漏电保护专用集成电路IC的输入端，所述的断路器ZK的负载端与脱扣线圈M、整流二极管VD3、稳压电路形成第一回路，所述的稳压电路包括限流电阻串R11、R10、R9、第一稳压管VD1，所述的第一稳压管VDl的稳压端接至所述的漏电保护专用集成电路IC的电源端，所述的稳压电路的两端并接一可控硅VT，所述的可控硅VT的触发极连接至所述的漏电保护专用集成电路IC的输出端。与已有技术相t匕，本实用新型的有益效果体现于:当漏电保护专用集成电路输出漏电保护控制信号，触发可控硅导通时，稳压电路被短接，脱扣线圈上获得足够的吸合电压，因此脱扣线圈动作，完成漏电保护功能。本实用新型中，可控硅的前端电路摒弃整流桥，代替以单只整流二极管，大大的降低了噪声，且，可控娃上的直流输出电压和直流输出电流降为传统电路的一半，电气规格低，温升低，同时，成本也较低。
[0005]特别的，所述的断路器ZK的负载端、所述的脱扣线圈M、所述的整流二极管VD3还与分压取样电路形成第二回路，所述的分压取样电路的取样点S经第二稳压管VD2、电阻R8连接至所述的漏电保护专用集成电路IC的锁存输入端。通过以上电路结构的设置，可以保证锁存输入端电压的稳定性，产品出厂时，漏电断路器的电气性能一致。
[0006]特别的，所述断路器ZK的负载端输出相间位于所述的脱扣线圈M的两侧分别跨接第一压敏电阻RVl和第二压敏电阻RV2。通过以上电路结构的设置，实现了可控硅的可靠保护。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型漏电断路器的电路原理图。
【具体实施方式】
[0008]如图1所示，一种漏电断路器，包括断路器ZK和漏电脱扣器，漏电脱扣器包括零序互感器TA和漏电保护专用集成电路1C，零序互感器TA的检测线圈的输出端，经滤波、降压接至漏电保护专用集成电路IC的输入端，断路器ZK的负载端与脱扣线圈M、整流二极管VD3、稳压电路形成第一回路，稳压电路包括限流电阻串町1、1?10、1?9、第一稳压管￥01，第一稳压管VDl的稳压端接至漏电保护专用集成电路IC的电源端，稳压电路的两端并接一可控硅VT，可控硅VT的触发极连接至漏电保护专用集成电路IC的输出端。
[0009]断路器ZK的负载端、脱扣线圈M、整流二极管VD3还与分压取样电路形成第二回路，分压取样电路的取样点S经第二稳压管VD2、电阻R8连接至漏电保护专用集成电路IC的锁存输入端。
[0010]断路器ZK的负载端输出相间位于脱扣线圈M的两侧分别跨接第一压敏电阻RVl和第二压敏电阻RV2。
【权利要求】
1.一种漏电断路器，包括断路器(ZK)和漏电脱扣器，所述的漏电脱扣器包括零序互感器(TA)和漏电保护专用集成电路(1C)，其特征在于:所述的零序互感器(TA)的检测线圈的输出端，经滤波、降压接至所述的漏电保护专用集成电路(IC)的输入端，所述的断路器(ZK)的负载端与脱扣线圈(M)、整流二极管(VD3)、稳压电路形成第一回路，所述的稳压电路包括限流电阻串(R11、R10、R9)、第一稳压管(VDl)，所述的第一稳压管(VDl)的稳压端接至所述的漏电保护专用集成电路(IC)的电源端，所述的稳压电路的两端并接一可控硅(VT)，所述的可控硅(VT)的触发极连接至所述的漏电保护专用集成电路(IC)的输出端。
2.根据权利要求1所述的漏电断路器，其特征在于:所述的断路器(ZK)的负载端、所述的脱扣线圈(M)、所述的整流二极管(VD3)还与分压取样电路形成第二回路，所述的分压取样电路的取样点S经第二稳压管(VD2)、电阻(R8)连接至所述的漏电保护专用集成电路(IC)的锁存输入端。
3.根据权利要求1或2所述的漏电断路器，其特征在于:所述断路器(ZK)的负载端输出相间位于所述的脱扣线圈(M)的两侧分别跨接第一压敏电阻(RVl)和第二压敏电阻(RV2)。
【文档编号】H02H3/32GK204131088SQ201420679580
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年11月5日 优先权日:2014年11月5日
【发明者】王卫青, 何邦权 申请人:乐清夏兴电子科技有限公司, 浙江鼎威科技有限公司