一种电源过压保护电路的制作方法

本发明涉及的是电压保护技术领域，具体涉及一种电源过压保护电路。

背景技术：

目前，现有技术的电源输出过压保护电路，通常是检测输出电压，当输出电压过高时，稳压二极管导通，光耦导通，三极管导通，从而将ic芯片能引起保护电压拉低，从而实现输出过压保护，但是此种技术成本较高，需要占用较大的pcb空间，且保护效果不佳，基于此，设计一种电源过压保护电路还是很有必要的。

技术实现要素：

针对现有技术上存在的不足，本发明目的是在于提供一种电源过压保护电路，成本低，占用空间小，能够获得较好的输出过压保护效果，提高了电源的安全性和可靠性。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种电源过压保护电路，包括第一二极管-第四二极管、发光二极管、三极管、mos管、第一电阻-第四电阻、第一电容-第三电容，三极管的发射极、mos管的源极均接至输入电压vin端，三极管的发射极与基极之间接有第一电阻与第三电阻的串联电路，三极管的集电极连接第二二极管至mos管的门极，第一电阻与第三电阻之间的节点反接第一二极管至地端，mos管的门极、漏极分别连接第二电阻、第三二极管至地端，mos管的漏极还依次连接第四二极管、第四电阻、发光二极管至地端，第四二极管的负极端还连接第一电容-第三电容的并联电路至地端，第四二极管的负极端连接电压输出vout端。

作为优选，所述的第一二极管采用稳压二极管，第三二极管采用肖特基二极管。

作为优选，所述三极管采用pnp型三极管，mos管采用p沟道mos管。

本发明的有益效果：该电路能够获得较好的输出过压保护效果，提高了电源的安全性和可靠性，且结构简单，成本低，占用空间小，易于推广使用。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明；

图1为本发明的电路图。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

参照图1，本具体实施方式采用以下技术方案：一种电源过压保护电路，包括第一二极管d1-第四二极管d4、发光二极管d5、三极管q1a、mos管q2、第一电阻r1-第四电阻r4、第一电容c1-第三电容c3，三极管q1a的发射极、mos管q2的源极均接至输入电压vin端，三极管q1a的发射极与基极之间接有第一电阻r1与第三电阻r3的串联电路，三极管q1a的集电极连接第二二极管d2至mos管q2的门极，第一电阻r1与第三电阻r3之间的节点反接第一二极管d1至地端，mos管q2的门极、漏极分别连接第二电阻r2、第三二极管d3至地端，mos管q2的漏极还依次连接第四二极管d4、第四电阻r4、发光二极管d5至地端，第四二极管d4的负极端还连接第一电容c1-第三电容c3的并联电路至地端，第四二极管d4的负极端连接电压输出vout端。

值得注意的是，所述的第一二极管d1采用稳压二极管，第三二极管d3采用肖特基二极管；所述的三极管q1a采用pnp型三极管，mos管q2采用p沟道mos管。

本具体实施方式的原理为：电路输入电压由vin端接入，vout端输出，当输入电压vin端由于某种原因升高，如果不加以限制或者断开，就会烧毁后级的芯片或电路，所以在输入电压vin端升高时要断开电源与后级的连接，当输入电压vin端增大，则mos管q2断开，当输入电压vin端下降到正确压值时，mos管q2导通。

本具体实施方式的具体实现方法如下：选一个稳压值为vin+△的稳压管，△为要保护的电压裕量，当大于△时，三极管q1a就会导通，此时vin端的高电平就会出现在图示4处，即mos管q2的门极，而p-mos管门极高电平时就会截止，所以此时过高的电压就会断开，不会传到后级，影响芯片；而正常情况下，vin端电压处于正常压值，此时三极管q1a不会导通，则mos管q2的门极经第二电阻r2接到地，低电平，所以mos管q2导通，即vin端电压导通到后级，mos管q2的导通压降非常小，不会降低vin端电压，经过第四二极管d4的管压降vd，而得到所需的vout端处电压vin-vd。

本具体实施方式过压保护效果好，能有效提高电源的安全性和可靠性，实用稳定，具有广阔的市场应用前景。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种电源过压保护电路，它涉及电压保护技术领域。三极管的发射极、MOS管的源极均接至输入电压Vin端，三极管的发射极与基极之间接有第一电阻与第三电阻的串联电路，三极管的集电极连接第二二极管至MOS管的门极，第一电阻与第三电阻之间的节点反接第一二极管至地端，MOS管的门极、漏极分别连接第二电阻、第三二极管至地端，MOS管的漏极还依次连接第四二极管、第四电阻、发光二极管至地端，第四二极管的负极端还连接第一电容‑第三电容的并联电路至地端，第四二极管的负极端连接电压输出Vout端。本发明成本低，占用空间小，能够获得较好的输出过压保护效果，提高了电源的安全性和可靠性。

技术研发人员：杜茂峰;章岳鹏;伍洁慧
受保护的技术使用者：上海乐野网络科技有限公司
技术研发日：2017.06.07
技术公布日：2017.10.03