逆阻型IGBT短路保护电路、方法及系统和存储介质与流程

文档序号:15465466发布日期:2018-09-18 19:13阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种逆阻型IGBT短路保护电路,其特征在于,包括:

与所述逆阻型IGBT的集电极相连的高阻值电阻;其中,所述高阻值电阻为阻值高于预设值的电阻;

与所述高阻值电阻相连,用于对电压进行绝对值转换的压差检测单元;

与所述压差检测单元的输出信号端相连,用于对所述压差检测单元的输出电压进行模数转换的比较器电路;

过流信号端与所述比较器电路相连的驱动及检测芯片;

与所述驱动及检测芯片的输出端相连的DSP芯片;

其中,所述驱动及检测芯片的参考地端与所述压差检测单元的输出地端相连,所述驱动及检测芯片的驱动端与所述压差检测单元的驱动电路相连,所述驱动及检测芯片与所述压差检测单元的公共端通过第一电容与所述驱动及检测芯片相连并接地。

2.根据权利要求1所述逆阻型IGBT短路保护电路,其特征在于,所述比较器电路包括比较器、第二电容、第三电容、第五电阻、第六电阻和第七电阻;

所述比较器的输出端与所述驱动及检测芯片的所述过流信号端相连,所述比较器的正极通过所述第五电阻与所述压差检测单元的所述输出信号端相连;

所述第六电阻、所述第二电容与所述第七电阻和所述第三电容组成的串联支路并联,所述第六电阻与所述第七电阻的公共端与所述比较器的负极相连;

所述第二电容与所述第三电容的公共端接地,所述第三电阻与所述第七电阻的公共端与电源相连。

3.根据权利要求1或2所述逆阻型IGBT短路保护电路,其特征在于,所述压差检测单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻和所述驱动电路;

其中,所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连,阴极与所述第三二极管的阳极相连;

所述第四二极管的阳极与所述第二二极管的阴极相连,阴极与所述第三二极管的阴极相连;

所述第一二极管与所述第三二极管的公共端接地,所述第二二极管与所述第四二极管的公共端与所述高阻值电阻相连;

所述第一二极管与所述第二二极管的公共端为所述输出地端,所述第三二极管与所述第四二极管的公共端与所述第一电阻的第一端相连,所述第一电阻的第二端为所述输出信号端,所述第一电阻的所述第二端与所述驱动电路的输入端相连。

4.根据权利要求3所述逆阻型IGBT短路保护电路,其特征在于,所述驱动电路包括第五二极管、第六二极管、第一电容、第一三极管、第二三极管、第二电阻、第三电阻和第四电阻;

其中,所述第五二极管与所述第一电容并联;

所述第五二极管的阳极与所述第一三极管、所述第二三极管的发射极相连并接地,所述第五二极管的阴极通过所述第二电阻连接所述第六二极管的阳极,且通过所述第三电阻与电源相连;

所述第六二极管的阴极与所述驱动及检测芯片的驱动端相连;

所述第二三极管的集电极为所述驱动电路的输入端,所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极相连,且通过所述第四电阻与电源相连。

5.一种逆阻型IGBT短路保护方法,其特征在于,应用于如权利要求1-4任一项所述逆阻型IGBT短路保护电路,包括:

压差检测单元判断驱动及检测芯片的驱动端的电压是否为高电平;

若是,则所述压差检测单元检测所述逆阻型IGBT的集电极电压,所述驱动及检测芯片判断比较器电路的过流信号端的电压是否为高电平;

若是,则所述驱动及检测芯片输出短路故障信号。

6.根据权利要求5所述逆阻型IGBT短路保护方法,其特征在于,所述驱动及检测芯片输出短路故障信号之后,还包括:

DSP芯片根据所述短路故障信号进行相应的短路保护响应。

7.一种逆阻型IGBT短路保护系统,其特征在于,应用于如权利要求1-4任一项所述逆阻型IGBT短路保护电路,包括压差检测单元和驱动及检测芯片,所述压差检测单元包括:

第一判断模块,用于判断所述驱动及检测芯片的驱动端的电压是否为高电平;

检测模块,用于当所述驱动及检测芯片的驱动端的电压为高电平时,检测所述逆阻型IGBT的集电极电压;

所述驱动及检测芯片包括:

第二判断模块,用于判断比较器电路的过流信号端的电压是否为高电平;

输出模块,用于当所述比较器电路的过流信号端的电压为高电平时,输出短路故障信号。

8.根据权利要求7所述逆阻型IGBT短路保护系统,其特征在于,还包括DSP芯片,所述DSP芯片包括:

响应模块,用于根据所述短路故障信号进行相应的短路保护响应。

9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求5或6所述逆阻型IGBT短路保护方法。

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