一种T型三电平IGBT互补死区驱动电路的制作方法

文档序号:11253456阅读:1330来源:国知局
一种T型三电平IGBT互补死区驱动电路的制造方法与工艺

本发明涉及光伏三电平逆变器技术领域,具体涉及一种t型三电平igbt互补死区驱动电路。



背景技术:

目前,国家能源局等三部委推出光伏“领跑者”计划,旨在促进先进技术产品应用和产业升级,光伏“领跑者”计划要求,光伏逆变器最高转换效率不低于99%、中国效率不低于98.2%;三电平技术相较于两电平,输出电压更接近正弦波,谐波含量更少,电抗体积更小,采用三电平技术是提升整机效率的有效措施。其中,t型三电平模块包括四个开关管(t1、t2、t3、t4),需要四路驱动信号,t1管与t3管、t2管与t4管为互补关系,且必须增加死区时间;三相逆变器需要12路驱动信号,这对dsp芯片的资源提出了更高的要求,势必会增加制造成本。

专利cn201422095y提出了一种任意增加死区时间的pwm互补输出单元电路,该方案采用dsp提供的死区信号和触发器来控制死区时间,需额外占用dsp资源,同时,在dsp未输出pwm信号时,该方案电路的输出信号中必有一个为高电平,导致半桥中的一个开关管导通,违背了dsp未发波时igbt必须全部关断的原则。



技术实现要素:

本发明的目的在于针对光伏t型三电平逆变器,提供一种安全可靠的带有互补死区功能的igbt驱动电路。

本发明是通过以下的技术方案来完成的:一种t型三电平igbt互补死区驱动电路,包括互补死区电路模块、故障封波电路模块、光耦互锁电路模块;

所述互补死区电路模块包括rc延时电路、与非门逻辑电路构成;所述与非门逻辑电路包括第一与门芯片,第一非门芯片;

所述第一与门芯片的1脚和dsp发出的pwm_1a驱动信号连接,pwm_1a驱动信号经过rc延时电路与第一与门芯片的2脚连接;第一与门芯片的3脚和13脚相连接;第一与门芯片的12脚与故障封波电路模块连接;第一与门芯片的11脚输出,与光耦互锁电路模块连接;

所述第一非门芯片的1脚和dsp发出的pwm_1a驱动信号连接;第一非门芯片的2脚一方面和第一与门芯片的4脚连接,另一方面,经过rc延时电路和第一与门芯片的5脚连接;第一与门芯片的6脚与10脚相连接;第一与门芯片的9脚和故障封波电路模块连接;第一与门芯片的8脚输出,与光耦互锁电路模块连接。

进一步的,上面所述的pwm_1a驱动信号由数字信号处理器dsp提供。

进一步的,所述rc延时电路包括第一电阻、第一电容和第一二极管,所述第一电阻和第一电容串联,第一二极管和第一电阻并联,第一二极管的阳极与第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地。

进一步的,所述故障封波电路模块包括第二与门芯片、第二电阻,所述第二与门芯片的1脚接收由数字信号处理器发出的使能信号,第二与门芯片的2脚接收故障信号,第二与门芯片的3脚与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端接地。

进一步的,所述光耦互锁电路模块包括第一光耦芯片、第二光耦芯片、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二电容和第三电容,所述第一与门芯片的11脚经过第三电阻和第一光耦芯片的阴极相连接,并和第二光耦芯片的阳极相连接,第二光耦芯片的5脚与8脚之间连接第三电容,第二光耦芯片的6脚和7脚相连后与第六电阻相连;所述第一与门芯片的8脚经过第四电阻和第一光耦芯片的阳极相连接,并和第二光耦芯片的阴极相连接,第一光耦芯片的5脚与8脚之间连接第二电容,第一光耦芯片的6脚和7脚相连后与第五电阻相连。

本发明与现有技术比较,其有益效果是:

1、本发明通过互补死区电路模块,将dsp芯片输出的一路驱动信号,转变成一对互补且带有死区时间的驱动信号,死区时间由第一电阻和第一电容决定,一方面节省了dsp资源,另一方面,从硬件电路上,防止了t1管与t3管、t2管与t4管同时导通,避免了igbt短路故障的发生。

2、本发明通过故障封波电路,将igbt故障反馈信号和dsp发出的使能信号进行与逻辑,输出电平再和驱动信号进行与逻辑,使得在dsp允许发波和无igbt故障的情况下,驱动信号才能最终输出。同时,由于互补死区电路的局限性,输出的两路互补驱动信号必然存在一个高电平,另一个低电平的现象,违背了dsp未发波时igbt需全部关断的原则,故障封波电路有效解决了这个局限性,使dsp未发波时,igbt均可靠关断。

3、本发明通过光耦互锁电路,实现了弱电和强电的电气隔离,增强了抗干扰能力,同时,两路带有互补死区的驱动信号经过第四电阻和第五电阻,分别连接第一光耦芯片的阴极和阳极、第二光耦芯片的阳极和阴极,保证最终输出的驱动信号不能同时为高电平,避免了igbt短路故障,起到了二次保护的作用。

