技术总结
本实用新型公开了一种降压电路，其特征在于：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout‑)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。本实用新型的优点为，降压电路结构简单，外围元器件个数少，电压输入范围宽，减少了电路的噪声灵敏度。
技术研发人员：束龙胜;李帅;张晓昕;高峰;张希;李小庆;单任仲;陈任峰
受保护的技术使用者：安徽中电兴发与鑫龙科技股份有限公司
文档号码：201720325974
技术研发日：2017.03.30
技术公布日：2017.12.19