技术特征：
1.一种电机驱动h桥电路，其特征在于，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道mos管q2、双通道mos管q3和mcu控制模块，所述双通道mos管q2的d1/d2极与电机正极连接，所述双通道mos管q3的d1/d2极与电机负极连接，所述双通道mos管q2的s2极和双通道mos管q3的s2极均与电能输入端v+连接，所述双通道mos管q2的s1极和双通道mos管q3的s1极串联一电阻r33后接地；所述第一正转支路分别与双通道mos管q2的g2极以及mcu控制模块连接，所述第一正转支路接收mcu控制模块发出的pwm信号控制双通道mos管q2的s2极与d2极的通断；所述第二正转支路分别与双通道mos管q3的g1极以及mcu控制模块连接，所述第二正转支路接收mcu控制模块发出的pwm信号控制双通道mos管q3的s1极与d1极的通断；所述第一反转支路分别与双通道mos管q3的g2极以及mcu控制模块连接，所述第一反转支路接收mcu控制模块发出的pwm信号控制双通道mos管q3的s2极与d2极的通断；所述第二反转支路分别与双通道mos管q2的g1极以及mcu控制模块连接，所述第二反转支路接收mcu控制模块发出的pwm信号控制双通道mos管q2的s1极与d1极的通断。2.根据权利要求1所述的电机驱动h桥电路，其特征在于，所述第一正转支路包括：电阻r17、电阻r18、三极管q6和电阻r19，所述电阻r17一端与mcu控制模块的第一pwm引脚u25连接，所述电阻r17另一端与三极管q6的b极连接，所述电阻r18两端分别与三极管q6的b极、e极连接，所述三极管q6的e极接地，所述三极管q6的c极与电阻r19串联后与双通道mos管q2的g2极连接。3.根据权利要求1所述的电机驱动h桥电路，其特征在于，所述第二正转支路包括：电阻r16、电阻r29、三极管q12、三极管q10、三极管q11、电阻r30、电阻r14和电阻r27，所述电阻r16一端连接第二pwm引脚u5，所述电阻r16另一端与三极管q12的b极连接，所述电阻r29两端分别与三极管q12的b极、e极连接，所述三极管q12的e极接地，所述三极管q12的c极分别与三极管q10的b极、三极管q11的b极、电阻r14、电阻r27连接，所述三极管q10的c极接入12v电压后与电阻r14的另一端连接，所述三极管q10的e极分别与三极管q11的c极、电阻r27的另一端、电阻r30连接，所述三极管q11的e极接地，所述电阻r30的另一端与双通道mos管q3的g1极连接，所述三极管q10、三极管q12为npn型三极管，三极管q11为pnp型三极管。4.根据权利要求1所述的电机驱动h桥电路，其特征在于，所述第一反转支路包括：电阻r21、电阻r22、三极管q7和电阻r23，所述电阻r21一端与mcu控制模块的第三pwm引脚u27连接，所述电阻r21另一端与三极管q7的b极连接，所述电阻r22两端分别与三极管q7的b极、e极连接，所述三极管q7的e极接地，所述三极管q7的c极与电阻r23串联后与双通道mos管q3的g2极连接。5.根据权利要求1所述的电机驱动h桥电路，其特征在于，所述第二反转支路包括：电阻r25、电阻r26、三极管q13、三极管q8、三极管q9、电阻r12、电阻r13和电阻r15，所述电阻r25一端连接第四pwm引脚u26，所述电阻r25另一端与三极管q13的b极连接，所述电阻r26两端分别与三极管q13的b极、e极连接，所述三极管q13的e极接地，所述三极管q13的c极分别与三极管q8的b极、三极管q9的b极、电阻r13、电阻r15连接，所述三极管q8的c极接入12v电压后与电阻r13的另一端连接，所述三极管q8的e极分别与三极管q9的c极、电阻r15的另一端、电阻r12连接，所述三极管q9的e极接地，所述电阻r12的另一端与双通道mos管q2的g1极连接，所述三极管q8、三极管q13为npn型三极管，三极管q9为pnp型三极管。
6.根据权利要求1所述的电机驱动h桥电路，其特征在于，所述mcu控制模块是型号为mt32f006c6xa fqn28的控制芯片。
技术总结
一种电机驱动H桥电路，包括：第一正转支路、第一反转支路、第二正转支路、第二反转支路、双通道MOS管Q2、双通道MOS管Q3和MCU控制模块，双通道MOS管Q2的D1/D2极与电机正极连接，双通道MOS管Q3的D1/D2极与电机负极连接，双通道MOS管Q2的S2极和双通道MOS管Q3的S2极与电能输入端V+连接，双通道MOS管Q2的S1极和双通道MOS管Q3的S1极串联一电阻R33后接地；第一正转支路与双通道MOS管Q2的G2极、MCU控制模块连接，第二正转支路与双通道MOS管Q3的G1极、MCU控制模块连接，第一反转支路与双通道MOS管Q3的G2极、MCU控制模块连接，第二反转支路与双通道MOS管Q2的G1极、MCU控制模块连接。本发明采用两个双通道MOS管实现电机正反转、调速、刹车功能，体积更小在小空间应用有很大优势。体积更小在小空间应用有很大优势。体积更小在小空间应用有很大优势。
技术研发人员：李培森 谢宝棠 赵素芳 郑阳辉 谢源 郭贵元
受保护的技术使用者：深圳市瑞必达科技有限公司
技术研发日：2021.12.21
技术公布日：2022/3/21