技术总结
一种自动箝位电路，包括箝位开关M1，主功率开关M2，第一二极管D1，第二二极管D2，第一电阻R1，第一电容C1，线圈N1，当箝位开关M1是MOSFET时，其栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极，其栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极；主功率开关M2的漏极与第一二极管D1的阴极串联，第一二极管D1的阳极与线圈N1串联，第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极形成RD并联电路；第一电容C1连接箝位开关M1的漏极形成串联电路，此串联电路与线圈N1并联形成闭合电路；第一电容C1受箝位开关M1的控制，用于释放和吸收线圈N1的部分能量。
技术研发人员：马丽娟
受保护的技术使用者：马丽娟
文档号码：201720709346
技术研发日：2017.06.19
技术公布日：2018.03.02