电荷泄放电路的制作方法

文档序号:25983288发布日期:2021-07-23 14:36阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电荷泄放电路,其特征在于,所述泄放电路包括开关、第一三极管、第二三极管、第一mos管、第一电阻、第二mos管、第一电容和第二电容;

所述开关的一端分别与外部电源及所述第一三极管的基极电连接,所述开关的另一端接地,所述第一三极管的发射极接地,所述第一三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第二三极管的基极电连接,所述第二三极管的集电极分别与所述外部电源及所述第一mos管的栅极电连接,所述第二三极管的发射极接地,所述第一mos管的源极与所述外部电源电连接;

所述第一mos管的漏极分别与所述第一电阻的一端、所述第一电容的一端以及所述第二电容的一端电连接,所述第一电容的另一端以及所述第二电容的另一端均接地,所述第一电阻的另一端与所述第二mos管的漏极电连接,所述第二mos管的栅极与所述开关的一端电连接,所述第二mos管的源极接地。

2.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述泄放电路还包括第二电阻、第三电阻和第四电阻;

所述第二电阻串接在所述外部电源与所述开关之间;

所述第三电阻串接在所述外部电源与所述第一三极管的集电极之间;

所述第四电阻串接在所述外部电源与所述第二三极管的集电极之间。

3.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述泄放电路还包括第三电容和第四电容;

所述第三电容的一端与所述开关的一端电连接,所述第三电容的另一端接地;

所述第四电容的一端与所述第二三极管的基极电连接,所述第四电容的另一端接地。

4.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第一mos管为pmos管,所述第二mos管为nmos管。

5.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第一三极管和所述第二三极管均为npn型三极管。

6.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值小于100kω。

7.如权利要求2所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第二电阻、所述第三电阻和所述第四电阻的阻值均为100kω。

8.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第一电容的电容值为100uf或220uf。

9.如权利要求1所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第二电容的电容值为100uf或220uf。

10.如权利要求3所述的电荷泄放电路,其特征在于,所述第三电容和所述第四电容的电容值均为10uf。


技术总结
本实用新型提供一种电荷泄放电路,包括开关、第一三极管、第二三极管、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第一电容和第二电容;开关与电源及第一三极管的基极连接,第一三极管的集电极与电源及第二三极管的基极连接,第二三极管的集电极与电源及第一MOS管的栅极连接,第一MOS管的源极与电源连接;第一MOS管的漏极与第一电阻、第一电容和第二电容的一端连接,第一电阻的另一端与第二MOS管的漏极连接,第二MOS管的栅极与开关连接,第一、二三极管的发射极、第二MOS管的源极接地。本实用新型在闭合开关时,第一MOS管导通,第二MOS管截止,第一电阻处于不工作状态,避免了第一电阻产生耗流,延长了第一电阻的工作寿命。

技术研发人员:蒋绪涛
受保护的技术使用者:重庆芯讯通无线科技有限公司
技术研发日:2020.12.30
技术公布日:2021.07.23
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