1.一种保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
比较电路，所述比较电路获取转换电路的测量电压；所述比较电路还根据所述测量电压与参考电压输出比较信号，当所述测量电压大于所述参考电压时，所述比较电路输出高电平的比较信号；
控制电路，包括控制器，所述控制器包括选择引脚，所述控制电路连接于所述比较电路，当接收到所述高电平的比较信号时，所述控制电路将所述选择引脚的电平变为低电平，以使得所述控制器不输出脉冲信号给所述转换电路。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述比较电路包括比较器及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括第一端、第二端及第三端，所述比较器的正向输入端连接于肖特基二极管第三端，所述肖特基二极管的第二端用于获取测量电压，所述肖特基二极管的第一端连接于第一电源电路；所述比较器的反相输入端连接于参考电压，所述比较器的输出端连接于第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极用于输出所述比较信号。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述控制电路包括电子开关，所述第一二极管的阴极连接于所述电子开关的第一端，所述电子开关的第二端接地，所述电子开关的第三端连接于第二二极管的阴极，所述第二二极管的阳极连接于所述控制器的选择引脚，所述电子开关第三端还连接于第二电源电路。
4.如权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述比较电路中的肖特基二极管的第一端通过第一电阻连接于所述第一电源电路，所述肖特基二极管的第三端通过第二电阻接地，所述肖特基二极管的第三端还通过第一电容接地；所述比较器的反相输入端通过第三电阻接收所述参考电压，所述比较器的反相输入端还通过第四电阻接地，所述比较器的同相输入端通过第二电容连接于反相输入端，所述比较器的同相输入端还通过第三电容连接于输出端。
5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述控制电路中的电子开关为可控硅，所述可控硅的控制端为所述电子开关第一端，所述可控硅的阴极为所述电子开关的第二端，所述可控硅的阳极为所述电子开关的第三端，所述可控硅的阳极还通过第五电阻连接于所述第二电源电路。
6.如权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第二电源电路包括第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极通过串联的第六、第七、第八及第九电阻连接于整流电路，所述第一稳压二极管的阳极通过并联的第四及第五电容连接于第四二极管的阴极，所述可控硅的阳极通过所述第五电阻连接于所述第一稳压二极管的阴极。
7.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述控制电路中的电子开关为NPN型三极管，所述NPN型三极管的基极为所述电子开关第一端，所述NPN型三极管的发射极为所述电子开关的第二端，所述NPN型三极管的集电极为所述电子开关的第三端，所述NPN型三极管的集电极还通过所述第五电阻连接于所述第二电源电路。
8.如权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述第一电源电路包括三极管，所述三极管的发射极通过所述第一电阻连接于所述肖特基二极管的第一端，所述三极管的基极连接于第二稳压二极管的阴极，所述第二稳压二极管的阳极通过第六电容连接于所述三极管的发射极，所述第二稳压二极管的阳极接地，所述三极管的基极通过第十电阻连接于所述三极管的集电极，还通过第十一电阻接地，第七电容与串联的第十及第十一电阻并联，所述三极管的集电极连接于第三二极管的阴极，所述第三二极管的阳极连接于绕组的第一端，所述绕组的第二端接地，所述三极管的发射极连接于所述第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极连接于所述第一稳压二极管的阴极，所述三极管为NPN型三极管。
9.一种充电设备，包括滤波电路及如权利要求6-8中任一项所述保护电路，所述滤波电路连接于所述整流电路，所述整流电路于所述转换电路及保护电路。
10.如权利要求9所述的充电设备，其特征在于，所述转换电路包括功率管，所述功率管的栅极通过第十二电阻连接于所述控制器的驱动引脚，还通过第十三电阻连接于所述功率管的源极，所述功率管的漏极连接于连接于变压电路，所述功率管的源极还通过第十四电阻接地，所述肖特基二极管的第十端连接于所述功率管的源极及第十四电阻之间。