本发明涉及电源驱动电路技术领域，具体涉及到偏压电源瞬态保护电路。
背景技术：
真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，mbe分子束外延，pld激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。基片与靶材同在真空腔中。
蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点－岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。
偏压电源(biaspowersupply)是真空电弧离子镀及其它真空物理气相沉积设备中一个重要组件，在镀膜工艺流程中为工件提供负(或正)偏压。
偏压电源是真空镀膜中有着重要的作用，关系到镀膜的附着力，光洁度，色差等参数，特别是大功率电源在抑制打火的现象尤为重要，即要保证正常使用，又不能出现打火。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种结构合理，使用方便的偏压电源瞬态保护电路，它解决了上述的这些问题。
采用以下的技术方案：
偏压电源瞬态保护电路，包括pwm驱动器，所述pwm驱动器连接至少一个pwm电路，所述pwm驱动器同时电连接时间调节电路，所述时间调节电路连接电压比较器芯片，所述电压比较器芯片连接霍尔电路。
优选地，所述电压比较器芯片为lm319、lm339、lm393、lm319d、lm311其中的一种。
优选地，所述电压比较器芯片为灵敏度25-50毫伏。
优选地，所述电压比较器芯片的建立时间为70-90ns。
优选地，电压比较器芯片的反相输入端加一个固定的参考电压，它的值取决于r1于r2，ur＝r2/(r1+r2)*ucc，同相端的电压就等于热敏元件rt的电压降，当机内温度为设定值以下时，“+”端电压大于“-”端电压，uo为高电位，当温度上升为设定值以上时，“-”端电压大于“+”端，比较器反转，uo输出为零电位。
本发明的有益效果包括：
使用本发明的保护电路，即不出现打火，又能保证电源的稳定工作，从而大大的提高了膜层的稳定性。本发明的保护电路特别适用于真空镀膜机，寿命长，成本低，使用方便。
附图说明
图1为本发明偏压电源瞬态保护电路电路图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明内容作进一步说明。
偏压电源瞬态保护电路，包括pwm驱动器，所述pwm驱动器连接至少一个pwm电路，所述pwm驱动器同时电连接时间调节电路，所述时间调节电路连接电压比较器芯片，所述电压比较器芯片连接霍尔电路。
所述电压比较器芯片为lm319、lm339、lm393、lm319d、lm311其中的一种。
所述电压比较器芯片为灵敏度25-50毫伏。
所述电压比较器芯片的建立时间为70-90ns。
电压比较器芯片的反相输入端加一个固定的参考电压，它的值取决于r1于r2，ur＝r2/(r1+r2)*ucc，同相端的电压就等于热敏元件rt的电压降，当机内温度为设定值以下时，“+”端电压大于“-”端电压，uo为高电位，当温度上升为设定值以上时，“-”端电压大于“+”端，比较器反转，uo输出为零电位，使保护电路动作，调节r1的值可以改变门限电压，既设定温度值的大小。
原理如下：
电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。
电压比较器是对输入信号进行鉴别与比较的电路，是组成非正弦波发生电路的基本单元电路。
常用的电压比较器有单限比较器、滞回比较器、窗口比较器、三态电压比较器等。
电压比较器可以看作是放大倍数接近“无穷大”的运算放大器。
电压比较器的功能：比较两个电压的大小(用输出电压的高或低电平，表示两个输入电压的大小关系)：
当”+”输入端电压高于”－”输入端时，电压比较器输出为高电平；
当”+”输入端电压低于”－”输入端时，电压比较器输出为低电平；
可工作在线性工作区和非线性工作区。
工作在线性工作区时特点是虚短，虚断；
工作在非线性工作区时特点是跳变，虚断；
由于比较器的输出只有低电平和高电平两种状态，所以其中的集成运放常工作在非线性区。从电路结构上看，运放常处于开环状态，又是为了使比较器输出状态的转换更加快速，以提高响应速度，一般在电路中接入正反馈。
简单的电压比较器结构简单，灵敏度高，但是抗干扰能力差，因此我们就要对它进行改进。改进后的电压比较器有：滞回比较器和窗口比较器。
是通过反馈回路和输入回路的确定“运算参数”，比如放大倍数，反馈量可以是输出的电流或电压的部分或全部。而比较器则不需要反馈，直接比较两个输入端的量，如果同相输入大于反相，则输出高电平，否则输出低电平。电压比较器输入是线性量，而输出是开关(高低电平)量。一般应用中，有时也可以用线性运算放大器，在不加负反馈的情况下，构成电压比较器来使用。
本发明针对真空覆膜机高频的特点，使用电压比较器芯片，所述电压比较器芯片为灵敏度25-50毫伏。所述电压比较器芯片的建立时间为70-90ns。最大限度的保护了pwm驱动器的安全。
本说明书列举的仅为本发明的较佳实施方式，凡在本发明的工作原理和思路下所做的等同技术变换，均视为本发明的保护范围。