技术特征：
1.一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其特征是：包括对应连接的第一电源输入端口(j1)、第二电源输入端口(j2)、负载接线端口(j3)、电压检测芯片(u1)、第一pmos管(q1)、第二pmos管(q2)、第三pmos管(q3)、第四pmos管(q4)、第五pmos管(q5)、第一电阻(r1)、第二电阻(r2)、第三电阻(r3)、第四电阻(r4)、第五电阻(r5)、第六电阻(r6)、第七电阻(r7)、第八电阻(r8)、第九电阻(r9)、第一电容(c1)、第二电容(c2)、肖特基二极管(d1)、发光二极管(led1)；所述第一电源输入端口(j1)的第一端与第一pmos管(q1)的s极连接，第一pmos管(q1)的d极与第二pmos管(q2)的d极对应连接，第一pmos管(q1)的g极、第二pmos管(q2)的g极以及第四电阻(r4)的第一端连接，第二pmos管(q2)的s极、第四pmos管(q4)的s极以及负载接线端口(j3)的第一端连接；第四电阻(r4)的第二端、第五电阻(r5)的第一端、第六电阻(r6)的第一端、电压检测芯片(u1)的lbo#端连接；第六电阻(r6)的第二端与第五pmos管(q5)的g极连接；第五pmos管(q5)的s极与肖特基二极管(d1)的正极连接，第五pmos管(q5)的d极和第七电阻(r7)的第一端连接且接入有第一电压，第七电阻(r7)的第二端与发光二极管(led1)的正极连接，发光二极管(led1)的负极、第八电阻(r8)的第一端、电压检测芯片(u1)lbo端连接，第八电阻(r8)的第二端、肖特基二极管(d1)的负极、第三pmos管(q3)的g极、第四pmos管(q4)的g极连接；第三pmos管(q3)的d极与第四pmos管(q4)的d极对应连接，第三pmos管(q3)的s极、第九电阻(r9)的第一端、第二电容(c2)的第一端、第二电源输入端口(j2)的第一端连接且连接vcc；电压检测芯片(u1)的fth端、第一电阻(r1)的第一端、第二电阻(r2)的第一端、第一电容(c1)的第一端连接，电压检测芯片(u1)的rth端、第二电阻(r2)的第二端、第三电阻(r3)的第一端连接；电压检测芯片(u1)的vcc端和第一电阻(r1)的第二端分别接入vcc；第三电阻(r3)的第二端、第一电容(c1)的第二端、电压检测芯片(u1)的gnd端连接且接入gnd，第二电容(c2)的第二端和第九电阻(r9)的第二端连接且接gnd，第五电阻(r5)的第二端、第一电源输入端口(j1)的第二端、第二电源输入端口(j2)的第二端以及负载接线端口(j3)的第二端分别接gnd。2.根据权利要求1所述的一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其特征是：第一pmos管(q1)、第二pmos管(q2)、第三pmos管(q3)、第四pmos管(q4)、第五pmos管(q5)的型号均为ao4447a。3.根据权利要求1所述的一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其特征是：电压检测芯片(u1)的型号为cn302。4.根据权利要求1所述的一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其特征是：第五pmos管(q5)的型号为ao3401。5.根据权利要求1所述的一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其特征是：肖特基二极管(d1)的型号为b5819ws、发光二极管(led1)的型号为orh
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技术总结
本实用新型涉及嵌入式设备领域，公开了一种嵌入式设备后备电源的无缝切换电路，其技术方案要点是包括对应连接的第一电源输入端口、第二电源输入端口、负载接线端口、电压检测芯片、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、第二电容、肖特基二极管、发光二极管。发光二极管。发光二极管。
技术研发人员：柴天新
受保护的技术使用者：南京冷火电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2022/1/4