一种有源箝位P沟道MOS管关断电路的制作方法

本实用新型涉及开关电源技术，具体的说，是涉及一种有源箝位P沟道MOS管关断电路。

背景技术：

在开关电源中，当各种保护电路或关机电路动作后，需要关断箝位管电路快速把下箝为P沟道MOS管的驱动电平抬高从而关断有源箝位P沟道MOS管，断开通过箝位电容和箝位的P沟道MOS管组成的谐振回路，使输出关机波形单调。现有的有源箝位拓扑结构中，关断箝位管的电路实用性不强，P沟道MOS管关短速度比较慢，导致关机波形不单调、初次级功率MOS管的应力差等。

上述缺陷，值得改进。

技术实现要素：

为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种有源箝位P沟道MOS管关断电路，解决了关机波形单调以及由于关机谐振造成的开关MOS管电压应力问题。

本实用新型技术方案如下所述：

一种有源箝位P沟道MOS管关断电路，其特征在于，包括辅助供电电源VCC、P沟道MOS管驱动信号端DRV-P、关机信号端OFF、第一开关管Q1以及第二开关管Q2，

所述辅助供电电源VCC与第一开关管Q1的第一引脚和第五电阻R5连接，第一开关管Q1的第二引脚连接第一二极管D1的阳极和第二电容C2，所述第一二极管D1的阴极分别连接第一电阻R1和第一电容C1，所述第一电阻R1和第一电容C1并联后连接所述P沟道MOS管驱动信号端DRV-P，第一开关管Q1的第三引脚连接第二电阻R2，所述第二电阻R2的另一端和所述第五电阻R5的另一端均连接第二开关管Q2的第一引脚，第二开关管Q2的第二引脚分别连接第三电容C3、第三电阻R3以及第四电阻R4，所述第四电阻R4的另一端连接连接所述关机信号端OFF，所述第二电容C2的另一端、所述第三电容C3的另一端、所述第三电阻R3的另一端以及第二开关管Q2的第三引脚均接地；

所述第一开关管Q1为三极管或MOS管，所述第一开关管Q1的第一引脚为三极管的发射极或MOS管的源极，所述第一开关管Q1的第二引脚为三极管的集电极或MOS管的漏极，所述第一开关管Q1的第三引脚为三极管的基极或MOS管的栅极；

所述第二开关管Q2为三极管或MOS管，所述第二开关管Q2的第一引脚为三极管的集电极或MOS管的漏极，所述第二开关管Q2的第二引脚为三极管的基极或MOS管的栅极极，所述第二开关管Q2的第三引脚为三极管的发射极或MOS管的源极。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述辅助供电电源VCC与所述第一开关管Q1之间还设有第二二极管D2，并且所述辅助供电电源VCC连接所述第二二极管D2的阳极。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一开关管Q1为PNP三极管。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第一开关管Q1为P沟道MOS管。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述第二开关管Q2为NPN三极管。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，解决了开关电源关机波形单调以及由于关机谐振造成的原、副边开关MOS管电压应力问题，具有简单、高效、实用的特点。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的结构示意图。

图2为本实用新型实施例一的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：

实施例一

如图1所示，一种有源箝位P沟道MOS管关断电路，包括辅助供电电源VCC、P沟道MOS管驱动信号端DRV-P、关机信号端OFF、第一开关管Q1以及第二开关管Q2，第一开关管Q1为PNP三极管，第二开关管Q2为NPN三极管。

辅助供电电源VCC与第二二极管D2的阳极和第五电阻R5连接，第二二极管D2的阴极连接第一开关管Q1的发射极，第一开关管Q1的集电极连接第一二极管D1的阳极和第二电容C2，第一二极管D1的阴极分别连接第一电阻R1和第一电容C1，第一电阻R1和第一电容C1并联后连接P沟道MOS管驱动信号端DRV-P；第一开关管Q1的基极连接第二电阻R2，第二电阻R2的另一端和第五电阻R5的另一端均连接第二开关管Q2的集电极，第二开关管Q2的基极分别连接第三电容C3、第三电阻R3以及第四电阻R4，第四电阻R4的另一端连接连接关机信号端OFF，第二电容C2的另一端、第三电容C3的另一端、第三电阻R3的另一端以及第二开关管Q2的发射极均接地。

在本实施例中第二二极管D2可以省略。

实施例二

如图2所示，一种有源箝位P沟道MOS管关断电路，包括辅助供电电源VCC、P沟道MOS管驱动信号端DRV-P、关机信号端OFF、第一开关管Q1以及第二开关管Q2，第一开关管Q1为P沟道MOS管，第二开关管Q2为NPN三极管。

辅助供电电源VCC与第二二极管D2的阳极和第五电阻R5连接，第二二极管D2的阴极连接第一开关管Q1的源极，第一开关管Q1的漏极连接第一二极管D1的阳极和第二电容C2，第一二极管D1的阴极分别连接第一电阻R1和第一电容C1，第一电阻R1和第一电容C1并联后连接P沟道MOS管驱动信号端DRV-P；第一开关管Q1的栅极连接第二电阻R2，第二电阻R2的另一端和第五电阻R5的另一端均连接第二开关管Q2的集电极，第二开关管Q2的基极分别连接第三电容C3、第三电阻R3以及第四电阻R4，第四电阻R4的另一端连接连接关机信号端OFF，第二电容C2的另一端、第三电容C3的另一端、第三电阻R3的另一端以及第二开关管Q2的发射极均接地。

在本实施例中第二二极管D2在辅助供电电源VCC比较干净时省略。

在上述两个实施例中，第二开关管Q2还可以为MOS管，第二开关管Q2的漏极与第二电阻R2和第五电阻R5连接，其栅极与第三电容C3、第三电阻R3以及第四电阻R4连接，其源极接地。

第二开关管Q2、第三电容C3、第三电阻R3、第四电阻R4以及第五电阻R5可以用其它控制电路来实现，如单片机控制电路。

本实用新型的原理为：

当关机信号端OFF的关机信号一旦产生，在关闭PWM控制芯片的同时，尽快通过第二二极管D2、第一开关管Q1、第一二极管D1、第一电容C1以及第一电阻R1把有源箝位P沟道MOS管驱动信号灌高，使的P沟道MOS管驱动信号短时间变高而停止工作，第一二极管D1和第二电容C2可以有效隔离负电平方波驱动信号转换为一个稳定的负电平信号源，P沟道MOS管驱动信号端DRV-P的信号通过第一开关管Q1的米勒效应对第一开关管Q1的影响，导致第一开关管Q1在电路正常工作时误动作。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。