1.一种限幅控制电路，其特征在于，所述电路包括：
从动谐振环和半控电容；
所述从动谐振环包括谐振线圈和谐振电容，所述谐振线圈与所述谐振电容串联；
所述半控电容包括：电容和开关管；
所述电容的一端与所述开关管的源极连接；所述电容的另一端与所述谐振电容未连接谐振线圈的一端连接；所述开关管的漏极与所述谐振线圈、所述谐振电容的连接点连接。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关管为IGBT管。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关管为MOSFET管。
4.一种限幅控制装置，其特征在于，所述装置包括如权利要求1～3任意一项所述的限幅控制电路，还包括：驱动电压供给电路；
所述驱动电压供给电路，用于为所述半控电容提供电压；
所述驱动电压供给电路包括：
整流器、滤波电容、隔离开关电源、电压采样电路、比较器和驱动放大器；
所述从动谐振环中谐振线圈非所述连接点的一端、所述整流器、所述滤波电容、所述电压采样电路、所述比较器、所述驱动放大器和所述半控电容依次连接，所述隔离开关电源并联在滤波电容的两端。
5.一种限幅控制方法，其特征在于，应用于限幅控制电路，所述限幅控制电路包括：
从动谐振环和半控电容；
所述从动谐振环包括谐振线圈和谐振电容，所述谐振线圈与所述谐振电容串联；
所述半控电容包括：电容和开关管；
所述电容的一端与所述开关管的源极连接；所述电容的另一端与所述谐振电容未连接谐振线圈的一端连接；所述开关管的漏极与所述谐振线圈、所述谐振电容的连接点连接；
所述方法包括：
当需要提供稳定的电压时，控制所述开关管导通，所述半控电容导通。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述开关管为IGBT管。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述开关管为MOSFET管。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述开关管导通，具体包括：
采用输入高低电平的方式控制所述开关管导通。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述开关管导通，具体包括：
采用脉冲宽度调制的方式控制所述开关管导通。