1.一种电功率倍增装置，所述装置包括EI型芯片(4)以及缠绕设置在芯片的中间腿(42)上的输出线圈(2)、缠绕设置在芯片的右侧腿(41)上的输入线圈(1)和缠绕设置在芯片的左侧腿(43)上的激振线圈(3)，所述装置中线圈产生的两个以上不同磁场之间产生亚共振而实现电功率倍增输出，所述亚共振是指荷载频率θ与固有频率即自振频率ω的比值范围在0.25～1.3之间且不等于1。
2.根据权利要求1所述电功率倍增装置，其特征在于，所述荷载频率θ与自振频率ω的比值范围在0.5～1.25之间。
3.根据权利要求2所述电功率倍增装置，其特征在于，所述荷载频率θ与自振频率ω的比值范围为0.7～1.2。
4.根据权利要求3所述电功率倍增装置，其特征在于，所述荷载频率θ与自振频率ω的比值范围为0.9～1.1。
5.根据权利要求1所述电功率倍增装置，其特征在于，设计所述芯片的左侧腿(43)的中心位置至其中间腿的中心位置间的距离m值使得两个以上不同磁场间产生亚共振。
6.根据权利要求5所述电功率倍增装置，其特征在于，所述m值的设计和加工精度在0.05mm及以下。
7.根据权利要求6所述电功率倍增装置，其特征在于，所述m值的设计和加工精度在0.01mm及以下。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述电功率倍增装置，其特征在于，所述装置中的电连接方式为从所述输入线圈(1)处输入电压U1，输出线圈(2)和激振线圈(3)并联且并联的输出电压为U2，U1大于、小于或等于U2。
9.根据权利要求8所述电功率倍增装置，其特征在于，在U2处接入单独的一条输出电路或在U2处接入多条并联的输出电路，所述输出电路上连接有电器。
10.根据权利要求1～7中任意一项所述电功率倍增装置，其特征在于，电功率倍增的放大系数β为1.1～50。