一种充电管理与供电路径管理电路的制作方法

文档序号:11708487阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种充电管理与供电路径管理电路,包括PWR-IN端口,其特征在于:所述PWR-IN端口并接有自恢复保险丝F1的输入端和压敏电阻R1的输入端,所述自恢复保险丝F1的输出端串接有防反接二极管V30的输入端,所述防反接二极管V30的输出端并接有滤波电容C100上极板、滤波电容C33上极板和12V电源,所述压敏电阻R1的输出端并接有12V电源接地端口和共模电感L2的输入端,所述共模电感L2的输出端、滤波电容C100下极板和滤波电容C33下极板均接地,所述12V电源并接有电阻R90输入端、电容C78上极板和场效应管Q1的2号端口,所述电阻R90的输出端串接有电容C75上极板,所述电容C75的下极板接地,所述电容C78的下极板并接有电容C50下极板和电阻R94输入端,所述场效应管Q1的3号端口并接有电容C50的上极板、电阻R94输出端、电阻R93的输入端和场效应管Q2的3号端口,所述场效应管Q1的1号端口和场效应管Q2的1号端口串接有电阻R92的输入端,所述电阻R92和R93的输出端分别串接有芯片BQ24133的ACDRV脚和CMSRC脚,所述场效应管Q2的2号端口并接有电阻R85输入端和芯片BQ24133的ACP脚,所述电阻R85的输出端并接有芯片BQ24133的ACN脚、两组PVCC脚、电容C86输入端、12V电源输入端口、电阻R120和场效应管Q3的3号端口,所述电容C86的输出端接地,所述电阻R120的输出端串接有电阻R121的输入端,所述电阻R121的输出端接地,所述场效应管Q3的1号端口串接芯片BQ24133的BATDRV脚,所述场效应管Q3的2号端口串接有芯片BQ24133的SRN脚,所述芯片BQ24133的两组SW脚并接有电感L3输入端和电阻R89的输入端,所述电感L3的输出端并接有电阻R86的输入端和芯片BQ24133的SRP脚,所述电阻R86的输出端串接有VBAT端口,所述电阻R89的输出端串接有电容C83的输入端,所述电容C83的输出端串接芯片BQ24133的BTST脚,所述芯片BQ24133的REGN脚串接有电容C28上极板,所述电容C28的下极板并接有芯片BQ24133的两组PGND脚和地线,所述芯片BQ24133的CELL脚串接有VREF端口,所述芯片BQ24133的AGND脚接地,所述芯片BQ24133的STAT脚串接有指示灯VD2输入端,所述指示灯VD2的输出端串接有电阻R109输入端,所述电阻R109的输出端串接有VREF端口,所述芯片BQ24133的TS脚并接有电阻R99和电阻R98的输入端,所述电阻R99和电阻R98的输出端分别串接有VREF端口和地线,所述芯片BQ24133的TTC脚串接有电容C31输入端,所述电容C31的输出端接地,所述芯片BQ24133的OVPSET脚并接有电阻R150和电阻R101的输入端,所述电阻R150和电阻R101的输出端分别串接有12V电源和地线,所述芯片BQ24133的AVCC脚并接有二极管V31和V32的负极,所述二极管V31和V32的正极分别串接有12V电源和VBAT端口,所述芯片BQ24133的ACSET脚并接有电阻R100和电阻R96的输出端,所述电阻R100和电阻R96的输入端分别串接有VREF端口和地线,所述芯片BQ24133的ISET脚并接有电阻R95和电阻R97的输入端,所述电阻R95的输出端接地,所述电阻R97的输出端并接有芯片BQ24133的VREF脚和VREF端口。

2.根据权利要求1所述的一种充电管理与供电路径管理电路,其特征在于:所述滤波电容C100和滤波电容C33均为纸介型滤波电容。

3.根据权利要求1所述的一种充电管理与供电路径管理电路,其特征在于:所述自恢复保险丝F1为陶瓷CPTC型自恢复保险丝F1。

4.根据权利要求1所述的一种充电管理与供电路径管理电路,其特征在于:所述防反接二极管V30为硅制防反接二极管V30。

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