一种高功率因素的开关电源控制电路的制作方法

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种高功率因素的开关电源控制电路。

背景技术：

目前，市场上已有各种不同类型的高功率因数开关电源，有先采用非隔离的功率因数校正电路，后端再接功率转换开关电路组成的两级变换式高功率因数开关电源，但此类电源采用两级变换，增加了开关电源的成本。也有采用单开关变换的高功率因数开关电源，但此类开关电源由于输入电压，电流均是正弦形式，在开关电源的直流输出端有很高幅值的低频纹波，在许多要求高的场合则无法满足用电器具对电源的要求，如在LED照明驱动的领域，会造成LED灯具的频闪，严重损伤人的眼睛。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种能提高频率高功率因素的开关电源控制电路。

本实用新型所采取的技术方案是：

一种高功率因素的开关电源控制电路，包括振荡源生成电路、基准调节电路和驱动电路，所述基准调节电路的输出端与驱动电路的第一输入端连接，所述振荡源生成电路的输出端与驱动电路的第二输入端连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述基准调节电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容，所述第一电阻的第一端与电源端连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接入PWM信号，所述第一电阻的第二端与驱动电路的第一输入端连接，所述驱动电路的第一输入端通过第三电阻进而与地连接，所述驱动电路的第一输入端通过第一电容进而与地连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述振荡源生成电路包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第一二极管、第一稳压管和第一比较器，所述第一比较器的同相输入端通过第五电阻进而与电源端连接，所述第一比较器的同相输入端通过第六电阻进而与地连接，所述第一比较器的反相输入端通过第三电容进而与地连接，所述第一比较器的输出端通过第七电阻进而与第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的输出端通过第八电阻进而与第一比较器的反相输入端连接，所述第一比较器的输出端通过第四电阻进而与驱动电路的第二输入端连接，所述第一比较器的输出端与第一二极管的正极端连接，所述第一二极管的负极端与驱动电路的第二输入端连接，所述第一二极管的负极端通过第二电容进而与地连接，所述第一比较器的输出端通过第九电阻与第一稳压管的阴极连接，所述第一稳压管的阳极与地连接，所述第一稳压管的阴极通过第四电容进而与地连接，所述第一稳压管的阴极通过第十电阻和第五电容进而与地连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述驱动电路包括第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第二二极管、第一晶体管、第一MOS管和第二比较器，所述基准调节电路的输出端与第二比较器的同相输入端连接，所述振荡源生成电路的输出端与第二比较器的反相输入端连接，所述第二比较器的输出端与第一晶体管的基极连接，所述第二比较器的输出端通过第十一电阻与电源端连接，所述第一晶体管的集电极通过第十二电阻与电源端连接，所述第二比较器的输出端与第二二极管的负极端连接，所述第一晶体管的发射极通过第十三电阻进而与第二二极管的正极端连接，所述第一晶体管的发射极通过第十四电阻进而与地连接，所述第一晶体管的发射极与第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与交流电压端连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一晶体管为NPN晶体管。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一MOS管为耗尽型NMOS管。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型一种高功率因素的开关电源控制电路通过振荡源生成电路、基准调节电路和驱动电路能实现在具有高功率因素的同时不会出现低频闪烁，而且不需要采用集成IC也能实现，有效减少生产成本，不但提高了大功率开关电源的性能及可靠性，而且方便了用户使用。

附图说明

图1是本实用新型一种高功率因素的开关电源控制电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：

参考图1，本实用新型一种高功率因素的开关电源控制电路，包括振荡源生成电路、基准调节电路和驱动电路，所述基准调节电路的输出端与驱动电路的第一输入端连接，所述振荡源生成电路的输出端与驱动电路的第二输入端连接。

进一步作为优选的实施方式，所述基准调节电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一电容C1，所述第一电阻R1的第一端与电源端连接，所述第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端，所述第二电阻R2的第二端接入PWM信号，所述第一电阻R1的第二端与驱动电路的第一输入端连接，所述驱动电路的第一输入端通过第三电阻R3进而与地连接，所述驱动电路的第一输入端通过第一电容C1进而与地连接。

进一步作为优选的实施方式，所述振荡源生成电路包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第一二极管D1、第一稳压管DZ1和第一比较器U1，所述第一比较器U1的同相输入端通过第五电阻R5进而与电源端连接，所述第一比较器U1的同相输入端通过第六电阻R6进而与地连接，所述第一比较器U1的反相输入端通过第三电容C3进而与地连接，所述第一比较器U1的输出端通过第七电阻R7进而与第一比较器U1的同相输入端连接，所述第一比较器U1的输出端通过第八电阻R8进而与第一比较器U1的反相输入端连接，所述第一比较器U1的输出端通过第四电阻R4进而与驱动电路的第二输入端连接，所述第一比较器U1的输出端与第一二极管D1的正极端连接，所述第一二极管D1的负极端与驱动电路的第二输入端连接，所述第一二极管D1的负极端通过第二电容C2进而与地连接，所述第一比较器U1的输出端通过第九电阻R9与第一稳压管DZ1的阴极连接，所述第一稳压管DZ1的阳极与地连接，所述第一稳压管DZ1的阴极通过第四电容C4进而与地连接，所述第一稳压管DZ1的阴极通过第十电阻R10和第五电容C5进而与地连接。

其中，本实用新型中的振荡源生成电路还可采用现有的电路或单片机进行实现。

进一步作为优选的实施方式，所述驱动电路包括第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第二二极管D2、第一晶体管Q1、第一MOS管T1和第二比较器U2，所述基准调节电路的输出端与第二比较器U2的同相输入端连接，所述振荡源生成电路的输出端与第二比较器U2的反相输入端连接，所述第二比较器U2的输出端与第一晶体管Q1的基极连接，所述第二比较器U2的输出端通过第十一电阻R11与电源端连接，所述第一晶体管Q1的集电极通过第十二电阻R12与电源端连接，所述第二比较器U2的输出端与第二二极管D2的负极端连接，所述第一晶体管Q1的发射极通过第十三电阻R13进而与第二二极管D2的正极端连接，所述第一晶体管Q1的发射极通过第十四电阻R14进而与地连接，所述第一晶体管Q1的发射极与第一MOS管T1的栅极连接，所述第一MOS管T1的漏极与交流电压端连接。

本实用新型实施例中，所述第一晶体管Q1为NPN晶体管，所述第一MOS管T1为耗尽型NMOS管。所述第一比较器U1和第二比较器U2采用LM393芯片实现，所述开关电源控制模块以第一比较器U1和第二比较器U2为核心，外置分立元件构成一个40KHZ频率的方波振荡源。占空比0～24％可调。以18WLED灯管为例，开关频率f＝40KHz，在第二比较器U2的输出端生成一个方波，经过第四电阻R4、第一二极管D1和第二电容C2后在第一比较器U1的反相输入端生成一个锯齿波。这个信号被由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一电容C1所生成的可调基准比较值分割后在第一比较器U1的输出端生成一个调整后的驱动方波，由此控制第一MOS管T1的开关。因此，开关电源控制模块能在LED灯管装置中作为开关控制器件，令到灯体在稳定地工作的同时保证PF值大于0.95。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。