技术特征：
1.一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，其特征在于：包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制mos管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路mos管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。2.根据权利要求1所述的一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，其特征在于：有源钳位电路包括电阻r1至r10、电容c1和c2、npn型的mos1、pnp型的mos2、npn型三极管、pnp型三极管；电阻r1、电阻r2、电容c1的第一端连接电源正极，电源负极接地，电容c1第二端接地，电阻r1、电阻r2的第二端连接mos1的d极；mos1的g极连接电阻r6和电阻r7的第一端，电阻r6的第二端连接pwm；npn型的mos1的d极还连接npn型三极管、pnp型三极管的b极，npn型三极管的c极连接电源正极；npn型三极管的e极、pnp型三极管的e极连接电阻r5的第一端，电阻r5的第二段连接电容c2的第一端；电阻r3的第一端连接电源正极，电阻r3的第二端以及电容c2的第二端连接pnp型的mos2的g极；pnp型的mos2的d极连接电阻r8、电阻r9、电阻r10的第一端，电阻r8、电阻r9、电阻r10的第二端连接并联电路；电阻r7的第二端、mos1的s极、pnp型三极管的c极、pnp型的mos2s极接地。3.根据权利要求1所述的一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，其特征在于：并联电路包括电容c3、电容c4、二极管d1，电容c3的第一端、电容c4的第一端、二极管d1的阳极与有源钳位电路连接，电容c4的第二端、二极管d1的阴极接地。
技术总结
本实用新型提供了一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路，包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制MOS管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路MOS管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。本实用新型有益效果：本方案防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路通过微机控制，利用钳位电路有效实现了主电路MOS管并联电路的切换，而且通过微机生成的PWM波同步，提高了传统的保护电路的可靠性。提高了传统的保护电路的可靠性。提高了传统的保护电路的可靠性。
技术研发人员：刘登基 康洪强 张立伟
受保护的技术使用者：天津中科华盈科技有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2022/2/7