1.一种降压电路，其特征在于：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout-)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。
2.如权利要求1所述的一种降压电路，其特征在于：芯片U1的外围电路连接为：芯片电源输出端分别连接芯片U1的VIN端、电阻R4的一端和二极管D1的阳极，电阻R4另一端分别连接二极管D1的阴极、芯片U1的UVLO端、电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，二极管D1的阴极通过电容C5接地，芯片U1的RT脚通过电阻R6接地，芯片U1的AGND脚和PGND脚接地，+12V电源经电阻R2与芯片U1的RAMP脚连接，电阻R2经电容C3接地，芯片U1的SS脚经电容C6接地，U1的COMP脚经电容C9接电阻R9一端，电容C9两端并联有串接的电阻R7和电容C10，芯片U1的VOUT端经R8接电阻R9一端，U1的FB脚连接电阻R9一端，R9的另一端接地，U1的SW脚分别连接MOS管Q1的源极和电容C4的一端，C4的另一端分别连接HB脚和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极通过电容C8接地，U1的VCC脚连接二极管D2的阴极，+12V电源连接U1的VCCX脚，U1的VCCX脚经电容C7接地，MOS管Q1的栅极连接U1的HO脚，MOS管Q2的栅极连接U1的LO脚，U1的CS脚连接MOS管Q2的源极，U1的CSG脚接地，U1的DEMB脚通过电阻R3接地。
3.如权利要求1所述的一种降压电路，其特征在于：所述的MOS管Q1和MOS管Q2均为N沟道MOS管。