1.一种双向的反激转换器电路，所述反激转换器电路包括具有电感式耦合的初级绕组和次级绕组（Wl，W2）的变压器以及包括初级侧的开关元件（SE1）和次级侧的开关元件（SE2），其中，所述初级绕组（Wl）与所述反激转换器电路的电压输入端连接并且所述次级绕组（W2）与所述反激转换器电路的电压输出端连接，所述初级侧的开关元件与所述初级绕组（Wl）串联地布置，所述次级侧的开关元件与所述次级绕组（W2）串联地布置，
其特征在于，设有充电电容器（C3），所述充电电容器借助第一接头（Al）与初级侧和次级侧的共同电位（M）连接，并且所述充电电容器借助第二接头（A2）通过第一二极管（Dl）与初级侧的开关元件（SE1）和初级绕组（Wl）的共同电位连接并且通过第二二极管（D2）与次级侧的开关元件（SE2）和次级绕组（W2）的共同电位连接，并且，借助布置在输入侧或输出侧的降压斩波器（TS）能够将在充电电容器（C3）上存在的电压（U3）调节到可预给定的值上。
2.根据权利要求1所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，在充电电容器（C3）上存在的电压（U3）的可预给定的值能够以与所述反激转换器电路的最大的输入电压（Ul）和最大的输出电压（U2）中的分别较大的电压值的预给定的比例关系来确定。
3.根据权利要求2所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，在充电电容器（C3）上存在的电压（U3）的可预给定的值具有在所述反激转换器电路的最大的输入电压（Ul）和最大的输出电压（U2）中的分别较大的电压值的至少两倍值。
4.根据以上权利要求中任一项所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，所述初级侧的开关元件（SE1）如所述次级侧的开关元件（SE2）那样作为金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET来实施。
5.根据以上权利要求中任一项所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，布置在输入侧或输出侧的降压斩波器（TS）包括至少一个电感（L）、第三二极管（D3）以及开关元件（SE3）。
6.根据权利要求5所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，所述降压斩波器（TS）的开关元件（SE3）作为金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET来实施。
7.根据权利要求5所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，所述降压斩波器（TS）的开关元件（SE3）作为双极型晶体管来实施。
8.根据权利要求5所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，所述降压斩波器（TS）的开关元件（SE3）作为集成器件来实施，所述集成器件包括调节、驱动器功能和开关元件功能。
9.根据权利要求5所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，初级侧的开关元件以及次级侧的开关元件（SE1，SE2）以及所述降压斩波器的开关元件（SE3）作为基于氮化镓的半导体开关来实施。
10.根据以上权利要求中任一项所述的双向的反激转换器电路，其特征在于，在布置在输入侧或输出侧的降压斩波器上下降的剩余能量能够被馈入到不同于所述反激转换器的输入电压（Ul）或输出电压（U2）的电压中。