1.一种能量管理方法，包括：
操作用于与电气负载驱动单元耦合的包括第一能量存储装置、与所述第一能量存储装置耦合的第一直流-直流变换器、第二存储装置、与所述第二能量存储装置耦合的第一电感及耦合在所述第一电感和所述第一直流-直流变换器之间的第一开关单元的能量管理系统，使所述第二存储装置放电，包括从所述第二能量存储装置经由所述第一电感、所述第一开关单元和所述第一直流-直流变换器向所述第一能量存储装置传输能量，其中，所述第一开关单元包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MOSFET包括与所述第一电感耦合的源极，及与所述第一直流-直流变换器耦合的漏极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述能量管理系统进一步包括耦合在所述第一电感和所述第二能量存储装置之间的第二开关单元，所述第一电感、所述MOSFET和所述第二开关单元被用作为第二直流-直流变换器。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述第二能量存储装置放电时，所述MOSFET被开通，且所述第二开关单元被关断。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过向所述MOSFET发送高于所述MOSFET的开启电压的第一开关控制信号来开通所述MOSFET,通过向所述第二开关单元发送低于所述第二开关单元的开启电压的第二开关控制信号来关断所述第二开关单元。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二开关控制信号基于第一载波信号和第一调制信号被产生，所述第一调制信号的电压小于所述第一载波信号的最低电压。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述第二能量存储装置放电时，使经由所述第一直流-直流变换器流入所述第一能量存储装置的输出电流基 本等于参考电流值。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一直流-直流变换器包括具有与所述第一能量存储装置耦合的第一端及第二端的第二电感，耦合在所述第二电感的第二端和所述MOSFET之间第三开关单元，及耦合在所述第二电感的第二端和所述第一能量存储装置之间第四开关单元，其中，通过向所述第三、第四开关单元分别发送脉宽调制信号来使所述输出电流基本等于所述参考电流值。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述脉宽调制信号基于所述参考电流值、所述输出电流的反馈信号及第二载波信号被产生。
10.根据权利要求3所述的方法，进一步包括操作所述能量管理系统给所述第二能量存储装置预充电，包括从所述第一能量存储装置经由和所述第二直流-直流变换器向所述第二能量存储装置传输能量。
11.一种能量管理系统，可用于与一电气负载驱动单元耦合，包括：
第一能量存储装置；
第一直流-直流变换器，其具有与所述第一能量存储装置耦合的第一端和与所述电气负载驱动单元耦合的第二端；
第二能量存储装置；
第二直流-直流变换器，其耦合在第二能量存储装置和所述第一直流-直流变换器的第二端之间，其包括：
第一电感，其具有与所述第二能量存储装置耦合的第一端，及第二端，及
第一开关单元，其耦合在所述第一电感的第二端和所述第一直流-直流变换器之间，其中，所述第一开关单元包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；及
控制器，设置来从所述第二能量存储装置经由所述第一电感、所述MOSFET和所述第一直流-直流变换器向所述第一能量存储装置传输能量，以 使所述第二能量存储装置放电。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述MOSFET包括与所述第一电感耦合的源极，及与所述第一直流-直流变换器耦合的漏极。
13.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第二直流-直流变换器进一步包括耦合在所述第一电感的第二端和所述第二能量存储装置之间的第二开关单元。
14.根据权利要求13所述的系统，进一步包括第一调制电路用于在所述第二能量存储装置放电时，产生用以开通所述MOSFET的第一开关控制信号和用以关断所述第二开关单元的第二开关控制信号。
15.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一直流-直流变换器包括：
第二电感，其具有与所述第一能量存储装置耦合的第一端及第二端；
第三开关单元，其耦合在所述第二电感的第二端和所述MOSFET之间；及
第四开关单元，其耦合在所述第二电感的第二端和所述第一能量存储装置之间。
16.根据权利要求15所述的系统，进一步包括第二调制电路，其用于在所述第二能量存储装置放电时，基于参考电流值、第二载波信号和流入所述第一能量存储装置的输出电流的反馈信号来产生脉宽调制信号，其中，所述脉宽调制信号被分别发送至所述第三、第四开关单元，以使所述输出电流基本等于所述参考电流值。