1.一种用于储能逆变器的双向DC-AC变换电路，其特征在于：包括：DC直流输入输出模块(101)、原边桥式电路(102)、变压模块(103)、副边桥式电路(104)、双向升降压模块(105)、逆变桥式电路(106)、逆变电感续流电路(107)、LLC滤波电路(108)和AC交流输入输出模块(109)，所述DC直流输入输出模块(101)与所述原边桥式电路(102)双向连接，所述原边桥式电路(102)与所述变压模块(103)双向连接，所述变压模块(103)与所述副边桥式电路(104)双向连接，所述副边桥式电路(104)与所述双向升降压模块(105)双向连接，所述双向升降压模块(105)与所述逆变桥式电路(106)双向连接，所述逆变桥式电路(106)与所述逆变电感续流电路(107)双向连接，所述逆变电感续流电路(107)与所述LLC滤波电路(108)双向连接，所述LLC滤波电路(108)与所述AC交流输入输出模块(109)双向连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于储能逆变器的双向DC-AC变换电路，其特征在于：所述DC直流输入输出模块(101)包括：电池E1，所述原边桥式电路(102)包括：第一功率MOS管Q1、第二功率MOS管Q2、第三功率MOS管Q3和第四功率MOS管Q4，所述变压模块(103)包括：变压器T1和电容C1，所述副边桥式电路(104)包括：第五功率MOS管Q5、第六功率MOS管Q6、第七功率MOS管Q7和第八功率MOS管Q8，所述双向升降压模块(105)包括：电容C2、功率电感L1、第九功率MOS管Q9、第十功率MOS管Q10和电容C3，所述逆变桥式电路(106)包括：第一IGBT管M1、第二IGBT管M2、第三IGBT管M3和第四IGBT管M4，所述逆变电感续流电路(107)包括：二极管D1、二极管D2、第五IGBT管M5和第六IGBT管M6，所述LLC滤波电路(108)包括：功率电感L2、功率电感L3和电容C4；
所述电池E1的正极分别与所述第一功率MOS管Q1的漏极和所述第二功率MOS管Q2的漏极相连，所述电池E1的负极分别与所述第三功率MOS管Q3的源极和所述第四功率MOS管Q4的源极相连，所述变压器T1的原边一端分别与所述第二功率MOS管Q2的源极和所述第四功率MOS管Q4的漏极相连，所述变压器T1的原边另一端分别与所述第一功率MOS管Q1的源极和所述第三功率MOS管Q3的漏极相连；所述变压器T1的副边一端与所述电容C1的一端相连，所述电容C1的另一端分别与所述第六功率MOS管Q6的源极和所述第八功率MOS管Q8的漏极相连，所述变压器T1的副边另一端分别与所述第五功率MOS管Q5的源极和所述第七功率MOS管Q7的漏极相连；所述电容C2的一端分别与所述第五功率MOS管Q5的漏极、所述第六功率MOS管Q6的漏极和所述功率电感L1的一端相连，所述电容C2的另一端分别与所述第七功率MOS管Q7的源极、所述第八功率MOS管Q8的源极、第九功率MOS管Q9的源极、电容C3的一端、所述第三IGBT管M3的源极和所述第四IGBT管M4的源极相连，所述功率电感L1的另一端分别与所述第九功率MOS管Q9的漏极和所述第十功率MOS管Q10的源极相连，所述第十功率MOS管Q10的漏极分别与所述电容C3的另一端、所述第一IGBT管M1的漏极和所述第二IGBT管M2的漏极相连；所述第一IGBT管M1的源极分别与所述第三IGBT管M3的漏极、所述二极管D1的阳极、所述二极管D2的阴极和所述功率电感L2的一端相连，所述第二IGBT管M2的源极分别与所述第四IGBT管M4的漏极、所述第五IGBT管M5的源极、所述第六IGBT管M6的漏极和所述功率电感L3的一端相连，所述二极管D1的阴极与所述第五IGBT管M5的漏极相连，所述二极管D2的阳极与所述第六IGBT管M6的源极相连；所述功率电感L2的另一端分别与所述电容C4的一端和所述AC交流输入输出模块(109)相连，所述功率电感L3的另一端分别与所述电容C4的另一端和所述AC交流输入输出模块(109)相连；所述第一功率MOS管Q1的栅极、所述第二功率MOS管Q2的栅极、所述第三功率MOS管Q3的栅极、所述第四功率MOS管Q4的栅极、所述第五功率MOS管Q5的栅极、所述第六功率MOS管Q6的栅极、所述第七功率MOS管Q7的栅极、所述第八功率MOS管Q8的栅极、所述第九功率MOS管Q9的栅极、所述第十功率MOS管Q10的栅极、所述第一IGBT管M1的栅极、所述第二IGBT管M2的栅极、所述第三IGBT管M3的栅极、所述第四IGBT管M4的栅极、所述第五IGBT管M5的栅极和所述第六IGBT管M6的栅极，均与驱动电路相连。
3.根据权利要求2所述的一种用于储能逆变器的双向DC-AC变换电路，其特征在于：所述第一功率MOS管Q1、所述第二功率MOS管Q2、所述第三功率MOS管Q3、所述第四功率MOS管Q4、所述第五功率MOS管Q5、所述第六功率MOS管Q6、所述第七功率MOS管Q7、所述第八功率MOS管Q8、所述第九功率MOS管Q9、所述第十功率MOS管Q10，均为N沟道增强型MOS管。
4.根据权利要求2所述的一种用于储能逆变器的双向DC-AC变换电路，其特征在于：所述变压器T1的型号为HX1584-11029A。
5.根据权利要求2所述的一种用于储能逆变器的双向DC-AC变换电路，其特征在于：所述AC交流输入输出模块(109)为负载，或为电网AC端。