技术特征：
1.一种基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，包括：启动电路、功率变换电路、保护电路、稳压二极管dz1、隔离反馈网络、自激驱动和逐周期电流检测电路、驱动缓冲器、输出整流电路；所述启动电路由电阻rsta组成，一段接电源输入正线，另一端接稳压二极管dz1的阴极；所述功率变换电路由变压器的绕组np、主功率管q1和反馈功能管q2组成，q1为增强型gan hemt器件，其栅极接稳压二极管dz1的阴极，源极接稳压二极管dz1的阳极且接地，绕组np的同名端接输入正线，异名端接q1的漏极，q2为增强型gan hemt器件，其漏极接q1的栅极，栅极接电阻r4，源极接地；所述保护电路由稳压二极管dz1组成；所述隔离反馈网络一端接输出正极，另一端接电阻r6，电阻r6接q2栅极；所述输出整流电路由变压器的绕组ns、二极管d2和极性电容c4组成，绕组ns的异名端接二极管d2的阳极，绕组ns的同名端接输出负极，二极管d2的阴极接输出正极，极性电容c4的正极接二极管d2的阴极，负极接输出负极；所述自激驱动和逐周期电流检测电路包括自激驱动电路以及逐周期电流检测电路，自激驱动电路由辅助绕组na和电阻r1、隔直电容c1组成，绕组na的同名端与电阻r1、隔直电容c1串联，隔直电容c1另一端通过驱动缓冲器接q1的栅极；逐周期电流检测电路与自激驱动电路共用辅助绕组na，还包括稳压二极管dz2、二极管d3、d4、极性电容c2、c3、电阻r2、r3、r4和r5，绕组na的同名端接二极管d3的阴极，二极管d3的阳极接极性电容c2的负极，极性电容c2的正极接二极管d4的阳极，二极管d4的阴极接极性电容c3的正极，极性电容c3的负极接极性电容c2的负极，构成vcc电压第二级形成环路，极性电容c3的负极接输入回线；电阻r2与极性电容c2并联，极性电容c2的正极与隔直电容c5、电阻r5串联，电阻r5另一端连q2的栅极，稳压二极管dz2与电阻r3串联，电阻r4与稳压二极管dz2及电阻r3并联，电阻r4及稳压二极管dz2的一端连到绕组na的同名端与电阻r1之间，电阻r4及电阻r3的另一端连到电阻r5与q2的栅极之间。2.根据权利要求1所述的基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，其特征在于：q1和q2共用一个晶圆。3.根据权利要求1或2所述的基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，其特征在于：所述驱动缓冲器包括电阻r101、r102、r103、r104、r105、非门u101a、u101b、隔直电容c101、c102、稳压二极管dz101、dz102，c1将驱动信号通过r101、r102分压后传递给非门u101a，电平翻转后，先经过稳压、滤波网络dz101、r103和c101，然后经过dz102、r104和c102传递给下一级非门u101b，电平再次翻转后再经过电阻r105传递到q1的栅极。4.根据权利要求1或2所述的基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，其特征在于：所述驱动缓冲器包括电阻r101、r102、r103、r104、r106、非门u101a、u101c、u101d、隔直电容c101、c102、稳压二极管dz101、dz102，c1将驱动信号通过r101、r102分压后传递给非门u101a，电平翻转后，先经过稳压、滤波网络dz101、r103和c101，然后经过dz102、r104和c102传递给下一级非门u101c、u101d，电平两次翻转后再经过电阻r106传递到q1的栅极。5.根据权利要求1或2所述的基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，其特征在
于：所述q1和q2采用集成式反向并联二极管结构。6.根据权利要求1或2所述的基于gan hemt器件的自激驱动与功率变换电路，其特征在于：所述极性电容c2的容值为极性电容c3容值的1/10～1/5。