附图说明

图1是本发明的总体控制原理框图;

图2是本发明的电路连接示意图;

图3是本发明的驱动信号时序图。

以上附图中:1为互补死区电路模块;2为故障封波电路模块;3为光耦互锁电路模块;11为rc延时电路。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。

本实施例的总体控制原理框图如图1所示,dsp芯片发出epwm1a和epwm1b两路驱动信号,经过总线收发器电平变换,输出pwm_1a和pwm_1b;pwm_1a驱动信号经过互补死区驱动电路,输出两路互补并带有死区时间的驱动信号a_t1和a_t3;pwm_1b驱动信号经过互补死区驱动电路,输出两路互补并带有死区时间的驱动信号a_t2和a_t4;a_t1、a_t2、a_t3和a_t4这四路驱动信号,经过驱动板直接驱动t型igbt模块的四个开关管;同时,dsp发出的发波使能信号和igbt故障反馈信号共同控制互补死区电路是否输出驱动信号。

如图2所示,整个互补死区驱动电路由互补死区电路模块1、故障封波电路模块2和光耦互锁电路模块3构成,其中互补死区电路模块1由rc延时电路11和与非门逻辑电路构成,rc延时电路11中的第一电阻和第一电容串联,第一二极管和第一电阻并联,第一二极管的阳极与第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地;rc延时电路的输出是由低电平向高电平缓慢变化的过程,当上升到第一与门芯片的触发电压时,第一与门芯片才能识别此输入信号为高电平,否则默认为低电平,而上升到触发电压的时间即死区时间,由第一电阻和第一电容两者的大小决定,可任意调整。故障封波电路模块2中第二与门芯片的3脚与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端接地,确保上电初始时刻,故障封波电路模块的输出为低电平,dsp发出的使能信号与第二与门芯片的1脚连接,igbt故障反馈信号和第二与门芯片的2脚连接,共同决定互补死区电路模块是否输出驱动信号。

pwm_1a经过rc延时电路后和第一与门的2脚连接,pwm_1a直接和第一与门芯片的1脚连接,第一与门的3脚和13脚相连接;第一与门芯片的12脚和第二与门芯片的3脚连接,第一与门芯片的11脚经过第三电阻和第一光耦的阴极相连接、和第二光耦芯片的阳极相连接,第二光耦芯片的6脚和7脚相连,经过第六电阻输出a_t1。

pwm_1a和第一非门芯片的1脚相连,取反后,经过第一非门的2脚输出;一方面和第一与门芯片的4脚连接,另一方面经过rc延时电路后和第一与门芯片的5脚连接,第一与门芯片的6脚和10脚相连接;第一与门芯片的9脚和第二与门芯片的3脚连接,第一与门的8脚经过第四电阻和第一光耦芯片的阳极相连接、和第二光耦芯片的阴极相连接,第一光耦芯片的6脚和7脚相连,经过第五电阻输出a_t3。可以看出,当第一与门芯片的11脚和8脚同时输出高电平时,a_t1和a_t3同时为低电平,实现了互锁的功能,起到了二次保护的作用。

为了更清晰的说明本发明的工作原理,输入与输出的驱动信号时序图如图3所示。其中,pwm_1a为输入的驱动信号,a_t1和a_t3为输出的驱动信号,en_t1_t3为igbt故障反馈信号和dsp使能信号进行与逻辑后得到的控制信号。当pwm_1a由低电平跳变为高电平时,第一与门芯片的3脚并不能直接输出高电平,只有经过死区时间t后,rc延时电路的输出电压才能达到第一与门芯片的触发电压,即第一与门芯片的3脚才能输出高电平,使得a_t1变为高电平,而pwm_1a由低电平跳变为高电平时,第一非门的2脚立即由高电平跳变为低电平,使得a_t3变为低电平。当pwm_1a由高电平跳变为低电平时,第一与门芯片的3脚立即由高电平跳变为低电平,使得a_t1变为低电平,而pwm_1a由高电平跳变为低电平时,第一非门芯片的2脚立即跳变为高电平,同理,此时第一与门芯片的6脚并不能直接输出高电平,只有经过死区时间t后,rc延时电路输出电压达到第一与门芯片的触发电压时,第一与门芯片的6脚才能输出高电平,使得a_t3变为高电平。从而,由一路pwm_1a驱动信号,最终输出两路互补且带有死区的驱动信号,电路简单,安全可靠。同时,当出现igbt故障或dsp不允许发波时,控制信号en_t1_t3跳变成低电平,可以看出,不管输入的驱动信号pwm_1a电平如何,a_t1和a_t3这两路输出驱动信号均变为低电平,实现igbt可靠关断。

本发明所述的一种t型三电平igbt互补死区驱动电路,节省了dsp资源,死区时间可以随意调整,并杜绝了igbt直通短路故障,工作可靠稳定。

以上所述仅为本发明的实施例,并不能以此限制本发明的保护范围,凡是利用本发明所作的等效变换或修饰,或直接运用在其他相关技术领域,都应涵盖在本发明的专利保护范围内。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1